Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70962 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-709622014-11-19T03:01:47Z Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия Иващук, А.В. Технология производства Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass. 2000 Article Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962 621.382.002 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Иващук, А.В. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. |
| format |
Article |
| author |
Иващук, А.В. |
| author_facet |
Иващук, А.В. |
| author_sort |
Иващук, А.В. |
| title |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_short |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_full |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_fullStr |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_full_unstemmed |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| title_sort |
тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962 |
| citation_txt |
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT ivaŝukav teplovyerežimyformirovaniâomičeskihkontaktovkarsenidugalliâ |
| first_indexed |
2025-07-05T20:03:59Z |
| last_indexed |
2025-07-05T20:03:59Z |
| _version_ |
1836838645376483328 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6 43
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
21.07 2000 ã.
Îïïîíåíò ê. ô.-ì. í. Å. Ì. ÑÅÌÀØÊÎ
ÒÅÏËÎÂÛÅ ÐÅÆÈÌÛ ÔÎÐÌÈÐÎÂÀÍÈß
ÎÌÈ×ÅÑÊÈÕ ÊÎÍÒÀÊÒÎÂ Ê ÀÐÑÅÍÈÄÓ ÃÀËËÈß
À. Â. ÈÂÀÙÓÊ
Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Íàó÷.-ïðîèçâîäñòâ. ïðåäïðèÿòèå
"Ñàòóðí"
Ïðåäëîæåíû óñòðîéñòâî äëÿ òåðìî-
îáðàáîòêè ïëàñòèí è òåïëîâûå ðåæè-
ìû âïëàâëåíèÿ îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ
ê n-GaAs ñ ó÷åòîì âëèÿíèÿ ìàññû îá-
ðàçöà.
 ïîäàâëÿþùåì áîëüøèíñòâå ñâåðõ÷óâñòâèòåëü-
íûõ ïðèåìíûõ è ïðèåìíî-ïåðåäàþùèõ ñèñòåì ñ íèç-
êèì è ñâåðõíèçêèì óðîâíåì øóìîâ â íàñòîÿùåå âðå-
ìÿ èñïîëüçóþòñÿ ïîëåâûå òðàíçèñòîðû ñ áàðüåðîì
Øîòòêè (ÏÒØ) íà GaAs, òðàíçèñòîðû ñ âûñîêîé
ïîäâèæíîñòüþ ýëåêòðîíîâ íà ãåòåðîñòðóêòóðàõ À3Â5
ñàìûõ ðàçíîîáðàçíûõ êîíñòðóêöèé èëè ìîíîëèòíûå
èíòåãðàëüíûå ñõåìû (ÌÈÑ) íà èõ îñíîâå, â êîòî-
ðûõ êà÷åñòâî îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ (ÎÊ) ÿâëÿåòñÿ
îäíèì èç îñíîâíûõ ôàêòîðîâ, îïðåäåëÿþùèõ ÑÂ×-
ïàðàìåòðû ïðèáîðîâ è èõ ýêñïëóàòàöèîííûå õàðàê-
òåðèñòèêè. Ïîýòîìó âîïðîñû ñîâåðøåíñòâîâàíèÿ
òåõíîëîãèè ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ ðàçðàáîò÷èêè òðàí-
çèñòîðîâ íèêîãäà íå îáäåëÿëè âíèìàíèåì.
Èç àíàëèçà, ïðîâåäåííîãî â ðàáîòàõ [1, 2], ñëåäó-
åò, ÷òî äëÿ ðåàëèçàöèè âûñîêîêà÷åñòâåííîãî ñïëàâ-
íîãî îìè÷åñêîãî êîíòàêòà íåîáõîäèìî îáåñïå÷èòü
ìàêñèìàëüíî âîçìîæíîå ðàâíîìåðíîå ñìà÷èâàíèå ïî-
âåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêà ðàñïëàâîì AuGe. Ïðî-
ïëàâëåíèå ïîëóïðîâîäíèêà äîëæíî áûòü íåãëóáî-
êèì è ðàâíîìåðíûì, à ðåêðèñòàëëèçàöèÿ èç ðàñïëàâà
� áûñòðîé. Âñå âìåñòå ýòî ãàðàíòèðóåò îáðàçîâà-
íèå íà ãðàíèöå "ìåòàëë�ïîëóïðîâîäíèê" òîíêîãî
âûñîêîëåãèðîâàííîãî ñëîÿ GaAs [3, 4] è èñêëþ÷å-
íèå ìèêðîêîàëåñöåíöèè òîíêèõ ïëåíîê ïðè ôîðìèðî-
âàíèè êîíòàêòà [5]. Â ñâÿçè ñ ýòèì âîçíèêàåò íåîá-
õîäèìîñòü èññëåäîâàíèÿ âëèÿíèÿ íà êà÷åñòâî ÎÊ
öåëîãî ðÿäà òåõíîëîãè÷åñêèõ ôàêòîðîâ, â òîé èëè
èíîé ìåðå ñâÿçàííûõ ñ ïðîöåññîì òåðìîîáðàáîòêè.
