Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров
Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние переключения датчиков приближения в 2–3 раза. На изогнутых ИБС реализуются дат...
Saved in:
| Date: | 2001 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70880 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров / О.Н. Негоденко, В.И. Семенцов, Ю.П. Мардамшин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 53-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |