Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини

Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попереднь...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Бігун, Р.І., Стасюк, З.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Назва видання:	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76013
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-76013
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-760132015-10-28T12:05:49Z Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти. Исследована структура и электропроводимость тонких пленок меди, нанесенных на поверхности полированного стекла и стекла, предварительно покрытого подслоем германия. Показано, что подслои германия (массивной толщиной 1—5 нм) ускоряют процесс металлизации пленок меди и содействуют формированию более мелкокристаллических пленок меди. Размерные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления объяснены с помощью модельных представлений о классическом и внутреннем размерных эффектах. The structure and electrical conductivity of nanometre thin films of Cu deposited on polished glass surface and glass surface predeposited with germanium sublayer are investigated. As shown, Ge sublayers (with massive thickness of 1—5 nm) hasten Cu-films’ metallization and promote formation of more fine-grained Cu films. Size dependences of resistivity and resistance temperature coefficient are explained within the scope of the classical and internal size-effect models. 2008 Article Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers :72.15.Jf,72.20.Pa,73.23.-b,73.40.Qv,73.50.Lw,73.63.-r,73.63.-b http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76013 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти.
format	Article
author	Бігун, Р.І. Стасюк, З.В.
spellingShingle	Бігун, Р.І. Стасюк, З.В. Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet	Бігун, Р.І. Стасюк, З.В.
author_sort	Бігун, Р.І.
title	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_short	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_full	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_fullStr	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_full_unstemmed	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
title_sort	вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини
publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate	2008
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76013
citation_txt	Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини / Р.І. Бігун, З.В. Стасюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 17-24. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
series	Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv	AT bígunrí vplivsurfaktantnihpídšarívgermaníûnastrukturutaelektroprovídnístʹtonkihpolíkristalíčnihplívokmídínanometrovoítovŝini AT stasûkzv vplivsurfaktantnihpídšarívgermaníûnastrukturutaelektroprovídnístʹtonkihpolíkristalíčnihplívokmídínanometrovoítovŝini
first_indexed	2025-07-06T00:30:00Z
last_indexed	2025-07-06T00:30:00Z
_version_	1836855382093332480
fulltext	17 PACS numbers: 72.15.Jf, 72.20.Pa, 73.23.-b, 73.40.Qv, 73.50.Lw, 73.63.-r, 73.63.-b Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини Р. І. Бігун, З. В. Стасюк Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна Вивчено структуру та електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром ґерманію. Показано, що підшари ґерманію (масовою товщиною 1—5 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структур- них досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар ґерманію сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок. Експериментально одержані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіці- єнта опору пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класич- ний та внутрішній розмірні ефекти. Исследована структура и электропроводимость тонких пленок меди, нане- сенных на поверхности полированного стекла и стекла, предварительно покрытого подслоем германия. Показано, что подслои германия (массив- ной толщиной 1—5 нм) ускоряют процесс металлизации пленок меди и со- действуют формированию более мелкокристаллических пленок меди. Раз- мерные зависимости удельного сопротивления и температурного коэффи- циента сопротивления объяснены с помощью модельных представлений о классическом и внутреннем размерных эффектах. The structure and electrical conductivity of nanometre thin films of Cu de- posited on polished glass surface and glass surface predeposited with germa- nium sublayer are investigated. As shown, Ge sublayers (with massive thick- ness of 1—5 nm) hasten Cu-films’ metallization and promote formation of more fine-grained Cu films. Size dependences of resistivity and resistance temperature coefficient are explained within the scope of the classical and internal size-effect models. Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний та внутрішній розмі- рні ефекти. Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies 2008, т. 6, № 1, сс. 17—24 © 2008 ІМФ (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України) Надруковано в Україні. Фотокопіювання дозволено тільки відповідно до ліцензії 18 Р. І. БІГУН, З. В. СТАСЮК (Отримано 24 березня 2007 р.) 1. ВСТУП Розробка методик виготовлення провідних плівкових зразків тов- щиною в декілька десятків атомних шарів із стабільними структу- рою та електричними властивостями обумовлена потребами сучас- ного виробництва елементів мікроелектронних пристроїв. Форму- ванню дуже тонких суцільних металевих шарів на поверхні діелек- тричних підкладок перешкоджає коагуляція зародків кристаліза- ції конденсату, оскільки енергія взаємодії між атомами металу пе- реважає енергію їх взаємодії з атомами підкладки. Тому в плівках малої товщини існує певна порогова товщина dmin, починаючи з якої спостерігається протікання струму в зразку. Величина dmin для конкретної системи підкладка—метал залежить від особливостей технології конденсації пари металу на підкладку. Зниження тов- щини dmin, а відповідно, зменшення товщини, при якій плівка стає електрично суцільною з металевим характером провідності можна здійснити двома методами. По-перше, цього можна досягти при епітаксіальнім нарощуванні шару металу на монокристалічній під- кладці. Іншим методом керування зародженням і ростом плівок є використання поверхнево активних покрить субатомної товщини, попередньо нанесених на діелектричну підкладку довільної струк- тури, які протидіють процесам коагуляції зародків кристалізації металу і сприяють зменшенню лінійних розмірів кристалітів у плі- вці. Дана методика зменшення товщини шару dmin, що відповідає порогу протікання електричного струму використовувалась в окре- мих роботах [1—3], однак в літературі відсутня інформація про ре- зультати систематичного дослідження впливу параметрів сурфак- тантних покрить на структуру та електричні властивості плівок ме- талів. У даній роботі зроблена спроба більш детально вивчити вплив попередньо нанесених на поліроване скло сурфактантних підшарів ґерманію різної товщини на структуру і електропровідність плівок міді нанометрової товщини. 2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ Експериментальні дослідження проводили у відпаяних скляних приладах при тиску залишкових газів ∼ 10−7 Па. Використовува- лись методики препарування і дослідження плівок, які детально описані в наших попередніх роботах [3—5]. Зауважимо, що напоро- шення шарів міді і ґерманію здійснювали з використанням методу термічного випаровування матеріалу. Пару матеріалів конденсува- ли на охолоджені до 78 К підкладки з швидкістю не вищою за ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА СТРУКТУРУ ТА ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ПЛІВОК Cu 19 (0,05—0,10) нм/с. Контроль масової товщини плівок здійснювали за зсувом резонансної частоти п’єзокварцових вібраторів, розміщених у потоці пари