Ðåçóëüòàòû èññëåäîâàíèÿ âëèÿíèÿ òåìïåðàòóðíûõ
ðåæèìîâ îáðàáîòêè íà ïàðàìåòðû ÎÊ ðàíåå íàìè
áûëè ïðåäñòàâëåíû â ðàáîòàõ [6, 7]. Â äàííîé ðàáîòå
îïèñàíî óñòðîéñòâî äëÿ òåðìîîáðàáîòêè îáðàçöîâ, ïî-
çâîëÿþùåå îïòèìèçèðîâàòü ïðîöåññû ðåêðèñòàëëèçà-
öèè â îìè÷åñêèõ êîíòàêòàõ, à òàêæå ðàññìîòðåíî âëè-
ÿíèå ìàññû îáðàçöà íà ïðîöåññ ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ.
Îáðàçöû
Èçâåñòíî, ÷òî íàèáîëåå ÷óâñòâèòåëüíû ê òåõíî-
ëîãèè ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ ýïèòàêñèàëüíûå ñòðóêòó-
ðû (ÝÑ) GaAs ñ íèçêîé (Nd~ 1·10
16�1·1017 ñì�3)
êîíöåíòðàöèåé äîíîðîâ [7]. Ïîýòîìó â äàííîé ðàáî-
òå äëÿ èññëåäîâàíèé èñïîëüçîâàëèñü ÝÑ GaAs ñ
Nd~ 1·10
17 cì�3, ò. ê. ÝÑ ñ áîëåå íèçêîé êîíöåíòðà-
öèåé ïðè èçãîòîâëåíèè ÑÂ× ÏÒØ îáû÷íî íå ïðè-
ìåíÿþòñÿ. Òîëùèíà ýïèòàêñèàëüíîãî ñëîÿ ñîñòàâëÿ-
ëà ~0,3 ìêì.
Ïåðåä íàíåñåíèåì ìåòàëëèçàöèè îáðàçöû ïðîòðàâ-
ëèâàëèñü â àììèà÷íî-ïåðåêèñíîì òðàâèòåëå. Èñïîëü-
çîâàëàñü ìåòàëëèçàöèÿ äâóõ òèïîâ: 1) AuGe (50 íì)
� Au (250 íì); 2) AuGe (50 íì) � Ni (20 íì) �
Au (200 íì). Óñëîâèÿ íàíåñåíèÿ ìåòàëëèçàöèè áî-
ëåå äåòàëüíî îïèñàíû â ðàáîòàõ [7�9]. Ôîðìèðî-
âàíèå îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ îñóùåñòâëÿëîñü â ïå÷è
â àòìîñôåðå ñóõîãî âîäîðîäà (òî÷êà ðîñû íèæå
�60îÑ).
