Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью о...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Байдуллаева, А., Власенко, А.И., Ломовцев, А.В., Мозоль, П.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70860
record_format dspace
spelling irk-123456789-708602016-05-23T10:20:35Z Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. Сенсоэлектроника Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения. The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation. 2001 Article Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
spellingShingle Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
Байдуллаева, А.
Власенко, А.И.
Ломовцев, А.В.
Мозоль, П.Е.
Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.
format Article
author Байдуллаева, А.
Власенко, А.И.
Ломовцев, А.В.
Мозоль, П.Е.
author_facet Байдуллаева, А.
Власенко, А.И.
Ломовцев, А.В.
Мозоль, П.Е.
author_sort Байдуллаева, А.
title Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
title_short Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
title_full Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
title_fullStr Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
title_full_unstemmed Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
title_sort создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов cdte
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2001
topic_facet Сенсоэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70860
citation_txt Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT bajdullaevaa sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte
AT vlasenkoai sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte
AT lomovcevav sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte
AT mozolʹpe sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte
first_indexed 2025-07-05T20:00:05Z
last_indexed 2025-07-05T20:00:05Z
_version_ 1836838400526647296
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 3 36 ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Ðåçóëüòàòû ðàáîòû ìîãóò áûòü èñ- ïîëüçîâàíû äëÿ ïîëó÷åíèÿ íîâûõ ìà- òåðèàëîâ è äëÿ ñîçäàíèÿ ïåðåêëþ÷àþ- ùèõ ýëåìåíòîâ ñ ïàìÿòüþ. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ñîåäèíåíèÿ À2Â6 è èõ òâåð- äûå ðàñòâîðû èñïîëüçóþòñÿ äëÿ èçãîòîâëåíèÿ ñîë- íå÷íûõ ýëåìåíòîâ, äåòåêòîðîâ ðàäèàöèîííûõ èçëó- ÷åíèé è ÈÊ-ïðèáîðîâ, êîòîðûå øèðîêî ïðèìåíÿþò- ñÿ â ìèðíîé, âîåííîé è êîñìè÷åñêîé òåõíèêå.  ñâÿ- çè ñ ðàñøèðåíèåì äèàïàçîíà ïðèìåíåíèÿ ýòèõ ïðè- áîðîâ ðåçêî âîçðàñòàåò òðåáîâàíèå ê èõ ýôôåêòèâ- íîñòè è íàäåæíîñòè, ÷òî, â ñâîþ î÷åðåäü, ñòèìóëèðóåò ñîâåðøåíñòâîâàíèå ñóùåñòâóþùèõ ïðèáîðîâ, ïîèñê íîâûõ ïðèíöèïîâ èõ ðàáîòû è íîâûõ ìàòåðèàëîâ. Îäíèì èç ýôôåêòèâíûõ è äåøåâûõ ìåòîäîâ ïî- ëó÷åíèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ ñ çàäàí- íûìè ñâîéñòâàìè è çàùèòíûìè ïîêðûòèÿìè îò êîð- ðîçèè ÿâëÿåòñÿ ëàçåðíàÿ îáðàáîòêà èõ ïîâåðõíîñ- òè. Ïðåèìóùåñòâà ëàçåðíûõ ñïîñîáîâ îáðàáîòêè ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ (ëîêàëüíîñòü, �òåõ- íîëîãè÷åñêàÿ� ÷èñòîòà, áûñòðîòà è âîñïðîèçâîäè- ìîñòü) îáóñëàâëèâàþò ïåðñïåêòèâíîñòü ïðèìåíåíèÿ ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ äëÿ èçìåíåíèÿ ôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ è ñòðóêòóðû ìàòåðèàëîâ ñ öåëüþ èçãîòîâëå- íèÿ ð�n-ïåðåõîäîâ, ìàòðèö äèîäíûõ ýëåìåíòîâ, îìè- ÷åñêèõ êîíòàêòîâ è ò. ä. Ëàçåðíàÿ îáðàáîòêà ïîëóïðîâîäíèêîâ À2Â6, â ÷àñòíîñòè, CdTe, ïðèâîäèò ê ãåíåðàöèè ñîáñòâåííûõ äåôåêòîâ â ïðèïîâåðõíîñòíîé îáëàñòè êðèñòàëëà è îáðàçîâàíèþ ïëåíêè Òå íà åãî ïîâåðõíîñòè, òåì ñà- ìûì ñîçäàâàÿ íà ïîâåðõíîñòè êðèñòàëëà äâóõ- èëè òðåõñëîéíûå ñòðóêòóðû � â çàâèñèìîñòè îò òèïà ïðîâîäèìîñòè èñõîäíîãî ìàòåðèàëà [1�3].  ñâÿçè ñ ýòèì âàæíî èññëåäîâàòü ôóíêöèîíàëüíûå õàðàê- òåðèñòèêè òàêèõ ñòðóêòóð ñ öåëüþ èõ èñïîëüçîâà- íèÿ äëÿ ýëåìåíòíîé áàçû â ìèêðî- è îïòîýëåêòðîíè- êå.  äàííîé ðàáîòå ïðèâåäåíû ðåçóëüòàòû èññëåäî- âàíèé ýôôåêòà ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ýëåêòðè÷åñêîé ïà- ìÿòüþ â òåëëóðèäå êàäìèÿ ïðè òåìïåðàòóðå 300 Ê, ïðîÿâëÿþùåãîñÿ ïîñëå îáëó÷åíèÿ êðèñòàëëîâ èì- ïóëüñàìè èçëó÷åíèÿ ëàçåðà. Èññëåäîâàíèÿ ïðîâåäåíû íà ìîíîêðèñòàëëàõ n- CdTe, ëåãèðîâàííûõ èíäèåì, è ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåíêàõ ð�CdTe. Îáðàçöû n- è ð-òèïîâ CdTe áûëè âûñîêîîìíûìè. Óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå (ρ) êðèñ- òàëëîâ n-CdTe â çàâèñèìîñòè îò