Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe - Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.