Óñòðîéñòâî äëÿ òåðìîîáðàáîòêè
Ïîìèìî òî÷íîñòè ïîääåðæàíèÿ çàäàííûõ ðåæè-
ìîâ â ïðîöåññå òåðìîîáðàáîòêè (òåìïåðàòóðû, âðå-
ìåíè, ñîñòàâà ãàçîâîé ñðåäû è ò. ä.), âàæíûìè ïàðà-
ìåòðàìè, îêàçûâàþùèìè âëèÿíèå íà ïðîöåññû ôîð-
ìèðîâàíèÿ ãðàíèöû ðàçäåëà "ìåòàëë�ïîëóïðîâîä-
íèê", ÿâëÿþòñÿ ñêîðîñòè íàãðåâà è îõëàæäåíèÿ îá-
ðàçöà. Äëÿ íàèëó÷øåãî óäîâëåòâîðåíèÿ âñåõ òðåáî-
âàíèé ê óñëîâèÿì ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ áûëî ðàçðàáî-
òàíî è èçãîòîâëåíî ñïåöèàëüíîå óñòðîéñòâî, ñõåìà-
òè÷åñêè ïðåäñòàâëåííîå íà ðèñ. 1. Óñòðîéñòâî îáåñ-
ïå÷èâàëî ïîäúåì òåìïåðàòóðû îáðàçöîâ ñî ñêîðîñ-
Ç
îí
à
í
àã
ðå
âà
Ï
îä
ïî
ðí
àÿ
ç
îí
à
Ç
îí
à
î
õë
àæ
äå
íè
ÿ
Ðèñ. 1. Óñòðîéñòâî äëÿ òåðìîîáðàáîòêè:
1 � ìàíèïóëÿòîðû; 2 � ñòîëèê èç ìåäè; 3 � ïëàñòèíà GaAs;
4 � òðàíñïîðòíàÿ êàññåòà; 5 � òåðìîïàðà; 6 � êâàðöåâàÿ òðóáà
3 4 5 6
N2
Ï
îä
ïî
ðí
àÿ
ç
îí
à
1
2
1
H2
Î
òð
àá
îò
àí
íû
é
ãà
ç
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6
44
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
òüþ 50�60oC/ñ, ïî÷òè ñ òàêîé æå ñêîðîñòüþ îá-
ðàçöû îõëàæäàëèñü. Äëÿ äîñòèæåíèÿ áûñòðîãî íà-
ãðåâà è îõëàæäåíèÿ ïëàñòèí èñïîëüçîâàëèñü ìàíè-
ïóëÿòîðû, óïðàâëåíèå êîòîðûìè îñóùåñòâëÿëîñü çà
ïðåäåëàìè çîíû íàãðåâà. Ïîñêîëüêó ýòî ïðèâîäèëî
ê ðàçãåðìåòèçàöèè ðàáî÷åãî îáúåìà, äëÿ ïðåäîòâðà-
ùåíèÿ íàòåêàíèÿ âîçäóõà â çîíó íàãðåâà â ðàáî÷åì
îáúåìå ñîçäàâàëîñü íåáîëüøîå èçáûòî÷íîå äàâëå-
íèå âîäîðîäà (Ð~1,15�1,20 àòì). (Ýòî ãàðàíòèðî-
âàëî òàêæå áåçîïàñíûå óñëîâèÿ ðàáîòû.) Çàãðóçêà
è âûãðóçêà ïëàñòèí îñóùåñòâëÿëèñü ïîñëå äîñòà-
òî÷íîé ïðîäóâêè ðàáî÷åãî îáúåìà ñóõèì àçîòîì.
Äëÿ ëó÷øåãî âûðàâíèâàíèÿ òåìïåðàòóðû â çîíå
íàãðåâà ïî áîêàì çîíû ôîðìèðîâàëèñü òàê íàçûâàå-
ìûå ïîäïîðíûå çîíû, â êîòîðûõ òåìïåðàòóðà áûëà
íà 30�50îÑ íèæå òåìïåðàòóðû ðàáî÷åé çîíû.
Ïîñëå ïðîãðåâà ïëàñòèíà âûãðóæàëàñü òûëüíîé
ñòîðîíîé íà ìåòàëëè÷åñêèé ñòîëèê èç ìåäè ìàññîé
íå ìåíåå 100 ã ñ çåðêàëüíîé ïîâåðõíîñòüþ äëÿ îáåñ-
ïå÷åíèÿ õîðîøåãî òåïëîâîãî êîíòàêòà. Òåìïåðàòóðà
ìåòàëëè÷åñêîãî ñòîëèêà ñîñòàâëÿëà ~50�60îÑ, ÷òî
äàâàëî âîçìîæíîñòü îõëàæäàòü ïëàñòèíó ñî ñêîðîñ-
òüþ 30�40îC/ñ. Ïðè ýòîì îòáîð òåïëà îò ðàñïëàâ-
ëåííîé îáëàñòè íà ãðàíèöå ðàçäåëà "ìåòàëë�ïîëó-
ïðîâîäíèê" îñóùåñòâëÿëñÿ, â îñíîâíîì, ÷åðåç ïîä-
ëîæêó. Ýòî ñîçäàâàëî óñëîâèÿ äëÿ ðàâíîìåðíîé
êðèñòàëëèçàöèè è óëó÷øåíèÿ ìîðôîëîãèè ÎÊ [10].