матеріалу. Використання потоків пари речовини ка- ліброваної густини забезпечувало чутливість оцінки масової тов- щини нанесених шарів не гіршу за 0,1—0,2 нм. Плівки міді зростаючих товщин одержували шляхом послідов- ного допорошення металу на раніше виготовлену плівку. Стабіліза- ція структури та електричних властивостей плівок забезпечувалась низькотемпературним відпалом при 370 К протягом однієї години. Структуру плівок досліджували з використанням просвітлюва- льних електронної мікроскопії та електронографії в електронному мікроскопі УЭМВ-100. Для структурних досліджень в експеримен- тальному приладі на охолоджену до 78 К скляну підкладку перед препаруванням плівок наносили шар хлористого натрію. Вимірювання опору плівок здійснювали двозондовим методом з допомогою електронного омметра, вихідний сигнал якого реєст- рували комп’ютером. Порогом протікання струму вважали тов- щину плівок, при якій її опір дорівнює 108 Ом. 3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ На рисунку 1 зображено залежності від товщини d питомого опору ρ (рис. 1, а) та температурного коефіцієнта опору β (рис. 1, б) плівок міді, нанесених на оплавлене поліроване скло (криві 1) та на це саме скло, попередньо покрите підшарами ґерманію різної товщини (криві 2—6). Розрахунок β плівок здійснено для діапазону темпера- тур 273—293 К. При проведенні експерименту виявилось, що під- шари ґерманію призводять до зменшення товщини dmin плівок міді, при яких досягається поріг протікання електричного струму. Зок- рема, при товщині підшару ґерманію dGe = 4—5 нм поява провідності в свіжонанесених плівках міді спостерігається при їх товщині dmin = 1 нм, а у плівках відпалених при 370 К при dmin = 3—5 нм. При конденсації міді на чисте скло поріг протікання струму у невідпа- лених плівках спостерігався при dmin = 4 нм, а у відпалених – при товщині плівки dmin = 7—9 нм. Аналіз розмірних залежностей температурного коефіцієнта опо- ру плівок міді (рис. 1, б) показує, що формування електрично су- цільних відпалених плівок (з металевим характером провідності, β > 0) завдяки впливу підшару ґерманію може бути забезпечене при суттєво менших товщинах ніж у випадку конденсації металу на чи- сту скляну підкладку. Пояснення даних, наведених на рис. 1, може бути здійснено на основі існуючих модельних уявлень про перенос заряду в електрич- но суцільних металевих зразках. Для кількісного опису необхідно використати результати структурних досліджень плівок міді різної 20 Р. І. БІГУН, З. В. СТАСЮК товщини, нанесених на скло та підшари ґерманію. У результаті електронно-мікроскопічного та електронографічно- го дослідження структури плівок міді різної товщини, нанесених на чисте скло та на підшарки ґерманію показано, що у всіх випадках одержуються неорієнтовані однорідні полікристалічні плівки міді з кристалічною ґратницею аналогічною ґратниці масивного металу. Оцінка середніх лінійних розмірів кристалітів у шарах міді різної товщини була проведена на основі аналізу мікрофотографій та за розширенням ліній рефлексів на електронограмах. Виявилось, що середній лінійний розмір зерна D у площині, паралельній підклад- ці, для кожної з досліджених систем не залежить від товщини ша- ру, принаймні для плівок міді товщиною 10—40 нм. Про вплив сур- фактантного підшару ґерманію на середні лінійні розміри криста- літів в плівках Cu можна судити з даних наведених в табл. 1, в якій подано результати оцінки D у плівках міді товщиною d = 20 нм на- несених на скло або підшари Ge різної товщини. З табл. 1 видно, що вплив підшару Ge на формування плівки міді призводить до росту плівок, кристаліти в яких мають менші лінійні розміри D ніж розміри кристалітів у плівках Cu, нанесених на чис- те скло. Кількісний опис розмірних залежностей ρ(d) і β(d), наведених на рис. 1, здійснено на основі напівкласичних модельних уявлень про геометричний розмірний ефект, згідно з яким обмеження розмірів зразка призводить лише до зменшення ефективної середньої дов- жини вільного пробігу носіїв струму за відсутності змін електронної енергетичної структури зразка. Проаналізовані вище результати структурних досліджень плівок показали, що структура плівок міді різної товщини, отриманих конденсацією пари металу на скло чи а б Рис. 1. Розмірні залежності питомого опору ρ (а) та температурного коефі- цієнта опору β (б) відпалених (Т = 370 К) плівок міді, осаджених на чисту поверхню скла та поверхню скла, попередньо покриту підшарами ґерма- нію різної товщини. Міряння виконано приТ = 293К. ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА СТРУКТУРУ ТА ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ПЛІВОК Cu 21 підшар ґерманію, не залежить від товщини плівки. Тому для пояс- нення згаданих розмірних залежностей можна використовувати теорії [6, 7], розвинуті для тонких шарів металу, будова яких не за- лежить від товщини плівки. Теорія Фукса—Зондґеймера [6] описує властивості однорідних ізотропних пласкопаралельних шарів товщиною d, співмірною з середньою довжиною вільного пробігу λ електрона, на поверхні яких наявні розсіювальні центри атомного масштабу. Вплив повер- хні на перенос заряду зводиться до додаткового розсіяння носіїв струму, що адитивно накладається на об’ємне розсіяння. Це дозво- ляє ввести в розгляд величини ρ∞ і β∞, які є кінетичними коефіцієн- тами шару безмежної товщини (d → ∞). Теорія Намба [7] поширює використання моделі [6] на випадок зразків з макроскопічними по- верхневими неоднорідностями, які описуються з допомогою пара- метра h, що має сенс середньої амплітуди поверхневих неоднорід- ностей. Процедура співставлення експериментальних даних з ре- зультатами модельних розрахунків [6, 7] широко відома з літерату- ри, зокрема вона наведена в [5]. В таблиці 2 подано результати роз- рахунку ρ∞, β∞, λρ, λβ і h, здійсненого на основі даних рис. 1. Заува- жимо, що при обчислені λρ і λβ вважалося, що розсіяння носіїв струму зовнішніми поверхнями плівки є практично дифузним (p ≈ 0, тут 0 ≤ p ≤ 1 – коефіцієнт дзеркальності поверхневого відби- вання носіїв струму). З таблиці 2 видно, що підшар ґерманію забезпечує формування шарів, поверхня яких менш шорстка ніж у випадку конденсації мі- ТАБЛИЦЯ 1. Середні лінійні розміри кристалітів D у плівках міді товщи- ною d = 20 нм. Товщина підшару ґерманію d, нм 0 1 2 3 4 5 D, нм 20 19 16 15 12 11 ТАБЛИЦЯ 2. Питомий опір, температурний коефіцієнт опору та середня довжина вільного пробігу струму в плівках міді безмежної товщини при T = 293 К. Товщина підшару ґерманію d, нм ρ∞⋅108, Ом·м β∞⋅103, К−1 λρ, нм λβ, нм h, нм β∞β∞⋅1011, Ом⋅м⋅К−1 0 3,4 2,2 21 20 10 7,48 1 4,2 1,76 16 15 7,76 7,4 2 5,2 1,4 14 12 6,5 7,28 3 5,6 1,39 12 13 6,23 7,84 4 6,4 1,17 11 9 6 7,49 5 6,8 1,05 12 10 6,05 7,14 22 Р. І. БІГУН, З. В. СТАСЮК ді на чисту поверхню скла. Середня амплітуда макроскопічних по- верхневих неоднорідностей h виявилась близькою до половини се- редніх лінійних розмірів кристалітів: h ∼ D/2 (D наведено в табл. 1). Наведені в табл. 2 величини ρ∞, β∞ і λ відрізняються від відомих з літератури табличних значень ρ0 = 1,71⋅10−8 Ом⋅м, β0 = 4,2⋅10−3 К −1 [8] і λ0 = 39 нм [10], що характеризують масивні зразки міді при Т = 293 К. Відмінність ρ0, β0 і λ0 від даних, показаних в табл. 2, обу- мовлена додатковим розсіянням носіїв струму міжзеренними ме- жами, наявними в дрібнозернистій металевій плівці. Теорії внутрішнього розмірного ефекту [11—13] трактують зер- номежове розсіяння як розсіяння статичними дефектах, адитивне об’ємному та поверхневому розсіянню. Тому, згідно з цими теорія- ми, добуток ρ∞β∞ повинен співпадати з добутком ρ0β0. Як видно з табл. 2, добутки ρ∞β∞ з відхиленням, не більшим за 5—7%, співпа- дають з величиною ρ0β0 = 7,19⋅10−11 Ом⋅м⋅К−1 [8]. Середня довжина вільного пробігу носіїв струму в плівках, ви- значена із залежностей ρ(d) і β(d), виявилась залежною від серед- нього розміру кристалітів, що обумовлено зміною внеску зерноме- жового розсіяння при зміні D. Згідно з