Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия

В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объясняющий зависимость формы пор от ориентации исходной подложки. В случае кристаллографической ориентации подл...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2010
Назва видання:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/72441
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 1. — С. 91-99. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-72441
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-724412014-12-24T03:01:53Z Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объясняющий зависимость формы пор от ориентации исходной подложки. В случае кристаллографической ориентации подложки (100) фосфида индия поры имеют форму, близкую к квадратной. Для образцов InP, полученных на подложках с кристаллографической ориентацией (111), система пор имеет сложный характер: поры неравномерно разбросаны по поверхности и имеют треугольную форму. У даній роботі досліджено вплив кристалографічної орієнтації підложжя фосфіду індію на формування поруватої поверхні. Запропоновано ефективний механізм пороутворення, що пояснює залежність форми пор від орієнтації підложжя. У випадку кристалографічної орієнтації (100) фосфіду індію пори мають форму, близьку до квадратової. Для зразків, одержаних на підложжях з орієнтацією (111), система пор має складний характер: пори нерівномірно розподілені по поверхні кристалу та мають трикутну форму. The influence of crystallographic orientation of the initial substrate of indium phosphide on the formation of porous surface is investigated. An effective mechanism of pore formation is proposed to explain the dependence of the pores shape on the orientation of the original substrate. In the case of the crystallographic orientation of the indium-phosphide substrate (100), pores have near-square shape. For samples obtained on substrates with crystallographic orientation (111), the pores system is complex: the pores are nonuniformly distributed over the surface and have triangular shape. 2010 Article Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 1. — С. 91-99. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 81.05.Ea, 81.07.Bc, 81.10.Aj, 81.16.Rf, 81.65.Cf, 82.45.Vp, 84.60.Jt http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/72441 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объясняющий зависимость формы пор от ориентации исходной подложки. В случае кристаллографической ориентации подложки (100) фосфида индия поры имеют форму, близкую к квадратной. Для образцов InP, полученных на подложках с кристаллографической ориентацией (111), система пор имеет сложный характер: поры неравномерно разбросаны по поверхности и имеют треугольную форму.
format	Article
author	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
spellingShingle	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
author_sort	Сычикова, Я.А.
title	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
title_short	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
title_full	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
title_fullStr	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
title_full_unstemmed	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
title_sort	влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2010
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/72441
citation_txt	Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2010. — Т. 8, № 1. — С. 91-99. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv	AT syčikovaâa vliâniekristallografičeskojorientaciinaformirovanieporistojpoverhnostifosfidaindiâ AT kidalovvv vliâniekristallografičeskojorientaciinaformirovanieporistojpoverhnostifosfidaindiâ AT sukačga vliâniekristallografičeskojorientaciinaformirovanieporistojpoverhnostifosfidaindiâ
first_indexed	2025-07-05T21:15:14Z
last_indexed	2025-07-05T21:15:14Z
_version_	1836843128653348864
