Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения

Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2001
Hauptverfasser: Мокрицкий, В.А., Ленков, С.В., Маслов, О.В., Савельев, С.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70854
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего сопротивление кристаллов увеличилось на 20%, амплитуда шума уменьшилась в 5–8 раз, улучшилась форма спектра излучения γ-¹³⁷Cs. Созданные на основе КЦТ детекторы обнаружили анизотропию чувствительности к γ-излучению: при компланарном расположении пучка γ-квантов и вектора электрического поля параметры прибора оптимальны.