Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур - Гаджиев, Э.М.; Гусейнов, Я.Ю.; Исмайлов, Н.М.; Касимов, Ф.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.