Образование связности (перколяции) экситонов в плотных и разреженных массивах квантовых точек в матрицах разной топологии - Бондарь, Н.В.; Бродин, М.С.; Ермолаева, Ю.В. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2013)
В первой части статьи объясняются различия между геометрической и квантовой перколяциями носителей заряда или экситонов в плотных и разрежённых массивах квантовых точек II–VI-полупроводников, выращенных в 3D-матрицах или на сферических подложках. Показаны также различия в экспериментальных методах регистрации порога протекания экситонов в 3D-матрицах с металлическими и полупроводниковыми включениями. Во второй части представлены данные, которые показывают, что в массивах с квантовыми точками ZnO и CdS, выращенных на сферах диоксида кремния SiO2 , существуют два порога перколяции экситонов. Это явление напоминает то, которое наблюдалось в другой системе, а именно в ионных проводниках с небольшими включениями диэлектрической фазы. На основании полученных результатов дано обоснование физической природы этого явления.