fulltext	91 PACS numbers: 81.05.Ea, 81.07.Bc, 81.10.Aj, 81.16.Rf, 81.65.Cf, 82.45.Vp, 84.60.Jt Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71118 Бердянск, Украина *Национальный университет биоресурсов и природопользования, ул. Героев Обороны, 15, 03041 Киев, Украина В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориента- ции исходной подложки фосфида индия на формирование пористой по- верхности. Предложен эффективный механизм порообразования, объяс- няющий зависимость формы пор от ориентации исходной подложки. В случае кристаллографической ориентации подложки (100) фосфида индия поры имеют форму, близкую к квадратной. Для образцов InP, полученных на подложках с кристаллографической ориентацией (111), система пор имеет сложный характер: поры неравномерно разбросаны по поверхности и имеют треугольную форму. У даній роботі досліджено вплив кристалографічної орієнтації підложжя фосфіду індію на формування поруватої поверхні. Запропоновано ефектив- ний механізм пороутворення, що пояснює залежність форми пор від орієн- тації підложжя. У випадку кристалографічної орієнтації (100) фосфіду ін- дію пори мають форму, близьку до квадратової. Для зразків, одержаних на підложжях з орієнтацією (111), система пор має складний характер: пори нерівномірно розподілені по поверхні кристалу та мають трикутну форму. The influence of crystallographic orientation of the initial substrate of indium phosphide on the formation of porous surface is investigated. An effective mechanism of pore formation is proposed to explain the dependence of the pores shape on the orientation of the original substrate. In the case of the crys- tallographic orientation of the indium-phosphide substrate (100), pores have near-square shape. For samples obtained on substrates with crystallographic orientation (111), the pores system is complex: the pores are nonuniformly dis- tributed over the surface and have triangular shape. Ключевые слова: пористый InP, электрохимическое травление, кристал- лографическая ориентация, механизм формирования пор, сканирующая Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2010, т. 8, № 1, сс. 91—99 © 2010 ІМФ (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України) Надруковано в Україні. Фотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 92 Я. А. СЫЧИКОВА, В. В. КИДАЛОВ, Г. А. СУКАЧ электронная микроскопия. (Получено 9 февраля 2010 г.) 1. ВВЕДЕНИЕ Большинство современных технологий построено на получении и использовании новых материалов. В последние годы все большее внимание привлекают наноструктуры, благодаря тому, что они об- ладают целым рядом уникальных свойств и имеют огромные пер- спективы технологического применения (создание сверхбольших интегральных схем, опто- и наноэлектроника, микроинтегральная сенсорика, сильноточная электроника). Главным образом, интерес к исследованию пористых наноразмерных полупроводниковых струк- тур связан с квантово-размерными эффектами в нанокристаллах, одним из важнейших проявлений которых является фотолюминес- ценция в видимой области спектра. Из полупроводниковых порис- тых материалов наиболее хорошо изучен пористый кремний. Для него неоднократно получены зависимости параметров пористого слоя от технологических условий получения [1, 2]. В настоящее вре- мя предпринимаются попытки создать аналогичные пористые слои на полупроводниках группы А 3В5 GaAs [3—5], GaP [6, 7], InP [8, 9]. Существует несколько физических и химических технологий по- лучения пористых структур: осаждение из коллоидных суспензий, MOCVD, искровой разряд, плазменное травление, гидротермаль- ный синтез, sol—gel-методы, осаждение из газовой фазы, химиче- ское и электролитическое осаждение и электрохимическое травле- ние. Однако последний метод имеет предпочтительный интерес, т.к. электрохимические методы низкотемпературны, просты, вы- годны экономически, дают широту для поверхностной геометрии. Преимуществом электрохимического селективного травления кри- сталлов над другими методами является также способность вы- травливать ямки различной формы в зависимости от ориентации поверхности кристалла. Метод определения кристаллографической ориентации кристал- ла заключается в травлении образца с последующим наблюдением фигур травления на растровом электронном микроскопе. Известно, что процесс травления происходит с разной скоростью по разным кристаллографическим плоскостям. Форма пор зависит от ориен- тации поверхности. Формирование глубоких отверстий заданной формы на монокристаллическом фосфиде индия часто необходимо при изготовлении микромеханических датчиков на его основе. Целью данной работы является оптимизирование процесса аноди- рования, детально исследуя зависимость формы фигур травления от ориентации поверхности кристалла. Представлена качественная КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТАЦИЯ И ПОРИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ InP 93 сторона процесса формирования пор заданной формы, что является важной технологической задачей, решение которой необходимо для дальнейшего использования пористых структур фосфида индия. 