Òèïè÷íûé òåìïåðàòóðíûé ðåæèì âïëàâëåíèÿ ÎÊ
ñ ïîìîùüþ îïèñàííîãî óñòðîéñòâà ïðåäñòàâëåí íà
ðèñ. 2. Êàê è îæèäàëîñü, íà ìåòàëëè÷åñêîì ñòîëèêå
ïëàñòèíà îõëàæäàåòñÿ áûñòðåå.
Èññëåäîâàíèå îáðàçöîâ
Íà pèñ. 3 ïðåäñòàâëåíû òåìïåðàòóðíûå çàâèñè-
ìîñòè óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ (ρñ )
ÎÊ ñ äâóìÿ òèïàìè ìåòàëëèçàöèè ïðè âðåìåíè âïëàâ-
ëåíèÿ 30 ñ (ïëàñòèíû äèàìåòðîì 40 ìì).
Äëÿ ÎÊ ñ ìåòàëëèçàöèåé AuGe�Ni�Au íàèìåíü-
øåå çíà÷åíèå ρñ, ðàâíîå 3,3·10�6 Îì·ñì2, äîñòèãàåòñÿ
ïðè òåìïåðàòóðå âïëàâëåíèÿ 435îÑ, à äëÿ ìåòàëëè-
çàöèè AuGe�Au íàèìåíüøåå çíà÷åíèå ρñ, ðàâíîå
6,0·10�6 Îì·ñì2, ïîëó÷åíî ïðè òåìïåðàòóðå 425îÑ.
Íåêîòîðûé ñäâèã îïòèìàëüíîé òåìïåðàòóðû âïëàâ-
ëåíèÿ â ñòîðîíó óâåëè÷åíèÿ äëÿ ÎÊ, â ìåòàëëèçà-
öèè êîòîðûõ ïðèñóòñòâóåò íèêåëü, îáúÿñíÿåòñÿ èìåí-
íî ðîëüþ ýòîãî ìåòàëëà â ôîðìèðîâàíèè êîíòàêòîâ
[1, 3].
 ïðîöåññå îïòèìèçàöèè ðåæèìîâ òåðìîîáðàáîò-
êè áûëî òàêæå óñòàíîâëåíî, ÷òî îïòèìàëüíûå âðåìÿ
è òåìïåðàòóðà âïëàâëåíèÿ ÎÊ çàâèñÿò îò ìàññû ïëà-
ñòèíû, íà ÷òî àâòîðû öåëîãî ðÿäà ðàáîò [1, 2, 11] äî
íàñòîÿùåãî âðåìåíè íå îáðàùàëè âíèìàíèÿ. Îáû÷-
íî â ïðîèçâîäñòâå ÑÂ× ÏÒØ è äðóãèõ ïîëóïðî-
âîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ èñïîëüçóþòñÿ ïëàñòèíû äèà-
ìåòðîì 40, 50, 60 èëè 76 ìì. Ñðåäíÿÿ ìàññà òàêèõ
ïëàñòèí ñîñòàâëÿåò ñîîòâåòñòâåííî 2,60�2,75, 5,40�
5,60 è 8,50�9,00 ã (ðåæèìû ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ íà
ïëàñòèíàõ äèàìåòðîì 76 ìì â äàííîé ðàáîòå íå èñ-
ñëåäîâàëèñü). Ïîýòîìó çàêîíîìåðíî, ÷òî èç-çà èíåð-
öèîííîñòè ïðîãðåâà ïîëóïðîâîäíèêà íà ïëàñòèíàõ
ðàçíûõ ðàçìåðîâ íåîáõîäèìû ðàçíûå ðåæèìû òåð-
ìîîáðàáîòêè äëÿ äîñòèæåíèÿ ìèíèìàëüíûõ çíà÷å-
íèé ρñ.
