Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности

В данной работе рассмотрен механизм процесса прессовки порошка кремния, осуществляемого для получения пластин солнечных элементов. Выполнен анализ примесного состава поверхности полученных вакуумным спеканием отформованных пластин и предложен способ двухэтапной очистки порошков кремния. Измерением в...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Алиев, Р., Олимов, Л., Мухтаров, Э., Алиева, Ж.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76167
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности / Р. Алиев, Л. Олимов, Э. Мухтаров, Ж. Алиева // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55–59. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-76167
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-761672015-02-09T03:01:44Z Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности Алиев, Р. Олимов, Л. Мухтаров, Э. Алиева, Ж. В данной работе рассмотрен механизм процесса прессовки порошка кремния, осуществляемого для получения пластин солнечных элементов. Выполнен анализ примесного состава поверхности полученных вакуумным спеканием отформованных пластин и предложен способ двухэтапной очистки порошков кремния. Измерением времени жизни носителей заряда в пластинах, подвергнутых двухэтапной очистке установлена их пригодность в качестве базового материала для изготовления эффективных солнечных элементов. У цій роботі розглянутий механізм процесу пресування порошку кремнію, що здійснюється для одержання пластин сонячних елементів. Виконано аналіз домішкового складу поверхні отриманих вакуумним спіканням відформованих пластин і запропоновано спосіб двохетапного очищення порошків кремнію. Виміром часу життя носіїв заряду у пластинах, щодо яких здійснювалося двохетапне очищення, встановлена їхня придатність як базового матеріалу для виготовлення ефективних сонячних елементів. In this work, the mechanism of pressing process of the silicon powder plates for solar cell was considered. The analysis of impurity structure of a surface of the formed plates received by vacuum sintering is made and the way of two step clearings of silicon powders was offered. Measurement of life time charge carriers in the plates was fixed to clearing establishes their suitability as a base material for manufacturing of effective solar cell. 2011 Article Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности / Р. Алиев, Л. Олимов, Э. Мухтаров, Ж. Алиева // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55–59. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 61.82.Fk; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 61.72.-y; 61.72.S-; 61.72.sd; 61.72.sh; 68.37.-d; 68.55.-a; 68.55. Ln; 61.43. Gt; 61.72. Cc; 64.70. K-; 64.75. Lm; 64.75. С-; http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76167 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В данной работе рассмотрен механизм процесса прессовки порошка кремния, осуществляемого для получения пластин солнечных элементов. Выполнен анализ примесного состава поверхности полученных вакуумным спеканием отформованных пластин и предложен способ двухэтапной очистки порошков кремния. Измерением времени жизни носителей заряда в пластинах, подвергнутых двухэтапной очистке установлена их пригодность в качестве базового материала для изготовления эффективных солнечных элементов.
format	Article
author	Алиев, Р. Олимов, Л. Мухтаров, Э. Алиева, Ж.
spellingShingle	Алиев, Р. Олимов, Л. Мухтаров, Э. Алиева, Ж. Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности Физическая инженерия поверхности
author_facet	Алиев, Р. Олимов, Л. Мухтаров, Э. Алиева, Ж.
author_sort	Алиев, Р.