êîíöåíòðàöèè ëå- ãèðóþùèõ ïðèìåñåé èíäèÿ ñîñòàâëÿëè 105� 109 Îì·ñì, à ïëåíîê ð-CdTe �1012 Îì·ñì. Îáðàçöû îáëó÷àëèñü èìïóëüñàìè èçëó÷åíèÿ ðóáèíîâîãî ëà- çåðà, ðàáîòàþùåãî â ðåæèìå ìîäóëèðîâàííîé äîá- ðîòíîñòè, äëèòåëüíîñòüþ èìïóëüñà 2·10�8 ñ. Îáëó÷å- íèå ïðîâîäèëîñü ïðè êîìíàòíîé òåìïåðàòóðå ñ ïëîò- íîñòüþ ìîùíîñòè èçëó÷åíèÿ íèæå ïîðîãà ðàçðóøå- íèÿ ìàòåðèàëà. Ïîñëå îáëó÷åíèÿ îáðàçóåòñÿ ãåòåðîñòðóêòóðà CdTe�Te, î ÷åì ñâèäåòåëüñòâóþò äàííûå ïî ñïåêò- ðó êîìáèíàöèîííîãî ðàññåÿíèÿ ñâåòà. Òîëùèíà ñëîÿ Òå âàðüèðîâàëàñü (â îñíîâíîì, â çàâèñèìîñòè îò ìîù- íîñòè ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ [1�3]) â ïðåäåëàõ ~10� 300 Å. Êîíòàêòû íàïûëÿëèñü êàê ñî ñòîðîíû CdTe, òàê è ñî ñòîðîíû ñëîÿ Òå.  êà÷åñòâå êîíòàêòîâ ñî ñòîðîíû n-CdTe èñïîëüçîâàëñÿ ñëîé èíäèÿ, â ñëó÷àå p-CdTe ñíà÷àëà îñàæäàëè ìåäü, çàòåì íàíîñèëè èí- äèé. Èçâåñòíî, ÷òî òåëëóð èìååò âñåãäà ð-òèï ïðîâî- äèìîñòè [4], ïîýòîìó ñî ñòîðîíû Òå íàïûëÿëñÿ ýëåê- òðîä èç ñïëàâà (50% Pb + 50%Sn). Íà ðèñóíêå ïðèâåäåíû âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòå- ðèñòèêè (ÂÀÕ) ïðè òåìïåðàòóðå 300 Ê ñòðóêòóð, ïîëó÷åííûõ â ðåçóëüòàòå ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ ñ ïëîòíîñòüþ ìîùíîñòè 8 ÌÂò/ñì2. Õàðàêòåðíîé îñî- áåííîñòüþ ñòðóêòóðû ÿâëÿåòñÿ òî, ÷òî äëÿ CdTe:In ñ ρ~105 Îì·ñì ïðè ïðèëîæåíèè íàïðÿæåíèÿ 0,3  â ïðÿìîì ñìåùåíèè ïðîèñõîäèò ïåðåêëþ÷åíèå ãåòåðî- ñòðóêòóðû èç âûñîêîîìíîãî 1 â íèçêîîìíîå ñîñòîÿ- íèå 2 (ñì. ðèñ., à). Ïðè ýòîì ñîïðîòèâëåíèå ñòðóêòó- ðû ïàäàåò äî äåñÿòêîâ Îì.  ñâÿçè ñ ýòèì âî èçáå- æàíèå ïðîáîÿ ñòðóêòóðû In�CdTe � Te � (Pb+Bi) çíà÷åíèå òîêà îãðàíè÷èâàëîñü íàãðóçî÷íûì ñîïðî- òèâëåíèåì. Äëÿ CdTe:In ñ ρ~109 Îì·ñì ïåðåêëþ÷å- íèå èç ñîñòîÿíèå 1 â 2 ïðîèñõîäèò ïðè Uï=1,4  (ðèñ., á). Ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ íàáëþäàåòñÿ êàê â òîëñòûõ (d=2 ìì) êðèñòàëëàõ n-CdTe, òàê è â òîíêèõ ïëåíêàõ (d=100 ìêì) ð-CdTe. Õîä ÂÀÕ ð- CdTe òàêîé æå, êàê è äëÿ CdTe:In, à çíà÷åíèÿ ïîðî- ãîâûõ íàïðÿæåíèé è òîêà ñîñòàâëÿþò 200  è 1 À (ðèñ., â). Íèçêîîìíîå ñîñòîÿíèå âî âñåõ ñòðóêòóðàõ ñî- õðàíÿåòñÿ â òå÷åíèå íåñêîëüêèõ ìåñÿöåâ ïðè íóëå- âîì ñìåùåíèè è ìîæåò áûòü âîçâðàùåíî â âûñîêî- îìíîå ñîñòîÿíèå ïðè ïðèëîæåíèè îáðàòíîãî ñìåùå- Ê. ô.