Íà ðèñ. 4 ïðåäñòàâëåíû çàâèñèìîñòè ρñ îò âðå-
ìåíè òåðìîîáðàáîòêè ïðè òåìïåðàòóðå 435îÑ äëÿ
ÎÊ, ñôîðìèðîâàííûõ íà ïëàñòèíàõ ðàçíîãî äèàìåò-
ðà. Â ýòèõ ýêñïåðèìåíòàõ èñïîëüçîâàëàñü òîëüêî
ìåòàëëèçàöèÿ AuGe�Ni�Au. Èññëåäîâàíèÿ ïîêà-
çûâàþò, ÷òî îïòèìàëüíîå âðåìÿ òåðìîîáðàáîòêè, îï-
ðåäåëåííîå ïî ìèíèìóìó ρñ, äëÿ ïëàñòèí ∅40 ìì
ñîñòàâëÿåò 30 ñ, äëÿ ïëàñòèí ∅50 ìì � 45 ñ è äëÿ
ïëàñòèí ∅60 ìì � 60 ñ. Ýòè ðåæèìû áûëè ðåêî-
ìåíäîâàíû äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ â ïîëóïðîâîäíè-
êîâûõ ïðèáîðàõ (ÏÒØ è ÌÈÑ) ïðè èçãîòîâëåíèè
èõ íà ïëàñòèíàõ ðàçíîãî ðàçìåðà.
Ðèñ. 2. Òåìïåðàòóðíûé ðåæèì âïëàâëåíèÿ îìè÷åñêèõ
êîíòàêòîâ äëÿ ïëàñòèí äèàìåòðîì 40 ìì:
1 � îõëàæäåíèå íà ìåòàëëè÷åñêîì ñòîëèêå; 2 � îõëàæäåíèå
â ïîòîêå âîäîðîäà
°C
400
300
200
100
0 10 20 30 40 50 60 c
ÎõëàæäåíèåÂûäåðæêà
â çîíå
Í
àã
ðå
â 2
1
Ðèñ. 4. Çàâèñèìîñòü óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëå-
íèÿ ρñ ÎÊ, ñôîðìèðîâàííûõ íà ïëàñòèíàõ ðàçíîãî äèà-
ìåòðà, îò âðåìåíè òåðìîîáðàáîòêè ïðè òåìïåðàòóðå 435îÑ:
1 � äèàìåòð ïëàñòèíû 40 ìì; 2 � 50 ìì; 3 � 60 ìì
ρñ,
Îì·ñì2
10�5
10�6
10�7
0 20 40 60 ñ
1
2
3
Ðèñ. 3. Òåìïåðàòóðíûå çàâèñèìîñòè ρñ ÎÊ ñ äâóìÿ òè-
ïàìè ìåòàëëèçàöèè:
1 � AuGe�Au; 2 � AuGe�Ni�Au
ρc, Îì·ñì2
10�4
10�5
10�6
400 410 420 430 440 °Ñ
1
2
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 5�6 45
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Òàêèì îáðàçîì, îïèñàííîå óñòðîéñòâî äëÿ òåðìî-
îáðàáîòêè ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïëàñòèí îáåñïå÷è-
âàåò áûñòðûé íàãðåâ è îõëàæäåíèå îáðàçöîâ â âîñ-
ñòàíîâèòåëüíîé ñðåäå (âîäîðîäå), ÷òî ñîçäàåò íåîá-
õîäèìûå óñëîâèÿ äëÿ ðàâíîìåðíîé ðåêðèñòàëëèçà-
öèè è óëó÷øåíèÿ ìîðôîëîãèè ÎÊ â ïðîöåññå âïëàâ-
ëåíèÿ ìåòàëëèçàöèè. Ó÷åò çàâèñèìîñòè ðåæèìîâ òåð-
ìîîáðàáîòêè îò ìàññû ïëàñòèíû ïðè èçãîòîâëåíèè
ÑÂ× ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ (ÏÒØ, äèîäîâ,
ÌÈÑ) ïîçâîëÿåò îïòèìèçèðîâàòü òåõíîëîãè÷åñêèå
ïðîöåññû ôîðìèðîâàíèÿ ÎÊ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Piotrowska A., Guivac�h A., Pelous G. Ohmic
contacts to III�V compound semiconductors: A review
of fabrication techniques // Solid-St. Electron.� 1983.�
Vol. 26, N 3.� P. 179�197.
2. Êàãàíîâè÷ Ý. Á., Ñâåøíèêîâ Ñ. Â. Ïîëó÷åíèå îìè-
÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê ïîëóïðîâîäíèêîâûì ñîåäèíåíèÿì
À3Â5 (îáçîð) // Îïòîýëåêòðîíèêà è ïîëóïðîâîäíèêîâàÿ
òåõíèêà.� 1992.� Âûï. 22.� Ñ. 1�16.
3. Robinzon G. Y. Metallurgical and electrical cha-
racterization of metal-semiconductor contacts // Thin Solid
Films. � 1980. � Vol. 72, N 1. � P. 129�141.
4. Braslau M. Alloyed ohmic contacts to GaAs //
J. Vac. Sci. Technol.� 1981.�Vol. 19, N 3.� P. 803�807.
5. Áðÿíöåâà Ò. À., Ëàêàøèí Â. Â., Ëþá÷åíêî Â. Å.
Îñîáåííîñòè êîàëåñöåíöèè òîíêèõ ïëåíîê Au�Ge ïðè
ôîðìèðîâàíèè êîíòàêòîâ îãðàíè÷åííûõ ðàçìåðîâ // Ôè-
çèêà òâåðäîãî òåëà.� 1988.� Ò. 30, âûï. 3.�C. 645�
648.
6. Âîëîæåíèíîâ È. Î., Èâàùóê À. Â. Îïòèìàëüíûå
ðåæèìû òåðìîîáðàáîòêè îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê n-GaAs
// Ýëåêòðîííàÿ òåõíèêà. Ñåð. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ïðè-
áîðû.� 1981.� Âûï.5.� Ñ. 74�75.
7. ²âàùóê À. Â. Ôîðìóâàííÿ îì³÷íèõ êîíòàêò³â ç
îäíî÷àñíèì î÷èùåííÿì ïîâåðõí³ àðñåí³äó ãàë³þ ³ ¿¿ ëå-
ãóâàííÿì àòîìàìè ãåðìàí³þ // Íàóêîâ³ â³ñò³.� 2000.�
Âèï. 2.� Ñ. 5�8.
8. Ïàòåíò 16522 Óêðàèíû îò 29.08.97. Ñïîñ³á âèãî-
òîâëeííÿ ñòðóêòóð ïîëüîâèõ òðàíçèñòîð³â ç áàð�ºðîì
Øîòòê³ // Â. ². Áîñèé, A. B. ²âàùóê, Â. Ï. Êîõàí òà ³í.
9. Ïàòåíò 16341 Óêðàèíû îò 29.08.97. Âèïàðíèê äëÿ
íàïèëåííÿ ðå÷îâèíè â âàêóóì³ // À. Â. ²âàùóê, Â. Ã.
Êîðíóñ, Â. Ï. Êîõàí, Â. Ì. ßøíèê.
10. À. ñ. 299219 Óêðàèíû îò 1.08.1989. Ñïîñîá èçãî-
òîâëåíèÿ îìè÷åñêîãî êîíòàêòà ê ïîëóïðîâîäíèêîâîìó ñî-
åäèíåíèþ À3Â5 ñ ïðîâîäèìîñòüþ n-òèïà // Â. È. Áîñûé, À. Â.
Èâàùóê, Â. Ï. Êîõàí, Ì. À. Ñòîâïîâîé.
11. Êóðèí Â. Â., Êðàâ÷åíêî Ë. Í., Óðàëîâ À. À. è äð.
Ñâîéñòâà îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ ê àðñåíèäó ãàëëèÿ íà
îñíîâå ñèñòåì Au�Ge�Ni // Ýëåêòðîííàÿ ïðîìûøëåí-
íîñòü.� 1990.� ¹ 3.� Ñ. 30�32.
Ðåøàþòñÿ çàäà÷è ðàñïîçíàâàíèÿ òåê-
ñòóð è îáúåêòîâ íà ôîíå òåêñòóðû
ïðè êîíòðîëå ìàòåðèàëîâ è ïîâåðõíî-
ñòåé èçäåëèé ýëåêòðîííîé òåõíèêè.
