Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников - Вакив, Н.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000)
Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации их химического состава показано, что адекватная математическая модель для количественного описания деградации может быть развита на основе бимолекулярной релаксационной функции, описывающей процессы аннигиляции характерных для данных аморфных материалов координационных дефектов.