title	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
title_short	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
title_full	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
title_fullStr	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
title_full_unstemmed	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
title_sort	процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76167
citation_txt	Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности / Р. Алиев, Л. Олимов, Э. Мухтаров, Ж. Алиева // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 55–59. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT alievr processformovkiplastinpolikristalličeskogokremniâizporoškovogosyrʹâianalizprimesnogosostavaihpoverhnosti AT olimovl processformovkiplastinpolikristalličeskogokremniâizporoškovogosyrʹâianalizprimesnogosostavaihpoverhnosti AT muhtarové processformovkiplastinpolikristalličeskogokremniâizporoškovogosyrʹâianalizprimesnogosostavaihpoverhnosti AT alievaž processformovkiplastinpolikristalličeskogokremniâizporoškovogosyrʹâianalizprimesnogosostavaihpoverhnosti
first_indexed	2025-07-06T00:37:02Z
last_indexed	2025-07-06T00:37:02Z
_version_	1836855824792682496
fulltext	55 Порошковая технология, т.е. получение пластин прессованием порошкового сырья впервые была использована при изготовле- нии полупроводниковых термисторов [1]. Порошковый кремний традиционно исполь- зован в металлургии в качестве лигатуры. В настоящее время такой вид кремния нашел себе место и в полупроводниковом фото- электричестве, и при разработке одно и многопереходных тепловольтаических пре- образователей энергии [2]. Важная сторона использования порошкового кремния для получения микрозернистых пластин для сол- нечных элементов (СЭ) была оценена в ра- боте [3], где придаётся особое внимание на пассивирование рекомбинационных центров на границах зерен (ГЗ) за счет естественного окисления. При однородном нагреве образца с изотипным переходом наблюдается генера- ция электродвижущей силы, объяснение ко- торой выходит за рамки принципа Кюри- Пригожина [2]. Природа процесса формовки пластин поликристаллического кремния (ПК) из порошкового сырья и анализ примесного состава поверхности, является актуальной за- дачей, позволяющей расширение применения PACS: 61.82.Fk; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 61.72.-y; 61.72.S-; 61.72.sd; 61.72.sh; 68.37.-d; 68.55.-a; 68.55. Ln; 61.43. Gt; 61.72. Cc; 64.70. K-; 64.75. Lm; 64.75. С-; ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ ПЛАСТИН ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ИЗ ПОРОШКОВОГО СЫРЬЯ И АНАЛИЗ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ИХ ПОВЕРХНОСТИ Р. Алиев, Л. Олимов, Э. Мухтаров, Ж. Алиева Андижанский Государственный университет им. З.М. Бабура Узбекистан Поступила в редакцию 14.03.2011 В данной работе рассмотрен механизм процесса прессовки порошка кремния, осуществляемого для получения пластин солнечных элементов. Выполнен анализ примесного состава поверхности полученных вакуумным спеканием отформованных пластин и предложен способ двухэтапной очистки порошков кремния. Измерением времени жизни носителей заряда в пластинах, подвергнутых двухэтапной очистке установлена их пригодность в качестве базового материала для изготовления эффективных солнечных элементов. Ключевые слова: полупроводниковые материалы, порошковая технология, прессовка и формовка пластин, очистка, спекание, микроструктура, зерна, примеси, поверхность, химический элемент, сегрегации, шереховатость, носители заряда, удельное сопротивление. У цій роботі розглянутий механізм процесу пресування порошку кремнію, що здійснюється для одержання пластин сонячних елементів. Виконано аналіз домішкового складу поверхні отриманих вакуумним спіканням відформованих пластин і запропоновано спосіб двохетапного очищення порошків кремнію. Виміром часу життя носіїв заряду у пластинах, щодо яких здійснювалося двохетапне очищення, встановлена їхня придатність як базового матеріалу для виготовлення ефективних сонячних елементів. Ключові слова: напівпровідникові матеріали, порошкова технологія, пресування і формування пластин, очищення, спікання, мікроструктура, зерна, домішки, поверхня, хімічний елемент, сегрегації, шорсткість, носії заряду, питомий опір. In this work, the mechanism of pressing process of the silicon powder plates for solar cell was considered. The analysis of impurity structure of a surface of the formed plates received by vacuum sintering is made and the way of two step clearings of silicon powders was offered. Measurement of life time charge carriers in the plates was fixed to clearing establishes their suitability as a base material for manufacturing of effective solar cell. Keywords: semiconductor materials, powder technology, pressing, plates, clearing, sintering, microstructure, grains, impurity, surface, chemical elements, segregation, a roughness, charge carriers, specific resistance.  