Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75284 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!