Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего...
Saved in:
Date: | 2001 |
---|---|
Main Authors: | Мокрицкий, В.А., Ленков, С.В., Маслов, О.В., Савельев, С.А. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70854 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001) -
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003) -
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2002) -
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004) -
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)