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА Исходным материалом для получения слоев пористого фосфида ин- дия служили пластины n-InP(100) и n-InP(111), которые были из- готовлены методом Чохральского в лаборатории компании «Mo- lecular Technology GmbH» (Берлин). Толщина образцов 1 мм. Пла- стины были вырезаны перпендикулярно оси роста и отполированы с обеих сторон. Образцы пористого фосфида индия изготовлялись методом анодного электрохимического травления. Травление про- водилось при комнатной температуре без подсветки в электролити- ческой ячейке с платиной на катоде и площадью рабочей поверхно- сти 0,16 см 2. На обратную сторону образца в качестве контакта на- пыляли индий. В качестве электролита использовались водно-спиртовой раствор плавиковой и водный раствор соляной кислот. Плотность тока из- менялась от 50 до 150 мА/см2, время травления от 5 до 20 мин. Пе- ред экспериментом образцы проходили несколько этапов очистки: шлифовка пластин и обработка поверхности алмазным порош- ком, после этого на поверхности присутствуют неровности высотой 2—10 нм; полирующее электрохимическое травление для получения зер- кально-гладкой поверхности; удаление с поверхности полярных и неполярных загрязнений при помощи толуола и этилового спирта; промывание поверхности дистиллированной водой. После эксперимента полученные образцы выдерживались на от- крытом воздухе в течение трех дней для стабилизации образовав- шихся пористых слоев. Морфология полученных пористых структур исследовалась с по- мощью растрового электронного микроскопа JSM-6490. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ Массивы пор, имеющих треугольную форму, были сформированы на кристаллах n-InP с ориентацией поверхности (111) в водно- фторидном растворе (рис. 1). Размер пор составляет от 0,05 до 1 мкм, что обозначает формиро- вание макропористого слоя фосфида индия. В некоторых местах наблюдается более плотное скопление пор. Это может быть связано с локализацией поверхностных дефектов и выходом дислокаций на поверхность кристалла. Таким образом, поры для своего роста вы- 94 Я. А. СЫЧИКОВА, В. В. КИДАЛОВ, Г. А. СУКАЧ бирают льготные направления. На рисунке 2 представлен скол по- лученной пористой структуры. Приповерхностный слой (толщиной до 5 нм) имеет нерегулярную структуру. Своим образованием он обязан поверхностному состоя- нию исходного кристалла. Известно, что поверхность может иметь шероховатости, неровности, дефекты и оборванные связи, что ока- зывает значительное влияние на формирование начального слоя пористой структуры. Дальше идет слой пор, которые прорастают под определенным углом к поверхности кристалла, которые с про- должением процесса травления выравниваются, образуя тонкие длинные каналы пор. В кристаллах с ориентацией поверхности (100) ямки травления имеют форму, близкую к квадратной (рис. 2). Некоторые поры в данном случае демонстрируют круглое поперечное сечение. Это Рис. 1. Треугольная форма пор, образовавшихся при травлении InP n-типа с ориентацией поверхности (111), j = 50мА/см2, t = 10 мин, 20% раствор HF. Рис. 2. Поры, имеющие форму близкую к правильным четырехугольни- кам, были сформированы на n-InP(100) в 5% растворе соляной кислоты, j = 50 мА/см2, t = 10 мин. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТАЦИЯ И ПОРИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ InP 95 связано с тем, что процесс травления был прерван раньше, чем про- изошло бы утончение стенок пор до образования квадратных фигур травления. К тому же, поры образуются и в местах выхода дефектов на поверхность кристалла. В данном случае форма ямок травления не коррелирует с кристаллографической ориентацией испытуемого образца. На рисунке можно видеть упорядоченный ансамбль пор, который образовался на подложке из монокристаллического фос- фида индия. Поры проросли по всей поверхности слитка. Размер пор составляет в среднем 40 нм, что свидетельствует о том, что дан- ная структура является наноразмерной. Вообще говоря, получение пор нанометрового размера представляет собой важную задачу, по- скольку, как известно, на подложке