Электронный рост нанообъектов Pb на поверхностях Si - Фокин, Д.А.; Божко, С.И.; Dubost, V.; Debontridder, F.; Ионов, А.М.; Cren, T.; Roditchev, D. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски—Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоёв Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста.