Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами
The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75363 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделювання вольт-амперних характеристик структури метал-i-n⁺ із самоорганізованими нанокластерами / Р. Пелещак, О. Даньків, О. Кузик // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 361-372. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | The computational method of current voltage characteristics of metal undoped semiconductor (i) - doped semiconductor substrate (n)+ structure with clusters of defects is described. The offered method permits to take into account the elastic deformations near the defect deformation structures and the deformations caused by a mismatch of crystal lattices of contacting semiconductor materials. |
|---|