Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов

Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅10¹⁵ см⁻². Структуры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и облад...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Батаев, М., Батаев, Ю., Бриллсон, Л.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Schriftenreihe:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73395
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 85-92. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-73395
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-733952016-10-13T19:32:18Z Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов Батаев, М. Батаев, Ю. Бриллсон, Л. Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅10¹⁵ см⁻². Структуры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10¹⁴ см⁻². Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны ВАХ, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости. Деґрадація транзисторів під впливом протонного опромінення з енергією у 1,8 МеВ досліджувалася до густини протонного опромінення у 3⋅10¹⁵ см⁻². Структури з високою рухливістю електронів на основі AlGaN/AlN/GaN мають вище значення електронної мобільности, аніж структури на основі шарів AlGaN/GaN, та демонструють більш високу радіяційну стійкість з відсутністю деґрадації електрофізичних властивостей структури до значення інтеґральної густини протонного опромінення у 10¹⁴ см⁻². Міряні електрофізичні параметри транзисторних структур продемонстрували зменшення максимальної крутизни ВАХ, збільшення порогу струму та зменшення струму наситу. Основними механізмами деґрадації структур під впливом протонного опромінення є зменшення рухливости носіїв внаслідок розсіяння носіїв на межі шарів та зменшення густини носіїв у каналі завдяки переміщенню носіїв на глибокі рівні з зони провідности. High electron mobility transistor (HEMT) degradation under 1.8 MeV proton irradiation has been studied up to the proton fluence of 3⋅10¹⁵ cm⁻². High electron mobility AlGaN/AlN/GaN structures demonstrate higher electron mobility compared to AlGaN/GaN ones, and possess higher radiation hardness that show no degradation for transistors parameters to the level of proton irradiation density of 10¹⁴ cm⁻². Measured HEMT transistors parameters suggest decrease in transconductance of I—V curves, increase in threshold current, and decrease in saturation current. The main reasons for HEMT parameters degradation under irradiation are decrease in carrier mobility due to scattering mechanisms at the layer interface and decrease in carrier concentration due to carrier removal to the deeper levels from conduction band. 2011 Article Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 85-92. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 72.80.Ey, 73.40.-c, 73.50.Fq, 73.61.-r, 73.63.Rt, 81.40.Wx, 85.30.-z http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73395 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅10¹⁵ см⁻². Структуры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10¹⁴ см⁻². Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны ВАХ, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости.
format	Article
author	Батаев, М. Батаев, Ю. Бриллсон, Л.
spellingShingle	Батаев, М. Батаев, Ю. Бриллсон, Л. Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet	Батаев, М. Батаев, Ю. Бриллсон, Л.
author_sort	Батаев, М.
title	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
title_short	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
title_full	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
title_fullStr	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
title_full_unstemmed	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
title_sort	влияние протонного облучения на algan/gan транзисторы c высокой подвижностью электронов
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/73395
