Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si - Горох, Г.Г.; Соловей, Д.В.; Лабунов, В.А.; Осинский, В.И.; Мазунов, Д.О. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах анодного оксида алюминия характеризуются кристаллографической неполярной α-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики.