Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов - Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Гнатюк, В.А.; Смирнов, А.Б.; Курило, И.В.; Рудый, И.А.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.