citation_txt	Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 1. — С. 85-92. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv	AT bataevm vliânieprotonnogooblučeniânaalgangantranzistorycvysokojpodvižnostʹûélektronov AT bataevû vliânieprotonnogooblučeniânaalgangantranzistorycvysokojpodvižnostʹûélektronov AT brillsonl vliânieprotonnogooblučeniânaalgangantranzistorycvysokojpodvižnostʹûélektronov
first_indexed	2025-07-05T22:00:56Z
last_indexed	2025-07-05T22:00:56Z
_version_	1836846004267122688
fulltext	85 PACS numbers: 72.80.Ey, 73.40.-c,73.50.Fq,73.61.-r,73.63.Rt,81.40.Wx, 85.30.-z Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины, просп. Науки, 41, 03028 Киев, Украина *Department of Physics, The Ohio State University, 2018 Physics Research Building & 205 Dreese Laboratory, 2015 Neil Ave., Columbus, OH 43210, U.S.A. Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅1015 см −2. Струк- туры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойко- стью с отсутствием затухания электрических свойств до значения инте- гральной плотности потока протонов 1014 см −2. Измеряемые электрофизи- ческие параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьше- ние максимальной крутизны ВАХ, увеличение порогового тока и умень- шение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения но- сителей на глубокие уровни из зоны проводимости. Деґрадація транзисторів під впливом протонного опромінення з енергією у 1,8 МеВ досліджувалася до густини протонного опромінення у 3⋅1015 см −2. Структури з високою рухливістю електронів на основі AlGaN/AlN/GaN мають вище значення електронної мобільности, аніж структури на основі шарів AlGaN/GaN, та демонструють більш високу радіяційну стійкість з відсутністю деґрадації електрофізичних властивостей структури до зна- чення інтеґральної густини протонного опромінення у 1014 см −2. Міряні електрофізичні параметри транзисторних структур продемонстрували зменшення максимальної крутизни ВАХ, збільшення порогу струму та зменшення струму наситу. Основними механізмами деґрадації структур під впливом протонного опромінення є зменшення рухливости носіїв вна- Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2011, т. 9, № 1, сс. 85—92 © 2011 ІМФ (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України) Надруковано в Україні. Фотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 86 М. БАТАЕВ, Ю. БАТАЕВ, Л. БРИЛЛСОН слідок розсіяння носіїв на межі шарів та зменшення густини носіїв у каналі завдяки переміщенню носіїв на глибокі рівні з зони провідности. High electron mobility transistor (HEMT) degradation under 1.8 MeV pro- ton irradiation has been studied up to the proton fluence of 3⋅1015 cm −2. High electron mobility AlGaN/AlN/GaN structures demonstrate higher electron mobility compared to AlGaN/GaN ones, and possess higher radiation hard- ness that show no degradation for transistors parameters to the level of pro- ton irradiation density of 1014 cm −2. Measured HEMT transistors parameters suggest decrease in transconductance of I—V curves, increase in threshold current, and decrease in saturation current. The main reasons for HEMT pa- rameters degradation under irradiation are decrease in carrier mobility due to scattering mechanisms at the layer interface and decrease in carrier con- centration due to carrier removal to the deeper levels from conduction band. Ключевые слова: подвижность, пороговое напряжение, ток насыщения, протонное облучение, метод Ван-дер-Поля. (Получено 19 октября 2010 г.) 1. ВВЕДЕНИЕ Нитридгаллиевые транзисторные структуры с высокой подвижно- стью электронов (HEMTs) являются перспективными структурами для применения в микроволновом диапазоне высокой мощности. Важными преимуществами этих структур является большая шири- на запрещённой зоны и высокая подвижность электронов, что при- водит к высокой плотности заряда и высокой плотности тока. Более того, структуры