Ñ ðîñòîì ñòåïåíè èíòåãðàöèè è ôóíêöèîíàëüíîé
ñëîæíîñòè ìèêðîñõåì ñòàíîâÿòñÿ æåñò÷å òðåáîâà-
íèÿ ê êîíòðîëþ ñîñòîÿíèÿ ìàòåðèàëîâ ýëåêòðîííîé
òåõíèêè. Ñîçäàíèå ñîâðåìåííûõ ÁÈÑ è ÑÁÈÑ, ëè-
íèé çàäåðæêè, ôèëüòðîâ òðåáóåò èñïîëüçîâàíèÿ íà-
äåæíûõ ñðåäñòâ êîíòðîëÿ êà÷åñòâà ìàòåðèàëîâ è
ïîâåðõíîñòåé èñõîäíûõ ïëàñòèí â ïðîöåññå èõ òåõ-
íîëîãè÷åñêîé îáðàáîòêè. Âìåñòå ñ òåì òðàäèöèîííî
èñïîëüçóåìûå â ïðîèçâîäñòâå ñïîñîáû êîíòðîëÿ
îñíîâûâàþòñÿ íà òðóäîåìêèõ è ñóáúåêòèâíûõ âè-
çóàëüíûõ ìåòîäàõ. Òàêèì îáðàçîì, îñòàåòñÿ àêòóàëü-
íîé çàäà÷à àâòîìàòèçàöèè âèçóàëüíîãî äåôåêòîñêî-
ïè÷åñêîãî êîíòðîëÿ ìàòåðèàëîâ ñ òåêñòóðèðîâàííîé
ÎÁÐÀÁÎÒÊÀ ÄÀÍÍÛÕ ÏÐÈ ÀÂÒÎÌÀÒÈÇÀÖÈÈ
ÄÅÔÅÊÒÎÑÊÎÏÈ×ÅÑÊÎÃÎ ÊÎÍÒÐÎËß
ÌÀÒÅÐÈÀËÎÂ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÒÅÕÍÈÊÈ
Ê. ò. í. Â. Í. ÊÐÛËÎÂ, ê. ò. í. Ñ. Ã. ÀÍÒÎÙÓÊ,
ê. ò. í. Ã. Þ. ÙÅÐÁÀÊÎÂÀ
Óêðàèíà, Îäåññêèé ïîëèòåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò
Ïî ìàòåðèàëàì äîêëàäà íà ÌÍÏÊ «Ñîâðå-
ìåííûå èíôîðìàöèîííûå è ýëåêòðîííûå
òåõíîëîãèè» («ÑÈÝÒ�2000»).�
23�26 ìàÿ 2000 ã., Îäåññà
ïîâåðõíîñòüþ ïóòåì ïðèìåíåíèÿ êîìïüþòåðíûõ ñè-
ñòåì îáðàáîòêè è àíàëèçà èçîáðàæåíèé.
Íåîáõîäèìîñòü â àâòîìàòèçàöèè âèçóàëüíîãî äåôåê-
òîñêîïè÷åñêîãî êîíòðîëÿ ìàòåðèàëîâ ñ òåêñòóðèðîâàííîé
ïîâåðõíîñòüþ âîçíèêàåò òàêæå â èññëåäîâàòåëüñêèõ ðà-
áîòàõ, íàïðèìåð, ïðè çàìåíå ïðèìåíÿåìûõ â ñîñòàâå ðåçè-
ñòèâíûõ ïàñò áëàãîðîäíûõ ìåòàëëîâ è èõ ñîåäèíåíèé
íîâûìè, áîëåå äåøåâûìè ìàòåðèàëàìè [1] (ðèñ. 1), ïðè
îáíàðóæåíèè äåôåêòîâ (äèñëîêàöèé íåñîîòâåòñòâèÿ) [2]
(ðèñ. 2), ïðè àíàëèçå ôîðì ïðîÿâëåíèÿ ýôôåêòîâ ðàññåÿ-
íèÿ â ïðîöåññå ôîðìèðîâàíèÿ ìàñîê [3] (ðèñ. 3) è ò. ä.
Ïðèâåäåííûå èçîáðàæåíèÿ ïëåíîê è ìàòåðèàëîâ îò-
íîñÿòñÿ ê òåêñòóðíûì, ò. å. èìåþò, â îñíîâíîì, ïîâòîðÿ-
þùóþñÿ ñòðóêòóðó. Èçîáðàæåíèÿ äåôåêòîâ (ïîð) íà
èçîáðàæåíèÿõ îáðàçöîâ òâåðäîãî ðàñòâîðà BaB6�LaB6
(ðèñ. 1, ï � ïîðû), äèñëîêàöèé íåñîîòâåòñòâèÿ íà ãðàíè-
öå ðàçäåëà (100)CdTe/(100)GaAs (ðèñ. 2), ôîðìû ïðî-
ÿâëåíèÿ ýôôåêòîâ ðàññåÿíèÿ âî âíóòðåííåé ÷àñòè ðåãó-
|