Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe - Байдуллаева, А.; Власенко, А.И.; Ломовцев, А.В.; Мозоль, П.Е. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.