О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник—вакуум—металл - Ильченко, Л.Г.; Ильченко, В.В.; Лобанов, В.В. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник—вакуум—металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала Vi(x, ΔΦ) при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов ΔΦ и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике ΔV₁σ(x, ΔΦ) от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты h(ΔΦ) = ΔV₁σ (x = 0, ΔΦ) запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера V₂ (x, ΔΦ) внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения V₂0(x) в ней.