монокристаллического InP, как правило, образуются мезопоры [7, 10, 12]. Размер стенок между порами находится в пределах 5—10 нм. Подобный результат являет- ся технологически важным, так как качество пористых пленок оп- ределяется размерами наноструктур, степенью пористости и рав- номерностью распределения пор по поверхности образца. Чем меньше размер пор и чем больше процент пористости, тем качест- венней является пористая структура. Исследуя изображение скола (рис. 3) пористого образца n- InP(100), можно заметить, что приповерхностный нерегулярный слой значительно тоньше, чем в случае пористого n-InP(111). Он составляет 0,5—1 нм. К тому же, поры выравниваются, пропуская этап ветвления под поверхностью вдоль кристаллографических на- правлений <111>А и <111>В. На рисунке 4 представлена схема образования ямок травления, Рис. 3. Скол пористой поверхности n-InP(100), полученной электрохи- мическим травлением в растворе соляной кислоты. 96 Я. А. СЫЧИКОВА, В. В. КИДАЛОВ, Г. А. СУКАЧ имеющих форму, заданную ориентацией поверхности кристалла InP. Следует отметить, что эти наблюдения справедливы для любых полу- проводников с кубической элементарной ячейкой. 4. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ Хорошо известно, что жидкостное травление кристаллов А 3В5 тра- вителями, основной компонент которых плавиковая или соляная кислота, является анизотропным. Скорость химической реакции между травителем и твердым телом зависит от кристаллографиче- ского направления. Начальная стадия электрохимического растворения одинакова для кристаллов InP с различной кристаллографической ориентацией. При наложении к электролитической ячейке внешнего напряжения начи- нается травление тех областей, где наблюдается наличие поверхност- ных дефектов. При отсутствии таковых происходит хаотическое обра- зование пор по всей поверхности кристалла. Образуется нерегуляр- ный тонкий слой пор (0,5—5 нм). На следующем этапе начинается рост пор вглубь подложки. На этом этапе кинетику образования пор будет определять кристаллографическая ориентация кристалла. Рассмотрим процесс образования пор на n-InP(111). Процесс роста пор вглубь кристалла замедляется тем, что направление <111>, пер- пендикулярное поверхности подложки, соответствует наименьшей скорости реакции. Поэтому образовавшиеся поры выбирают направ- ление под углом к поверхности кристалла. Происходит образование так называемых «сrysto»-пор [10]. Такие поры имеют тенденцию к ветвлению (рис. 5). Поры, которые растут вдоль направлений <111>В, образуют между собой угол 109°. Этот факт можно объяс- нить, если вычислить угол между векторами [111], [111] по извест- ной формуле скалярного произведения векторов. Фронт травления в данном случае направлен вглубь кристалла. При этом значительная часть энергии процесса порообразования уходит на растравливание межпоровых стенок, что приводит к их Рис. 4. Схематическое изображение фигур травления кристаллов с ори- ентацией поверхности (100) и (111). КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТАЦИЯ И ПОРИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ InP 97 дроблению и увеличению их количества. Этот эффект наблюдается как при увеличении плотности тока, так и времени травления. Фронт травления в данном случае направлен вглубь кристалла. При этом значительная часть энергии процесса порообразования уходит на растравливание межпоровых стенок, что приводит к их дроблению и увеличению их количества. Этот эффект наблюдается как при увеличении плотности тока, так и времени травления. При высокой плотности тока «crysto»-поры могут развиваться в два типа: поры, которые имеют случайный характер распростране- ния вдоль направления <111> и цепочки тетраэдных пор [8]. Как показано на рис. 6, для пор n-InP(111) стенки тетраэдра со- держат только поверхность {111}A (т.е. плоскость атомов индия). Треугольный скол прямых пор должен содержать плоскости {112}. Движимые по этим направлениям поры имеют треугольное сечение и ограняются поверхностями близкими к плоскости (211). Тре- Рис. 5. SЕМ-изображение «crysto»-пор, n-InP(111), j = 80 мА/см2, t = 10 мин, 20% раствор HF. Рис. 6. SЕМ-изображение пор, растущих как вставленные тетраэдры, n- InP(111), j = 80 мА/см2, t = 10 мин, 20% раствор HF. 98 Я. А. СЫЧИКОВА, В. В. КИДАЛОВ, Г. А. СУКАЧ угольная форма пор связана с невозможностью растравливания по- верхности (211). Дальше происходит резкий переход от «crysto»- к «сurro»-порам. «Сurro»-поры, с другой стороны, растут преимущественно по на- правлению тока, т.