Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів

Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% п...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Балабай, Р.М., Чернікова, О.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Schriftenreihe:	Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-76166
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-761662015-02-09T03:01:45Z Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок стабілізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбувається ще і за рахунок обмежених можливостей приповерхневого руху оксидантів як перпендикулярно так і паралельно поверхні плівки. Полученны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры для пленки Si с покрытием с помощью методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов. Показано, что смешанное покрытие поверхностей пленки Si(100) водородом и молекулами 1-октадецена в концентрации 10% приводит к изменению проводимости пленки за счет стабилизации уровня Ферми дополнительными состояниями в валентной и запрещенной зонах пленки с покрытием. Показано, что пассивация поверхности пленки Si(100) водородом и молекулами 1-октадецена происходит еще и за счет ограниченных возможностей приповерхностного движения оксидантов как перпендикулярно так и параллельно поверхности пленки. Distributions of the valence electron density and the electronic energy spectrum for the film of Si with coverage are received by the methods of the density functional theory and the first principal psevdopotential. It is observed that the mixed coverage of Si(100) surfaces by hydrogen and molecules of 1-octadecene with the 10% concentration cause a change conductivity of the Si film due to stabilization of the Fermi level by a appearance of additional states in its valence and bandgap. It is observed that the passivation of surface of Si(100) film by hydrogens and molecules of 1-octadecene is realized due to the limited possibilities of the surface perpendicular/parallel motion of oxidizers also. 2011 Article Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166 541.183+537.311.33 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок стабілізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбувається ще і за рахунок обмежених можливостей приповерхневого руху оксидантів як перпендикулярно так і паралельно поверхні плівки.
format	Article
author	Балабай, Р.М. Чернікова, О.М.
spellingShingle	Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів Физическая инженерия поверхности
author_facet	Балабай, Р.М. Чернікова, О.М.
author_sort	Балабай, Р.М.
title	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
title_short	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
title_full	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
title_fullStr	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
title_full_unstemmed	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
title_sort	пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166
citation_txt	Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT balabajrm pasivacíâpoverhníplívkovogokremníûorganíčnimimonošarami1oktadecenurozrahunkiízperšihprincipív AT černíkovaom pasivacíâpoverhníplívkovogokremníûorganíčnimimonošarami1oktadecenurozrahunkiízperšihprincipív
first_indexed	2025-07-06T00:37:00Z
last_indexed	2025-07-06T00:37:00Z
_version_	1836855822392492032
