Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si

The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growt...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автор: Витрихівський, М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
Назва видання:Праці наукового товариства ім. Шевченка
Теми:
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75285
record_format dspace
spelling irk-123456789-752852015-02-03T19:42:36Z Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si Витрихівський, М. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics. 2011 Article Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1563-3569 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285 uk Праці наукового товариства ім. Шевченка Західний науковий центр НАН України і МОН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
spellingShingle Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Витрихівський, М.
Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
Праці наукового товариства ім. Шевченка
description The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth. These crystals may be used in quantum electronics.
format Article
author Витрихівський, М.
author_facet Витрихівський, М.
author_sort Витрихівський, М.
title Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_short Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_fullStr Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_full_unstemmed Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
title_sort голчастi кристали напівпровідників a²b⁶ i si
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
publishDate 2011
topic_facet Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285
citation_txt Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
series Праці наукового товариства ім. Шевченка
work_keys_str_mv AT vitrihívsʹkijm golčastikristalinapívprovídnikíva2b6isi
first_indexed 2025-07-05T23:33:30Z
last_indexed 2025-07-05T23:33:30Z
_version_ 1836851827829637120
fulltext Fiziqni� zbirnik NTX t�� ���� p� ��� GOLQASTI KRISTALI NAPIVPROVIDNIKIV A � B � i Si Mikola VITRIHIVS�KI� Institut fiziki napivprovidnikiv imen� V��� Laxkar�ova NAN Ukra�ni prosp� Nauki ��� Ki�v ����� Redakci� otrimala statt� �� �ovtn� ���� r� Visvitleno tehnologiqni osoblivosti virowuvann� golqastih kristaliv A� B � � tverdih rozqiniv na �hni� osnovi� a tako� krem� ni�� wo vperxe rozrobleni ta realizovani avtorom� Doslid�eno fiziqni vlastivosti cih materialiv zale�no vid skladu ta formi rostu� Vkazu�t�s� na mo�livist� zastosuvann� cih kristaliv u kvantovi� elektronici� Napivprovidniki grupi A� B � i �h tverdi rozqini zamiwenn� �TRZ� � unikal�nimi fotoqutlivimi materialami� Voni da�t� zmogu plavno zmin�vati parametri kristaliqno�� zonno� struktur� fotoqutlivist�� xirinu zaboroneno� zoni � inxi fiziqni vlastivosti v xirokomu spek� tral�nomu diapazoni qastot postupovim zamiwenn�m kationiv� anioniv abo odnoqasno oboh� Napivprovidniki A� B � � zadovil�nimi model�� nimi materialami dl� fiziqnih doslid�en�� �ki mo�na virostiti u vigl�di golok i trubok dosit� malih rozmiriv� Eksperimental�no z��sovano� wo golqasti kristali �GK�� viroweni z gazovo� fazi� ma�t� pereva�no formu sucil�nih xestigrannikiv i xestigrannikiv �z vnutrixn�o� granqasto� poro�nino� �mikro� kapil�ri� �ris� �� Taki � profil�ovani granqasti mikrokapil�ri ro� stut� u napr�mi� perpendikul�rnomu do kristalografiqno� plowini ���� � dl� geksagonal�no� �v��rcit� i � � kubiqno� �sfalerit� sin� goni�� Elektronno�mikroskopiqnimi doslid�enn�mi pokazano� wo gran� qasti poro�nini GK binarnih spoluk� �k pravilo� ma�t� formu pravil�nogo� a dl� TRZ nepravil�nogo xestigrannika �ris� �a�� Ce� mabut�� pov��zano z rozupor�dkuvann�m sistem CdS x Se ��x � CdS x Te ��x � Krim