-ì. í. À. ÁÀÉÄÓËËÀÅÂÀ, ä. ô.-ì. í. À. È. ÂËÀÑÅÍÊÎ, À. Â. ËÎÌÎÂÖÅÂ, ä. ô.-ì. í. Ï. Å. ÌÎÇÎËÜ Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Èí-ò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ ÍÀÍÓ E-mail: baidulla@class.semicond.kiev.ua ÑÎÇÄÀÍÈÅ ÏÅÐÅÊËÞ×ÀÞÙÈÕ ÝËÅÌÅÍÒÎÂ Ñ ÏÀÌßÒÜÞ ÍÀ ÎÑÍÎÂÅ ÊÐÈÑÒÀËËΠCdTe Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 30.01 2001 ã. Îïïîíåíò ä. ò. í. Ë. À. ÊÀÐÀ×ÅÂÖÅÂÀ Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 3 37 ÑÅÍÑÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ íèÿ. Õàðàêòåðèñòèêà "òîê�íàïðÿæåíèå" íèçêîîìíî- ãî ñîñòîÿíèÿ ëèíåéíàÿ. Âûñîêîîìíîå ñîñòîÿíèå ñòàáèëüíî è ñîõðàíÿåòñÿ áåñêîíå÷íî äîëãî ïðè íó- ëåâîì ñìåùåíèè. Îäíèì èç ïàðàìåòðîâ, õàðàêòåðèçóþùèõ ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ, ÿâëÿåòñÿ âðåìÿ ïåðåêëþ÷åíèÿ.  íà- øèõ ñòðóêòóðàõ âðåìÿ ïåðåêëþ÷åíèÿ ñîñòàâëÿåò 10� 100 íñ. Àíàëèç ÂÀÕ ïîêàçûâàåò, ÷òî èñõîäíûå êðèñòàë- ëû èìåþò ëèíåéíóþ çàâèñèìîñòü òîêà îò ïðèëîæåí- íîãî íàïðÿæåíèÿ. Ïîýòîìó âàæíî âûÿñíèòü, ñ ÷åì (îáúåìîì èëè ïîâåðõíîñòüþ) ñâÿçàíû ïðîöåññû, âûçûâàþùèå ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ â CdTe ïîñëå ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ. Ñ ýòîé öåëüþ îáëó÷åííûå îáðàçöû ïðîìûâàëèñü â ðàñòâîðå 1í ÊÎÍ â ìåòàíîëå, ò. å. ñ ïîâåðõíîñòè îáðàçöîâ óäàëÿëñÿ ñëîé Òå, îáðàçóþùèéñÿ â ðåçóëüòàòå ëàçåðíîãî îáëó- ÷åíèÿ [2]. Èññëåäîâàíèå ÂÀÕ îáðàçöîâ ïîêàçàëî, ÷òî ïîñëå ñìûâêè ñëîÿ Òå ïîëíîñòüþ èñ÷åçàåò ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ. Ýòî ñâèäåòåëüñòâóåò î òîì, ÷òî ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ ñâÿçàí èìåííî ñ îáðàçîâàíèåì íà ïîâåðõíîñòè CdTe òîíêîé ïëåíêè Òå â ðåçóëüòàòå ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ. Òàêîé æå ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ è ýëåêòðè÷åñêîé ïàìÿòè â êðèñòàëëàõ CdTe íàáëþäàëñÿ â ðàáîòå [5]. Õîä ÂÀÕ ñîîòâåòñòâîâàë ìîíîñòàáèëüíîìó ïå- ðåêëþ÷åíèþ, è ïîâòîðíîå ïåðåêëþ÷åíèå ïðîèñõîäè- ëî ïðè êðàòêîâðåìåííîì õèìè÷åñêîì òðàâëåíèè îá- ðàçöîâ. Ïîýòîìó ïðåäïîëàãàåì, ÷òî è â ýòîì ñëó÷àå ýôôåêò ïåðåêëþ÷åíèÿ îáóñëîâëåí ñëîåì Òå, ïîñêîëü- êó ïîñëå õèìè÷åñêîãî òðàâëåíèÿ ïîñëåäíèé ïðèñóò- ñòâóåò íà ïîâåðõíîñòè êðèñòàëëà [6]. Î÷åâèäíî, ÷òî ïðåäëàãàåìàÿ íàìè â ýòîé ðàáîòå ìåòîäèêà ïîëó÷å- íèÿ ñòðóêòóð ñî ñâîéñòâîì ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿ- òüþ äîñòàòî÷íî ïðîñòà è íàäåæíà. Ìåõàíèçìû ýôôåêòà ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ òðåáóþò ñïåöèàëüíîãî èññëåäîâàíèÿ. Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè ÑdTe n- è ð-òèïîâ ïðîâîäèìîñòè ïðè 300 Ê: à � n-CdTe ñ ρ =105 Îì·ñì; á � n-CdTe ñ ρ=109 Îì·ñì, â � p-CdTe Òàêèì îáðàçîì, ïîñëå ëàçåðíîãî îáëó÷åíèÿ èñ- õîäíîãî CdTe, íåçàâèñèìî îò òèïà ïðîâîäèìîñòè è êðèñòàëëè÷åñêîé ñòðóêòóðû, îáðàçóåòñÿ ãåòåðîñòðóê- òóðà CdTe�Te, êîòîðàÿ îáëàäàåò ñâîéñòâîì ïåðå- êëþ÷åíèÿ ñ ïàìÿòüþ. Ïðè íóëåâîì ñìåùåíèè ýëåêò- ðè÷åñêàÿ ïàìÿòü ñîõðàíÿåòñÿ â òå÷åíèå íåñêîëüêèõ ìåñÿöåâ. Ðåçóëüòàòû äàííîé ðàáîòû ìîãóò áûòü èñïîëüçî- âàíû êàê äëÿ ïîëó÷åíèÿ íîâûõ ìàòåðèàëîâ, òàê è äëÿ ñîçäàíèÿ ïåðåêëþ÷àþùèõ ýëåìåíòîâ ñ ïàìÿòüþ íà îñíîâå CdTe ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Àðòàìîíîâ Â. Â., Áàéäóëëàåâà À., Âàëàõ Ì. ß. è äð. Ñòèìóëèðîâàííîå ëàçåðíûì èçëó÷åíèåì èçìåíåíèå ñâîéñòâ ïðèïîâåðõíîñòíîé îáëàñòè êðèñòàëëîâ À2Â6 // Èçâ. ÀÍ ÑÑÑÐ, ñåð. Ôèçè÷åñêàÿ.� 1988.� Ò. 52, ¹ 6.� Ñ. 1831�1838. 2. Áàéäóëëàåâà À., Âëàñåíêî À. È., Ãíàòþê Â. À. è äð. Ôîòîýëåêòðè÷åñêèå ñâîéñòâà ïëåíîê òåëëóðèäà êàäìèÿ, ïîäâåðãíóòûõ ëàçåðíîìó îáëó÷åíèþ // Ôèçèêà è òåõíè- êà ïîëóïðîâîäíèêîâ.� 1993.� Ò. 27, âûï. 1.� Ñ. 56 �59. 3. Áàáåíöîâ Â. Í., Áàéäóëëàåâà À., Âëàñåíêî À. È. è äð. Ìåõàíèçìû îáðàçîâàíèÿ íàðóøåííîãî ñëîÿ â ð-CdTe ïîä äåéñòâèåì ëàçåðíûõ èìïóëüñîâ íàíîñåêóíäíîé äëè- òåëüíîñòè // Òàì æå.� 1993.� Ò. 27, âûï. 10. � Ñ. 1618 � 1623. 4. ×èæèêîâ Ä. Ì., Ñ÷àñòëèâûé Â. Ï. Òåëëóð è òåë- ëóðèäû.� Ì.: Íàóêà, 1966. 5. Äûìêî Ë. Í., Êèöà Ì. Ñ., Ëèõîáàáèí Í. Ï. Èñ- ñëåäîâàíèå ýôôåêòà ïåðåêëþ÷åíèÿ â ìîíîêðèñòàëëàõ CdTe // Ôèçè÷åñêàÿ ýëåêòðîíèêà (Ëüâîâ).� 1987.� ¹ 34.� C. 33�36. 6. Amirtharaj P. M., Pollak P. H. Raman slattering study of the properties and removal of excess Te on CdTe surfaces // Apll. Phys. Lett.� 1984.� Vol. 45, N 7.� Ð. 789�791. �1,6 �0,8 0 0,8 U,  I, ìÀ 400 200 �200 �400 1 2 1 2 I, ìÀ 40 20 �20 �40 �0,2 0 0,2 U,  1 2 1 2 à) á) �100 0 100 U,  I, ìÀ 1,0 0,5 �0,5 �1,0 2 1 2 1 â)

Схожі ресурси