fulltext	48 ВСТУП Цікавість до функціоналізації поверхні крем- нію походить із необхідності пасивувати по- верхню напівпровідника по відношенню до окислення на повітрі або у воді, з одного боку, і із іншого – по відношенню до процесів ре- комбінації носіїв заряду на локалізованих електронних дефектних станах, пов’язаних з поверхнею. У виробництві напівпровідни- ків, де переважно використовують поверхню кремнію орієнтації (100), пасивація поверхні щодо рекомбінації носіїв заряду відбувається шляхом створення шару відпаленого при ви- сокій температурі окислу кремнію. Сформо- вана таким чином високо впорядкована гра- ниця розподілу Si/SiO2 обумовлює об’ємну структуру, що вільна від активних електрон- них дефектів [1]. Однак, ця технологія по- криття окислом потребує значної теплової енергії, бо потрібно формування шару зав- товшки, у крайній мірі, в декілька нанометрів. Так як розміри кремнієвих приладів стають все меншими, ця мінімальна товщина стає завадою, зважаючи на те, що пасивуючи шари УДК 541.183+537.311.33 ПАСИВАЦІЯ ПОВЕРХНІ ПЛІВКОВОГО КРЕМНІЮ ОРГАНІЧНИМИ МОНОШАРАМИ 1-ОКТАДЕЦЕНУ: РОЗРАХУНКИ ІЗ ПЕРШИХ ПРИНЦИПІВ Р.М. Балабай, О.М. Чернікова Криворізький державний педагогічний університет, кафедра фізики Україна Надійшла до редакції 20.01.2011 Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з по- криттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із пер- ших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок ста- білізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбу- вається ще і за рахунок обмежених можливостей приповерхневого руху оксидантів як пер- пендикулярно так і паралельно поверхні плівки. Ключові слова: плівка кремнію, пасивація поверхні, розрахунки із перших принципів, функ- ціоналізація поверхні, алкілована поверхня. Полученны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры для пленки Si с покрытием с помощью методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов. Показано, что смешанное покрытие поверхностей пленки Si(100) водо- родом и молекулами 1-октадецена в концентрации 10% приводит к изменению проводимости пленки за счет стабилизации уровня Ферми дополнительными состояниями в валентной и запрещенной зонах пленки с покрытием. Показано, что пассивация поверхности пленки Si(100) водородом и молекулами 1-октадецена происходит еще и за счет ограниченных возможностей приповерхностного движения оксидантов как перпендикулярно так и параллельно поверхности пленки. Ключевые слова: пленка кремния, пассивация поверхности, расчеты из первых принципов, функционализация поверхности, алкилованная поверхность. Distributions of the valence electron density and the electronic energy spectrum for the film of Si with coverage are received by the methods of the density functional theory and the first principal pse- vdopotential. It is observed that the mixed coverage of Si(100) surfaces by hydrogen and molecules of 1-octadecene with the 10% concentration cause a change conductivity of the Si film due to stabi- lization of the Fermi level by a appearance of additional states in its valence and bandgap. It is ob- ser-ved that the passivation of surface of Si(100) film by hydrogens and molecules of 1-octadecene is realized due to the limited possibilities of the surface perpendicular/parallel motion of oxidizers also. Keywords: silicon film, passivation of surface, the first principal calculations, functionalization of surface,alkylation of surface.  Балабай Р.М., Чернікова О.М., 2011 49ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 меншої товщини можуть мати суттєвий вплив на роботу мініатюрних пристроїв. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ В останні роки підвищилась цікавість до мо- дифікації поверхні кремнію шляхом кова- лентного прикріплення до неї атомних груп, ця, так звана, функціоналізація поверхні при- водить до її пасивації і зміни властивостей підкладки [2 – 6]. Ковалентні зв’язки між атомами Si та С демонструють виняткову ви- гідність і з точки зору стабільності самого зв’язку у порівнянні з кремній-водневим зв’язком, і з боку багатства вибору схем реак- цій органічної хімії для прикріплення підхо- дящих функціональних груп. Спочатку методики функціоналізації для формування Si-С зв’язків використовували поверхню Si(111), завершену Н-шаром, для реакції з ненасиченими алкенами через про- цеси з радикалами, каталізованими діаксил пероксидом [7]. Подалі, ці реакції були допов- нені використанням ультрафіолетового або білого [8, 9] світла, теплової енергії [10], ком- плексів перехідних металів [11] та кислот Льюіса [12], щоб каталізувати їх, і пошири- лися на кристали кремнію з поверхнею (100) [10] та на пористий кремній [13]. Кремній-вуглецеві ковалентні зв’язки є привабливою альтернативою пасивуючому шару термічного окислу, бо ці зв’язки є дуже стабільними та значно зменшують активність алкілованої поверхні по відношенню до кис- ню, ці обидва фактори, в свою чергу, запобі- гають формуванню окислу і гальмують фор- мування рекомбінаційних центрів як в об’ємі кремнію так і біля поверхні. Було продемон- стровано [14 – 16], що поверхню Si(111) мож- на модифікувати, використовуючи двох кро- ковий процес хлорування/алкілування із спо- живанням реагентів Грігнарда (Grignard), що надає поверхні електричну і хімічну стабі- лізацію. Як було показано, таким способом виготовлені поверхні значно знижують окси- дацію на повітрі, зменшують поверхневу ре- комбінацію і, просто, фізично блокують по- верхню від атак оксидантів за рахунок дода- вання лінійних ланцюгів алкілових груп, що замінюють хімічно активні воднево-крем- нієві зв’язки. Поверхня Si(111), завершена Н-шаром, може бути приготовлена шляхом травлення в розчині NH4F і представляє со- бою добре впорядковані тераси моногідро- генезованих атомів кремнію, котрі охоплю- ють сотні нанометрів і містять тільки один зв’язок Si-Н на поверхневий атом Si. По- верхня ж Si(100) не може бути приготовлена хімічним травленням так чисто. Фтористе травлення поверхні Si(100) виявляє декілька гідридних утворень, що включають SiН, SiН2, SiН3, і лишає поверхню нерівною на атом- ному масштабі. Ця нерівність поверхні пред- ставляє собою дуже велику проблему щодо пасивації у зв’язку з великою густиною по- верхневих зв’язків для функціоналізації. Так, на поверхні Si(111), де не більше ніж одна алкілова група може бути зв’язана з кожним поверхневим атомом Si, кількість атомних позицій, що можуть бути функціоналізовані обмежуються простором, що займається атомами алкілових груп. Тоді як, для поверхні Si(100) доля місць функціоналізації може бути значно меншим у зв’язку з високою гус- тиною Si-Нх зв’язків і не перпендикулярності кута зв’язку до поверхні. Однак, як алкіло- вана поверхня Si(111), що формувалася за два кроки процедурою хлорування/алкілування, показувала виняткові електронні та окислю- вальні пасиваційні властивості, незважаючи на нещільне покриття поверхні алкілами [17], так і поверхня Si(100). Досі недостатньо порівняльних дослід- жень для вияснення яке покриття є найкраще для пасивації поверхонь кристалічного Si. Що стосується пасивації поверхонь тонких плівок Si, то вплив типу поверхні та розподіл на ній атомів Н чи інших пасиваторів потре- бує ще більшої уваги. Як перспективне паси- вуюче покриття поверхонь кремнію зараз роз- глядаються органічні моношари, і, особли- во, моношари із молекул класу алкінів CH2 = CH – (CH2)n-3CH3 для n із 10 < n < 22 [6]. Рис. 1. Механізм реакції гідросиляції, що проходить через реакцію Si-Н зв’язків з алкенами після активації теплом або світлом. Р.М. БАЛАБАЙ, О.М. ЧЕРНІКОВА 51ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 РЕЗУЛЬТАТИ ОБЧИСЛЕННЯ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ Із pис. 3а, б, в, г, д, на котрих зображені про- сторові розподіли електронної густини для плівки кремнію з поверхнями (100) і різними покриттями та для порівняння розподіл елек- тронної густини для кристалу кремнію. Видно як суттєво впливає покриття по- верхні плівки на перебудову розподілу вален- тних електронів у плівці. Зважаючи на те, що плівка дуже тонка, усього у 6 атомних шарів, і має вплив збоку двох поверхонь, перебудова електронної густини відбувається по усій тов- щині плівки. Так, покриття поверхонь плівки воднем викликає зникнення характерних для sp3-гібридизації електронних розподілів – спостерігаються тільки сферично симетрич- ні форми (див. pис. 3г). Що стосується змі- шаного покриття поверхні, то розподіл вален- тних електронів