теорією Тельє—Тосе—Пішара, для провідності полікрис- талічної плівки безмежної товщини (d → ∞) справедливе таке спів- відношення [11, 12]: [ ]∞ ∞ρ ρ = β β = + λ − +0 0 0/ / 1 3( / ) (1 ) / (1 ) ,D t t (1) де λ0 – середня довжина вільного пробігу носіїв струму в монокрис- талі, t – ймовірність міжзеренного тунелювання. Відмінність екс- периментально отриманих значень ρ∞ та λ мідних плівок при різних ступенях покриття ґерманієм скляної підкладки, обумовлено різ- ним середнім лінійним розміром D кристалітів плівки: 0 0/ /∞ρ ρ = λ λ . (2) Для моноблочних по товщині плівок теорія [13] дає подібні вирази: ∞ρ ρ = λ λ = α = − α + α − α + α <2 3 0 0/ / ( ) 1 3 / 2 3 3 ln(1 1 / ) 1f ; (3) f(α) – зерномежова функція Маядаса—Шацкеса, а α = λ −0 / (1 )r D r ; r – ймовірність зерномежового розсіяння носіїв струму. При ізотро- пному розсіянні носіїв струму параметри r і t взаємозв’язані [12]: − = − +/ (1 ) 2(1 ) / (1 )r r t t . (4) Результати співставлення експериментальних даних з вираза- ми (1), (3) і (4) наведено в табл. 3. Отримані значення параметрів переносу заряду r та t у плівках ВПЛИВ ПІДШАРІВ Ge НА СТРУКТУРУ ТА ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ПЛІВОК Cu 23 міді, нанесених на чисте поліроване скло та поліроване скло, по- крите підшаром ґерманію, узгоджуються між собою та з даними, наведеними в інших роботах. Зокрема, отримані результати добре узгоджуються з даними нашої попередньої роботи, в якій вивчено вплив підшарів сурми на металізацію плівок міді [5]. Величина r, розрахована з отриманих нами експериментальних даних (0,25 ≤ r ≤ 0,37), добре узгоджується з результатами інших авторів, які для коефіцієнта зерномежового розсіяння носіїв струму у масивних зразках міді наводять значення 0,32 ≤ r ≤ 0,34 [10] та 0,28 ≤ r ≤ 0,30 для плівок міді [9]. 4. ВИСНОВКИ Виявлено можливість керування процесом росту кристалітів плів- ки у вакуумних конденсатах міді шляхом попереднього нанесення підшару ґерманію певної товщини на скляну підкладку. Встановлено, що теорії квазикласичного розмірного ефекту задо- вільно описують експериментально отримані розмірні залежності питомого опору та температурного коефіцієнта опору плівок міді товщиною 10—25 нм. Показано, що наявність сурфактантних підшарів ґерманію на поверхні скляної підкладки зсуває поріг протікання струму в об- ласть менших товщин плівки. ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА 1. K. Schroder and Le Zhang, Phys. Stat. Sol. (b), 183: K5 (1994). 2. T. Lewowski and P. Wieczorek, Appl. Surf. Sci., 93: 85 (1996). ТАБЛИЦЯ 3. Параметри переносу заряду в плівках міді при Т = 293 К. Товщина підшару ґерманію d, нм Теоретичний вираз теорій [12, 13] rρ tρ rβ tβ (5) 0,25 0,71 – – 0 (7) 0,24 0,74 0,25 0,72 (5) 0,35 0,61 – – 1 (7) 0,26 0,72 0,27 0,69 (5) 0,37 0,57 – – 2 (7) 0,27 0,7 0,26 0,72 (5) 0,34 0,62 – – 3 (7) 0,32 0,64 0,34 0,61 (5) 0,36 0,57 – – 4 (7) 0,34 0,61 0,37 0,57 24 Р. І. БІГУН, З. В. СТАСЮК 3. З. В. Стасюк, М. М. Козак, Б. Р. Пенюх, Р. І. Бігун, ФХТТ, 3, № 3: 418 (2002). 4. Z. Stasyuk, M. Kozak, B. Penyukh, and R. Bihun, J. Phys. Stud., 7, No. 2: 207 (2003). 5. Р. І. Бігун, З. В. Стасюк, ФХТТ, 6, № 4: 418 (2005). 6. К. Л. Чопра, Электрические явления в тонких пленках (Москва: Мир: 1972). 7. Y. Namba, Jap. J. Appl. Phys., 9: 1326 (1970). 8. И. К. Кикоин, Таблицы физических величин: Справочник (Москва: Атомиз- дат: 1976). 9. E. J. Tochitskij and N. M. Belyavskij, Phys. Stat. Solid (a), 61: 21 (1980). 10. P. Kwapulinski, J. Rasek, and Z. Gierak, Phys. Stat. Solidi (a), 107: 299 (1988). 11. M. Bedda, C. R. Pichard, and A. J. Tosser, J. Mat. Sci., 5, No. 21: 1405 (1986). 12. H. Tijani, C. R. Pichard, and A. J. Tosser, J. Mat. Sci., 6, No. 9: 1107 (1987). 13. A. F. Mayadas and M. Shatzkes, Phys. Rev. B: Solid State, B1: No. 4: 1382 (1970).

Вплив сурфактантних підшарів ґерманію на структуру та електропровідність тонких полікристалічних плівок міді нанометрової товщини

Репозитарії

Схожі ресурси