Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома
В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости,...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2013
|
| Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75910 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2013. — Т. 11, № 3. — С. 519-549. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В рамках концепции «снизу–вверх» наноэлектроники рассмотрены общие
вопросы электронной проводимости, причины возникновения тока, роль
электрохимических потенциалов, функций Ферми и фермиевского окна проводимости, модель упругого резистора, различные режимы транспорта электронов, моды проводимости, коэффициент прохождения. Изложена обобщённая модель транспорта электронов в режиме линейного отклика, развитая Р.
Ландауэром, С. Даттой и М. Лундстромом применительно к проводникам любой размерности, любого масштаба и произвольной дисперсии, работающих в
баллистическом, квазибаллистическом или диффузионном режиме. |
|---|