набуває шаруватих форм, орієнтованих перпендикулярно до поверхонь плівки. На pис. 4 приводяться густини зайнятих станів для Г – точки зони Бриллюена штуч- ної суперрешітки відповідно зверху вниз для кристалічного кремнію, нескінченної плівки Si з непокритими та нереконструйованими поверхнями типу (100), плівки Si з водневим покриттям, для ізольованої молекули CH2 = CH – (CH2)15CH3, плівки Si з покриттям із водню та молекул CH2 = CH – (CH2)15CH3. Порівнюючи характер розподілу електрон- них станів по енергіям заповненої зони (ва- лентної) для названих об’єктів, можна виді- лити: характерні для кристалічного кремнію а) б) в) г) Рис. 3. Розподіл густини валентних електронів: а) – перетин в площині (110) просторового розподілу в кристалічному Si; б) – просторовий розподіл елект- ронної густини для ізозначення 0,7 від максимального в плівці Si(100) без покриття (вид на елементарну ко- мірку); в) – перетин в площині (110) просторового роз- поділу в плівці Si(100) без покриття біля атому із внут- рішнього шару плівки; г) – перетин в площині (110) просторового розподілу в плівці Si(100) із Н-по- криттям біля атому із внутрішнього шару плівки; д) – перетин в площині (110) просторового розподілу в плівці Si(100) із змішаним покриттям воднем та мо- лекулами 1-октадецена біля атому із внутрішнього ша- ру плівки. д) Рис. 4. Розподіл електронів по енергетичним зонам для Г–точки зони Бриллюена суперрешітки з атомним базисом, що відтворює: кристал кремнію, чисту не- скінченну плівку Si, плівку Si з водневим покриттям, ізольовану молекулу CH2= CH – (CH2)15CH3, плівку Si з покриттям із водню та молекул CH2= CH –(CH2)15CH3 (зверху вниз) По вертикальній вісі відкладено кіль- кість станів, по горизонтальній – енергетичний діапа- зон в атомних одиницях. (Розрахунки проводяться для Т= 0 К, права границя відповідає положенню остан- нього занятого рівня, тобто енергії Фермі). Р.М. БАЛАБАЙ, О.М. ЧЕРНІКОВА 52 чотири точки (дві накладаються) енергетич- них кривих для хвильового вектора к� = 0 (Г– точка) та область енергій забороненої зони – права границя показаного енергетичного діа- пазону відповідає останньому заповненому стану, тобто енергії Фермі (див pис. 4а); стани, відповідні за незакінчені зв’язки на поверх- нях плівки (див pис. 4б); зникнення станів, пов’язаних з незавершеною поверхнею, поя- ва областей заборонених енергій та розши- рення валентної зони у порівнянні як з крис- талом так і незавершеною плівкою (рис. 4в); стабілізацію рівня Фермі додатковими стана- ми у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям із водню та молекул CH2 = CH – (CH2)15CH3 (pис. 4д). На pис. 5 приводяться просторові роз- поділи валентних електронів для ізо-значення 0.1 від максимального для плівки кремнію по- критої з обох поверхонь воднем (а) та воднем і молекулами CH2 = CH – (CH2)15CH3 (б). Фор- ма цих розподілів із зникаючим значенням для електронної густини дає можливість оці- нити розміри та форму молекул і степінь за- повнення простору біля поверхні кремнію, що, в свою чергу дає можливість проілюстру- вати пасивацію поверхні за рахунок обмеже- них можливостей приповерхневого руху ок- сидантів як перпендикулярно так і паралель- но поверхням плівки. ВИСНОВКИ Методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів от- римані розподіли густини валентних електро- нів та електронні енергетичні спектри для не- скінченної плівки Si з непокритими та нере- конструйованими поверхнями типу (100), плівки Si з водневим покриттям, для ізольо- ваної молекули CH2 = CH – (CH2)15CH3, плівки Si з покриттям із водню та молекул CH2 = CH – (CH2)15CH3. Покриття поверхні плівки суттєво впливає на перебудову розподілу валентних електро- нів у плівці. Зважаючи на те, що плівка дуже тонка, усього у 6 атомних шарів, і має вплив збоку двох поверхонь, перебудова електрон- ної густини відбувається по усій товщині плівки. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-окта- децену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок стабі- лізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з по- криттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбувається ще і за рахунок обмежених мож- ливостей приповерхневого руху оксидантів як перпендикулярно так і паралельно поверх- ні плівки. ЛІТЕРАТУРА 1. Yablonovitch E., Swanson R.M., Eades W.E., Weinberger B.R. Electron hole recombination at the Si SiO2 interface//Appl. Phys. Lett. – 1986. – Vol. 48. – P. 245-247. 2. Buriak, J.M. Organometallic Chemistry on Si- licon and Germanium Surfaces//Chemical Rev. Phys. Lett. – 2002. – Vol. 102. – P. 1271-1308. 3. Buriak, J.M. Organometallic Chemistry on Si- licon Surfaces: Formation of Monolayers Bound Through Si-C Bonds//J. Chem. Soc., Chemical Communications. – 1999. – P. 1051-1060. 4. Haber J.A., Lauermann I., Michalak D., Vaid T.P., Lewis N.S. Electrochemical and Electrical Be- havior of (111)-Oriented Si Surfaces Alkoxy- lated through Oxidative Activation of Si-H Bonds //J. Phys. Chem. – 2000. – Vol. 104. – P. 9947-9950. 5. Stewart M.P., Robins E.G., Geders T.W., Allen M.J., Choi H.C., Buriak, J.M. Three Me- thods for Stabilization and Functionalization of Porous Silicon Surfaces via Hydrosilylation and Electrografting Reactions//J. Phys. Stat. Sol. (a). – 2000. – Vol. 182. – P. 109-115. а) б) Рис. 5. Вид на елементарну комірку з атомним бази- сом та просторовим розподілом валентних електронів для ізо-значення 0.1 від максимального, що відтворює плівку кремнію покриту з обох поверхонь воднем – а) та воднем і молекулами CH2= CH – (CH2)15CH3 – б). ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 ПАСИВАЦІЯ ПОВЕРХНІ ПЛІВКОВОГО КРЕМНІЮ ОРГАНІЧНИМИ МОНОШАРАМИ 1-ОКТАДЕЦЕНУ: РОЗРАХУНКИ ІЗ ПЕРШИХ ... 53ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 6. Антонова И.В. и др. Электрическая пассива- ция поверхноcти кремния органическими мо- нослоями 1-октадецена//Физика и техника по- лупроводников. – 2007. – Т. 41, Вып. 8. – С. 1010-1016. 7. Linford M.R., Fenter P.С., Eisenberger P.M., Chi- dsey C.E. Alkyl Monolayers on Silicon: Reaction of 1-Alkenes with Hydrogen-Terminated Silicon //D. J. Am. Chem. Soc. – 1995. – Vol. 117. – P.3145-3155. 8. Terry J., Mo R., Wigren C., Cao R.Y., Mount G., Pianetta P., Linford M.R., Chidsey C.E.//D. Nucl. Instrum. Meth. – 1997. – Vol. 133. – P. 94-101. 9. Effenberger F., Gotz G., Bidlingmaier B., Wezs- tein M.А. Theoretical Investigation of the Structure and Coverage of the Si(111) – OCH3 Sur-face//Chem. Int. Ed. – 1998. – Vol. 37. – P. 2462-2464. 10. Sieval A.B., Demirel A.L., Nissink J.W.M., Linford M.R., van der Maas J.H., at all. Highly Stable Si-C Linked Functionalized Monolayers on the Silicon (100) Surface//Langmuir. – 1998. – Vol. 14. – P. 1759-1768. 11. Zazzera L.A., Evans J.F., Deruelle M., Tirrell M., Kessel C.R., Mckeown P. Bonding organic mo- lecules to hydrogen-terminated silicon wafers// J. Electrochem. Soc. – 1997. – Vol. 144. – P. 2184-2189. 12. Holland J.M., Stewart M.P., Allen M.J., Bu- riak J.M. Metal Mediated Reactions on Porous Silicon Surfaces//J. Solid State Chem. – 1999. – Vol. 147. – P. 251-258. 13. Stewart M.P., Buriak J.M. Photopatterned Hyd- rosilylation on Porous Silicon//Angew. Chem. Int. Ed. Eng. –1998. – Vol. 23. – P. 3257. 14. Royea W.J., Juang A., Lewis N.S. Preparation of air-stable, low recombination velocity Si(111) surfaces through alkyl termination//Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – P. 1988-1990. 15. Nemanick E.J., Hurley P.T., Brunschwig B.S., Lewis N.S. Electrochemical and Thermal Graf- ting of Alkyl Grignard Reagents onto (100) Sili- con Surfaces//J. Phys. Chem. B. – 2005. 16. Балабай Р.М. Обчислювальні методи із пер- ших принципів у фізиці твердого тіла: кван- тово-механічна молекулярна динаміка. – Кри- вий Ріг: Видавничий дім, 2009. – 123 с. 17. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas//Phys. Rev. A.– 1964. – Vol. 2. – Р. 864-871. 18. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects//Phys. Rev. B. – 1965. – Vol. 140. – Р. 1133-1137. 19. Bachelet G.В., Hamann D.R., Schluter M. Pseu- dopotentials that work: from H to Pu//Phys. Rev. B. – 1982. – Vol. 26. – Р. 4199-4228. LІTERATURA 1. Yablonovitch E., Swanson R.M., Eades W.E., Weinberger B.R. Electron hole recombination at the Si SiO2 interface//Appl. Phys. Lett. – 1986. – Vol. 48. – P. 245-247. 2. Buriak, J.M. Organometallic Chemistry on Sili- con and Germanium Surfaces//Chem. Rev. Phys. Lett. – 2002. – Vol. 102. – P. 1271-1308. 3. Buriak, J.M. Organometallic Chemistry on Si- licon Surfaces: Formation of Monolayers Bound Through Si-C Bonds//J. Chem. Soc., Chem. Communications. – 1999. – P. 1051-1060. 4. Haber J.A., Lauermann I., Michalak D., Vaid T.P., Lewis N.S. Electrochemical and Electrical Be- havior of (111)-Oriented Si Surfaces Alkoxyla-ted through Oxidative Activation of Si-H Bonds //J. Phys. Chem. – 2000. – Vol. 104. – P. 9947-9950. 5. Stewart M.P., Robins E.G., Geders T.W., Al- len M.J., Choi H.C., Buriak, J.M. Three Methods for Stabilization and Functionalization of Porous Silicon Surfaces via Hydrosilylation and Electro- grafting Reactions//J. Phys. Stat. Sol. (a). – 2000. – Vol. 182. – P. 109-115. 6. Antonova I.V. i dr. Elektricheskaya passivatsiya poverkhnocti kremniya organicheskimi mono- sloyami 1-oktadetsena//Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2007. – T. 41, Vyp. 8. – S. 1010-1016. 7. Linford M.R., Fenter P.S., Eisenberger P.M., Chidsey C.E. Alkyl Monolayers on Silicon: Reа- ction of 1-Alkenes with Hydrogen-Terminated Silicon//D. J. Am. Chem. Soc.– 1995. – Vol. 117. – P.3145-3155. 8. Terry J., Mo R., Wigren C., Cao R.Y., Mount G., Pianetta P., Linford M.R., Chidsey C.E.//D. Nucl. Instrum. Meth. – 1997. – Vol. 133. – P. 94-101. 9. Effenberger F., Gotz G., Bidlingmaier B., Wezs- tein M.A. Theoretical Investigation of the Struc- ture and Coverage of the Si(111) – OCH3 Sur- face//Chem. Int. Ed. – 1998. – Vol. 37. – P. 2462-2464. 10. Sieval A.B., Demirel A.L., Nissink J.W.M., Lin- ford M.R., van der Maas J.H., at all. Highly Stab- le Si-C Linked Functionalized Monolayers on the Silicon (100) Surface//Langmuir. – 1998. – Vol. 14. – P. 1759-1768. 11. Zazzera L.A., Evans J.F., Deruelle M., Tirrell M., Kessel C.R., Mckeown P. Bonding organic mo- lecules to hydrogen-terminated silicon wafers// Р.М. БАЛАБАЙ, О.М. ЧЕРНІКОВА 54 J. Electrochem. Soc. – 1997. – Vol. 144. – P. 2184-2189. 12. Holland J.M., Stewart M.P., Allen M.J., Bu- riak J.M. Metal Mediated Reactions on Porous Silicon Surfaces//J. Solid State Chem. – 1999. – Vol. 147. – P. 251-258. 13. Stewart M.P., Buriak J.M. Photopatterned Hyd- rosilylation on Porous Silicon//Angew. Chem. Int. Ed. Eng. – 1998. – Vol. 23. – P. 3257. 14. Royea W.J., Juang A., Lewis N.S. Preparation of air-stable, low recombination velocity Si(111) surfaces through alkyl termination//Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol. 77. – P. 1988-1990. 15. Nemanick E.J., Hurley P.T., Brunschwig B.S., Lewis N.S. Electrochemical and Thermal Gra- fting of Alkyl Grignard Reagents onto (100) Si- licon Surfaces//J. Phys. Chem. B. – 2005. 16. Balabay R.M. Obchislyuvalnі metodi іz pershikh printsipіv u fіzitsі tverdogo tіla: kvantovo- mekhanіchna molekulyarna dinamіka. – Kriviy Rіg: Vidavnichiy dіm, 2009. – 123 s. 17. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous elec- tron gas//Phys. Rev. A.– 1964. – Vol. 2. – Р. 864-871. 18. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects//Phys. Rev. B. – 1965. – Vol. 140. – R. 1133-1137. 19. Bachelet G.V., Hamann D.R., Schluter M. Pseu- dopotentials that work: from H to Pu//Phys. Rev. B. – 1982. – Vol. 26. – Р. 4199-4228. ПАСИВАЦІЯ ПОВЕРХНІ ПЛІВКОВОГО КРЕМНІЮ ОРГАНІЧНИМИ МОНОШАРАМИ 1-ОКТАДЕЦЕНУ: РОЗРАХУНКИ ІЗ ПЕРШИХ ... ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1

Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів

Institution

Ähnliche Einträge