Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
Фосфид галлия — основной материал светодиодов красного и зеленого цвета излучения. Однако он не является прямозонным материалом, что не позволяет использовать его для создания лазеров. Предлагается превратить его в прямозонный полупроводник ZnP путем модификации фосфида галлия. Это достижимо с помощ...
Gespeichert in:
Datum: | 2001 |
---|---|
Hauptverfasser: | Гаркавенко, А.С., Мокрицкий, В.А. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70845 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)