е. перпендикулярно эквипотенциальным линиям (рис. 7). Глубина прорастания этого типа пор различна – от единиц до десятков микрометров. Эти поры не ветвятся и строго параллель- ны между собой. «Сurro»-поры всегда нуждаются в ядрах «сrysto». Они не могут расти без «сrysto» с начала порообразования [10]. При больших значениях плотности тока «сrysto»-поры служат (всегда обязательно) как места ядер для «сurro»-пор [11]. Таким образом, при электрохимическом травлении n-InP(111) образуется пористая структура, состоящая из пор, направленных вдоль кристаллографических направлений, которые затем вырав- ниваются в длинные каналы, достигающие глубины до 50 мкм. Другая картина наблюдается при формировании пористых слоев на подложках n-InP(100). Фронт травления фосфида индия такой кристаллической ориентации продвигается вглубь подложки зна- чительно быстрее, поскольку направлению <100>, перпендику- лярному поверхности кристалла, соответствует максимальная ско- рость травления. При этом процесс растравливания стенок между порами затрудняется тем, что происходит в направлениях, харак- теризующихся меньшей скоростью реакции. Одновременно с этим происходит увеличение входных отверстий пор. Тонкие стенки пор, образующиеся при этом, становятся устойчивыми к растворению. Это приводит к локализации процесса травления на дне пор. Вслед- ствие этого образуются глубокие длинные каналы пор. Процесс от- тока продуктов реакции из образующихся каналов замедляется, Рис. 7. Изображение «сurro» пор, n-InP(111), j = 80мА/см2, t = 10 мин, 20% растворHF. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ОРИЕНТАЦИЯ И ПОРИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ InP 99 что приводит к затруднению поступления в них свежего раствора электролита. В результате этого процесс прорастания пор вглубь образца замедляется. 5. ВЫВОДЫ В данной работе продемонстрировано зависимость формы ямок травления фосфида индия от ориентации поверхности полупровод- ника. Предложен механизм формирования пор заданной формы, который подтверждается исследованиями образцов на растровом электронном микроскопе. Для образцов, полученных на подложках с кристаллографической ориентацией (111), система пор имеет сложный характер, так как состоит из двух типов пор – направ- ленных вдоль кристаллографических направлений и по линиям то- ка. Поры при этом получаются крупные (до 1 мкм в диаметре), не- равномерно разбросанные по поверхности и имеют треугольную форму. В случае кристаллографической ориентации подложки (100) структура пор имеет более регулярный характер, поры мелкие (до 40 нм) и плотно упакованные, прорастающие вглубь подложки длинными взаимно параллельными каналами. Такие поры имеют преимущественно форму, близкую к квадратной. Они не ветвятся и имеют наименьшую толщину верхнего нарушенного нерегулярного слоя (до 1 нм). Такой результат является более благоприятным, чем в случае травления фосфида индия с кристаллографической ориен- тацией поверхности (111), что позволяет использовать данные структуры в различных приложениях оптики, электроники и дру- гих отраслях науки и техники. ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett., 57, No. 10: 1046 (1990). 2. В. М. Демидович, Г. Б. Демидович, С. Н. Козлов и др., Письма в ЖТФ, 18, № 14: 57 (1992). 3. A. Meyerink, A. A. Bol, and J. J. Kelly, Appl. Phys. Lett., 69: 2801 (1996). 4. J. Wloka, K. Mueller, and P. Schmuki, Electrochem. Solid-State Lett., 8: B72 (2005). 5. M. Hao, H.Uchida, C. Shao, and T. Soga, J. Crystal Growth, 179: 6661 (1997). 6. D. N. Goryachev and O. M. Sreseli, Semiconductors, 31: 1192 (1997). 7. Y. Morishita, S. Kawai, J. Sunagawa, Jpn. J. Appl. Phys., 38: 1156 (1999). 8. S. Langa, I. M. Tiginyanu, J. Carstensen, and M. Christophersen, Appl. Phys. Lett., 82: 278 (2003). 9. U. Schlierf, D. J. Lockwood, M. J. Grahamb, and P. Schmuki, Electrochimica Acta, 49: 1743 (2004). 10. M. Christophersen, S. Langa, J. Carstensen, I. M. Tiginyanu, and H. Foll, Phys. Stat. Sol. (a), 197, No. 1: 197(2003). 11. S. Langa, J. Carstensen, M. Christophersen, K. Steen, S. Frey, I. M. Tiginyanu, and H. Foll, Journal of The Electrochemical Society, 152, No. 8: 525 (2005).

Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия

Репозитарії

Схожі ресурси