Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника - Ильченко, Л.Г.; Ильченко, В.В.; Лобанов, В.В. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при L < 10 нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины L < 0,1 нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал ΔVjst (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала Vj (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области.