на основе нитридгаллиевых тонких плёнок приме- няются при модификации ширины запрещённой зоны. В дополне- ние, высокая температурная стабильность делает нитридгаллиевые структуры применимыми в высокочастотных высокомощных при- ложениях. Структуры на основе нитрида галлия демонстрируют вы- сокую радиационную стойкость [1, 2], значительно более высокую, чем арсенидгаллиевые структуры. Величина энергии порогового сдвига Td вещества обратно пропорциональна значению постоянной решётки материала [1—3], и составляет для нитрида галлия a = 0,319 нм и c = 0,519 нм и a = 0,565 нм для арсенида галлия соответственно [2, 4]. Электрофизические свойства структур на основе нитрида гал- лия представляют значительный интерес для использования в ши- рокополосных коммуникационных системах благодаря высокой мощности и частоте этих приборов. Более того, структуры на основе арсенида галлия планируется использовать в космических систе- мах, где существенно влияние электромагнитного излучения и ин- тегральной плотности облучения частицами. Таким образом, ради- ационная стойкость электронных структур на основе нитрида гал- лия становиться исключительно важной задачей. ВЛИЯ 2. ЭКСП Структу таксии, травлени Ti 20 нм ящие из тографи движнос мерение комнатн лись при ных стр вторичн литограф Транз ал без к рителе В 1/сек⋅см нА и 40 потока п при полу нялось з рёхконта чённым полупро Для д ной зоны = 3,51 эВ Рис. 1. С с высоко Длина и ЯНИЕ ПРОТО ПЕРИМЕНТ ра была вы и изолиру ия. Омичес —Al 120 нм Ni 25 нм— и в соответ стью. Анал эффекта ной темпер и комнатно руктур одн ыми ионам фии. зисторные онтактов о Ван-де-Гра м2, энергие нА. Диапа протонов 3 учении спе заземление актной ус автоматиз водников. анных стр ы и спонта В и Eg(AlN Схематическ й подвижн ширина зат ОННОГО ОБЛ Т ыращена п ующие обл ские конта м—Ti 45 нм —Au 375 нм тствии со с лиз электр Холла мет ратуре. Сп ой темпера ной подлож ми были п структуры облучались аафа с плот й протоно азон облуч 3⋅1011 см −2 ектров кат е. После об тановке п зированны руктур разл анной поля N) = 6,25 эВ кое изображ остью элек твора соста ЛУЧЕНИЯ НА при помощ ласти созда акты, состо м—Au 55 нм м, формиро структурой рофизическ тодом Ван пектры кат атуре и при жки. Резу получены д ы с нанесён ь при комн тностью п в 1,8 МэВ чения соста до 3⋅1015 с тодолюмин блучения о ри комнат ым анализа личия в ве яризации д В, Psp(GaN) жение стро тронов на о авляют 1,0 м А AlGaN/GaN щи молекул авались пр оящие из п м, и контак овались пр й транзист ких параме н-дер-Поля тодолюмин и 10 К для ультаты м для образц нными кон натной тем отока прот и значени авлял знач см −2. В про несценции образцы из тной темп атором HP еличинах ш для GaN и = −2,9⋅10 −6 ения транз основе AlGa мкм и 150 N ТРАНЗИСТ лярно-луче ри помощи последовате кты Шоттк ри помощи торов c выс етров, вкл я, выполня несценции набора тра асс-спектр цов без при нтактами и мпературе тонов от 1 ием ионног чение от пл оцессе облу к образцам змерялись ературе с P4156A пар ширины за и AlN, – E 6 C/см2 и P исторной с aN/AlN/Ga мкм. ТОРЫ 87 евой эпи- и ионного ельности ки, состо- и фотоли- сокой по- лючая из- ялся при и измеря- анзистор- рометрии именения и матери- на уско- 109 и 1011 го тока 6 лотности учения и м приме- на четы- подклю- раметров апрещён- Eg(GaN) = Psp(AlN) = структуры aN HEMT. 88 М. БАТАЕВ, Ю. БАТАЕВ, Л. БРИЛЛСОН = −8,1⋅10 −6 C/см2, – приводят к образованию немонотонного разры- ва на границе в зоне проводимости [10]. Для тринитрида AlxGa1—xN значение ширины запрещённой зоны может быть найдено при по- мощи формулы: Eg(AlxGa1−xN) = xEg(AlN) + (1−x)Eg(GaN) − b(1−x)x; b = 0,6 эВ – параметр аппроксимации (bowing parameter [17]), а значения спонтанной поляризации могут быть найдены линейной экстраполяцией в соответствии с законом Вегарда с параметром ап- проксимации равным С(Psp) = − 0,021 C/м2. Значение ширины запрещённой зоны и значение спонтанной по- ляризации меньше для тринитрида AlxGa1−xN, чем для нитрида алюминия AlN, значит и разница в зоне проводимости на границе раздела слоёв ΔEc меньше для тринитрида по сравнению с AlN. Для данных транзисторных структур подвижность носителей в канале сильно зависит от значения разницы в зоне проводимости на грани- це (ΔEc) и, следовательно, подвижность носителей должна быть выше для транзисторных структур со слоем AlN в своём составе, по сравнению с обычными транзисторными структурами на основе AlxGa1−xN/GaN. Действительно, результаты измерений подвижно- сти методом Ван-дер-Поля при 300 К показали, что подвижность носителей для структуры со слоем AlN в составе составляла вели- чину 1600 см 2/В⋅сек, в то время как для транзисторной структуры на основе только AlxGa1−xN/GaN данное значение равнялось 1000 см2/В⋅сек. 3. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ Зависимости вольтамперных характеристик (ВАХ) от величины облучения для транзисторных структур с т-образным затвором приведены на рис. 2 и 3. Шаг значений дозы облучения изменяется в логарифмическом масштабе от 1013 см −2 до 1015 см −2. Из рисунков видно, что для транзисторных структур на основе AlGaN/AlN/GaN не наблюдается изменений в статических харак- теристиках транзисторов до значения облучения в 1014 см −2. При увеличении дозы облучения протонов наблюдается резкое умень- шение тока истока, а также немонотонный сдвиг величины тока насыщения в направлении более положительных значений. При данной логарифмической шкале, зависимости от величины про- тонного облучения, данные изменения имеют резко выраженный характер с пороговым значением в 1014 см −2 начала деградационных процессов в транзисторной структуре. Отметим, что для образцов на основе AlxGa1−xN/GaN отмечалась аналогичная пороговая зависи- мость (1014 см −2) как и для структур на основе AlGaN/AlN/GaN. ВЛИЯ На ри ка (gm) п ния. Зна исходном величин Рис. 2. З AlxGa1−xN диапазон Рис. 3. З AlxGa1−xN диапазон ЯНИЕ ПРОТО исунке 3 по при различ ачение мак м измерен ны 1014 см − Зависимост N/AlN/GaN- не от 1⋅1013 Зависимость N/AlN/GaN- не от 1⋅1013 ОННОГО ОБЛ оказана зав чных значе ксимально ии, остаёт −2 и затуха ь крутизны -структуры см −2 до 1⋅10 ь максимал -структуры см −2 до 1⋅10 ЛУЧЕНИЯ НА висимость ениях инте ой крутизн тся постоян ает на 55% ы ВАХ gm ы от плотн 015 см −2 при льной крути ы от плотн 016 см −2 при А AlGaN/GaN максимал егральной ны тока, ра нным от об % при плот от VGS тра ности прото 300°С. изны gm тр ности прото 300°С. N ТРАНЗИСТ льной крут плотности авное 272 блучения в тности облу анзистора н онного обл анзистора н онного обл ТОРЫ 89 тизны то- и облуче- мС/мм в вплоть до учения в на основе лучения в на основе лучения в 90 3⋅1015 см Конце AlGaN/A вой. Осн является гировани концент данных чения в канала н Под в концент Рис. 4. З дер-Поля см −2 для A Рис. 5. З тодом Ва структур М. м −2. ентрация н AlN/GaN, новным фа я уровень л ия для каж рация нос структур к 1013 см −2, носителями влиянием п рации нос Зависимость я, от плотн AlxGa1−xN/A Зависимость ан-дер-Поля на основе A БАТАЕВ, Ю носителей в изображён ктором, вл легировани ждой из стр сителей до концентра что часто и из легиро протонного ителей в к ь подвижно ости облуч AlN/GaN H ь концентра я, от велич AlxGa1−xN/G Ю. БАТАЕВ, Л в канале д нная на р лияющим ия соответ руктур был олжна быт ация носит о является ованного п о облучени канале для ости носите чения в диа HEMT-струк ации носит чины прот GaN и AlxG Л. БРИЛЛСО ля структу ис. 4, ока на концен тствующего л одинаков ть равной. телей в кан я уровнем поверхност ия наблюд я обеих стр елей, измер апазоне от туры. телей в кан тонного обл a1−xN/AlN/G ОН ур AlxGa1−x азывается о трацию но о слоя. Уро в, соответс Отметим, нале достиг насыщени ного слоя. дается уме руктур. Сущ ренной мето 1⋅1013 см −2 але, измере лучения дл GaN при 30 xN/GaN и одинако- осителей, овень ле- ственно и , что для гала зна- ия 2DEG- еньшение уществен- одом Ван- до 3⋅1015 енной ме- ля HEMT- 00°С. ВЛИЯНИЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА AlGaN/GaN ТРАНЗИСТОРЫ 91 ное уменьшение концентрации носителей наступает после дозы об- лучения в 1014 см −2, и достигает различных значений для соответ- ствующей структуры. Для структуры на основе AlxGa1−xN/GaN зна- чения концентрации носителей уменьшается до 0,85⋅1012 см −2 и до 1,1⋅1013 см −2 для структуры AlGaN/AlN/GaN при плотности облуче- ния в 3⋅1015 см −2. Из рисунка 5 следует, что разный наклон кривых для AlxGa1−xN/GaN- и AlGaN/AlN/GaN-структур для носителей в кана- ле означает разную радиационную стойкость к протонному облуче- нию HEMT-структур с различным строением слоёв. Дополнительный слой AlN в структуре AlxGa1−xN/AlN/GaN при- водит к увеличению подвижности носителей в канале вдвое при 300 К, что связано с резким уменьшением процесса рассеяния носите- лей в канале на границе AlN/GaN по сравнению с границей AlxGa1−xN/GaN. Большая ширина запрещённой зоны AlN приводит к большему значению ΔEc, что означает большую локализацию волновой функ- ции носителей в слое GaN. Таким образом, в результате измерений установлено, что нали- чие дополнительного слоя AlN в транзисторных HEMT-структурах на основе тринитридов AlxGa1−xN/GaN обеспечивает повышенную подвижность носителей в канале, увеличенный диапазон радиаци- онной стойкости структуры и, следовательно, улучшенные харак- теристики транзистора на этой структуре. 4. ВЫВОДЫ В работе исследовано влияние протонного облучения с энергией 1,8 МэВ на электрофизические характеристики HEMT-структур клас- сического вида AlxGa1−xN/GaN и нового вида AlxGa1−xN/AlN/GaN. При увеличении плотности протонного облучения наблюдается затухание электрофизических характеристик транзистора в виде уменьшения тока насыщения, уменьшения максимальной крутиз- ны ВАХ и уменьшения порогового напряжения в сторону положи- тельных значений. Влияние протонного облучения на изменения подвижности но- сителей и концентрации носителей в 2DEG-канале измерено из вольтамперных характеристик и при помощи измерений Ван-дер- Поля. Структуры обоих видов продемонстрировали радиационную стойкость до порогового значения плотности 1,8 МэВ протонного облучения 1014 см −2, что делает эти транзисторные структуры при- менимыми в условиях повышенной радиации и космического про- странства. Влияние протонов с более высокой энергией будет зна- чительно меньше, чем протонов с энергией 1,8 МэВ [8]. 92 М. БАТАЕВ, Ю. БАТАЕВ, Л. БРИЛЛСОН ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. S. M. Khanna, J. Webb, H. Tang, A. J. Houdayer, and C. Carlone, IEEE Trans. Nucl. Sci., 47: 2322 (2000). 2. J. W. Corbett and J. C. Bourgoin, Defect Creation in Semiconductors: Point Defects in Solids (Eds. J. H. Crawford and F. F. Slifkin) (New York: Plenum: 1975), vol. 2. 3. A. Ionascut-Nedelcescu, C. Carlone, A. Houdayer, H. J. von Bardeleben, J.-L. Cantin, and S. Raymond, IEEE Trans. Nucl. Sci., 49: 2733 (2002). 4. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones, and R. J. Molnar, Phys. Rev. Lett., 79, No. 12: 2273 (1997). 5. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, D. Schoenfeld, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett., 80: 604 (2002). 6. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett., 79: 2196 (2001). 7. S. J. Cai, Y. S. Tang, R. Li, Y. Wei, L. Wong, Y. L. Chen, K. L. Wang, M. Chen, Y. F. Zhao, R. D. Schrimpf, J. C. Keay, and K. F. Galloway, IEEE Trans. Elec- tron Devices, 47: 304 (2000). 8. X. Hu, B. K. Choi, H. J. Barnaby, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. C. Lee, S. Shojah-Ardalan, R. Wilkins, U. K. Mishra, and R. Dettmer, Proc. 2002 Ra- diation and Its Effect on Components and Systems (RADEC) Workshop (Sep- tember 2002, Padova, Italy).

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов

Institution

Ähnliche Einträge