granqasto� formi dl� GK du�e ridko trapl��t�s� cilindriqna forma� U mikrokapil�rah zi zmenxenn�m diametra poro�� nini �� xestikutna forma perehodit� u dvanadc�tikutnu �ris� �� i t�d� i vrext��rext nabli�a�t�s� do kola � � GK dos�ga�t� dov�ini � � sm za � � hv� rostu� Pisl� pripi� nenn� rostu kristala v dov�inu dl� de�kih GK sposteriga�t�s� �h PACS numbers� �������w� ������Ey� ��� ��Fs� ������Hf ��� M� Vitrih�vs�ki� Ris� � Golqasti kristali CdS �z xestigrannimi poro�ninami� Ris� �� Golqasti kristali CdS z poro�nino� d�ametrom � mkm� Ris� �� Golqasti kristali CdS x Te ��x nepravil�no� geometriqno� formi z poro�ninami� viroweni z gazovo� fazi metodom sintezu� Stin� ki xaruvati riznogo himiqnogo skladu� potovwenn�� Krim vizual�nih spostere�en� potovwenn� diametra GK� ma�mo pidtverd�enn� i elektronno�mikroskopiqnimi doslid�enn�mi� �ki zafiksuvali tako� xaruvatist� stinok mikrokapil�riv TRZ �dl� CdS x Te ��x� � �ka pov��zana z riznim himiqnim skladom �ris� ��� Dl� qastini GK CdTe �kubiqna singoni�� poro�nini zapovneni spiral�mi� wo pidtverd�u� spiral�ni� mehanizm �h rostu �ris� �� �� � Mi ne sposterigali spiral�nih figur u poro�ninah mikrokapil�riv geksagonal�no� singoni� v CdS� CdSe� Golqasti kristali kremni� buli viroweni z gazovo� fazi metodom transportnih himiqnih reakci� u zapa�nih kvarcovih ampulah� Zro� bleno ce dl� z��suvann� osoblivoste� mehanizmu PRK �para�ridina� kristal� rostu nitqastih i golqastih kristaliv �� � Na naxu dumku� nitqasti ta golqast� kristali kremni� ne zav�di rostut� za mehaniz� mom PRK �pro wo svidqat� fotografi� ris� ��� lixe menxe mikronnih rozmiriv za tovwino� v diametri bezposeredn�o na kremni�vi� plastini Golqasti kristali nap�vprov�dnik�v ��� Ris� �� Golqasti kristali teluri� du kadmi� zi �spirall�� v poro�� nini� Ris� �� Nitqasti �cilindriqno� formi� kristali kremni� mikron� nih rozmiriv� �ris� �� ne supereqit� �omu� Ris� �� Nitqasti ta golqasti kristali kremni� mikronnih rozmiriv i rizno� formi� Dl� golqastih kristaliv A� B � za naxih umov virowuvann� me� hanizm rostu PRK ne realizu�t�s�� Dl� doslid�enn� generaci� golqastih kristaliv pri visokih rivn�h zbud�enn� potr�bno vrahovuvati konfiguraci� rezonatoriv� �ki da�t� vidpovidni� rozpodil vipromin�vann� � osoblivosti generaci� svitla v golqastih monokristalah CdS ���� � L�TERATURA � Vitrihovski� N�I�� Lev B�I�� Tomquk P�M� Obrazovanie por v igol�qatyh kristallah A � B � � Ukr�fiz��urn� ���� ��� ���� ���� ���� �� Vitrihovski� N�I�� Lev B�I�� Tomquk P�M� Obrazovanie polyh igol�qatyh kristallov� Dokl� ANUSSR� Ser�A�Fiz��mat� i tehn� nauk� ���� � �� ������ �� Brodin M�S�� Vitrikhovskii N�I�� Kypen A�A�� Shevel S�G� and Yanushevskii N�I� Spatial on Spectral Characteristics and a New Model of Laser Gener� ��� M� Vitrih�vs�ki� ation for CdS�Type Single Crystals under One�Photon Excitation� Phys� Stat� Sol��a�� ���� ��� �������� �� T�ga� V�A�� Sterligov V�A�� Vitrihovski� N�I�� Kolbasov G���Oso� bennosti processov generacii sveta v igol�qatyh monokristallah CdS� Ukr�fiz��urn� �� � ��� ��� �������� �� Romanov A�A�� Griaznov V�P�� Polonskii V�G�� Nepijko S�A�� Vit� rikhovskii N�I� Voids and channels in pentagonal crystals� Journal of Crys� tal Growth� ���� ���� �� ����� THE NEEDLE CRYSTALS OF Si AND A � B � SEMICONDUCTORS Mykola VYTRYKHIVSKYJ V� Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics� National Academy of Sciences of Ukraine � Nauky av�� Kyiv ������ Ukraine The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A�B� needle crystals� the solid solutions on its basis� as well as silicon crystals� originally developed and realized by the author� Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growth� These crystals may be used in quantum electronics�

Схожі ресурси