Алиев Р., Олимов Л., Мухтаров Э., Алиева Ж., 2011 ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 156 ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ ПЛАСТИН ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ИЗ ПОРОШКОВОГО СЫРЬЯ И АНАЛИЗ ПРИМЕСНОГО ... такого материала в полупроводниковом при- боростроении. В предложенном способе [4] в качестве исходного материала используют крупнокус- ковой ПК, стоимость которого значительно ниже стоимости монокристаллических слит- ков. Необходимая толщина пластин обеспе- чивается формованием заготовок, поэтому ус- траняется операция резки пластин, вследст- вие чего потери материала практически от- сутствуют, а также снижается трудоемкость окончательной обработки поверхности пла- стин. Измельчение материала при получении исходного порошка до частиц размером не более 10 мкм способствует созданию эффекта активирования при дальнейшем спекании заготовки, что приводит к повышению плот- ности и укрупнению кристаллических зерен спеченного материала. Присутствие этило- вого спирта в качестве жидкой среды позво- ляет интенсифицировать процесс размола и обеспечить достижение необходимой диспер- сности порошка, а также способствует очист- ке от примесей, попадающих в порошок вследствие истирания размольных тел. Спе- кание заготовок производится без расплав- ления Si, что обеспечивает значительное сни- жение количества примесей, поступающих из материала формы. Выполнение спекания в вакууме способствует удалению газов и лету- чих примесей из прессовок и препятствует попаданию загрязнении. Предлагаемый способ выполняется при помощи широко применяемого оборудова- ния, при этом использование для прессования гидростатической камеры исключает необ- ходимость применения трудоемких в изго- товлении и дорогостоящих пресс-форм. Полученную прессовку извлекают из фор- мы и спекают в высокотемпературной ваку- умной печи при температуре 1200 ÷ 1300 °С в течение 1 ч. Выбор температурного диапа- зона 1200 ÷1300 °С и выдержки в течение 1 ч при спекании обусловлен получением опти- мального сочетания электрофизических па- раметров спеченного материала (удельного сопротивления ρ и времени жизни неоснов- ных носителей заряда τ): при температуре спекания ниже 1200 °С и длительности вы- держки менее 1 ч значение ρ превышает 20 Ом⋅см, что приводит к высоким потерям фототока СЭ на объемном сопротивлении ма- териала; при температуре выше 1300 °С про- исходит резкое уменьшение значений ρ и τ. Увеличение длительности выдержки более 1 ч является энергетически нецелесообраз- ным, так как не приводит к улучшению ка- честв получаемых пластин. Окончательную обработку термически обработанной пласти- ны производят полирующим травлением в смеси плавиковой, азотной и уксусной кис- лоты (HF:5, HNO 3:2, CH-COOH:12) с после- дующей промывкой в дистиллированной во- де. Основные электрофизические показате- ли полученных пластин, в сравнении с типич- ными параметрами МК пластин (пример 5), используемых для изготовления СЭ, при- ведены в табл. 1. Как следует из примеров 2, 3, основные электрофизические показатели Si пластин, изготовленных предложенным способом, со- ответствуют параметрами типичным СЭ. При этом размеры кристаллических зерен дости- гают значений 80 ÷ 100 мкм, характерных для высококачественных пленок ПК, используе- мых для создания тонкопленочных СЭ с вы- сокой эффективностью [5]. Порошки кремния со средним размером фракций 5 ÷ 10 мкм и 40 ÷ 60 мкм, получен- ные измельчением в шаровой мельнице и раз- деленные по размерам, помещали в эластич- ные оболочки и затем прессовали гидроста- тическим давлением до 350 МПа. Получен- ные при этом прессовки имели относитель- ную плотность 0,6 ÷ 0,65 и удовлетворитель- ную прочность. Уплотненность порошков крем-ния с мелким и крупным размером частиц показана на рис. 1. Таблица 1 При- мер Способ изготовле- ния пластин Темпера- тура ТО, оС Параметры кремниевых пластин ρ, Ом⋅см τ, с Размеры зерен, мкм 1 Предло- женный 1150 20 ÷ 30 (1÷10)⋅10–6 10 2 Предло- женный 1200 5 ÷ 15 (1÷10)⋅10–6 80 3 Предло- женный 1300 5 ÷ 10 (1÷10)⋅10–6 100 4 Предло- женный 1350 0,1 ÷ 1 (1÷10)⋅10–7 100÷300 5 Резка МК – 3 ÷ 5 10–6 ÷ 10-4 – 57 Плотность прессовок возрастает с ростом давления гидростатического прессования, при этом уплотненность мелкозернистого по- рошка меньше чем крупнозернистого. Такая нелинейная зависимость в общем виде может быть описана в форме степенной функции: 1 00 m п п Т Т Р Р   ρ ρ=   ρ ρ    , (1) где (ρn/ρT)0, P0 – определяемые опытным пу- тем начальные значения относительной плот- ности и давления, m – показатель степени, характеризующий внутреннее трение порош- ковой массы (для крупнозернистого порошка m = 8,7, для мелкозернистого порошка m = 10,3). Постоянство коэффициента m в широком интервале давлений свидетельству- ет, что уплотнение порошка кремния проис- ходит только за счет межчастичного про- скальзывания и поворота недеформируемых частичек, т.е. без скалывания и дробления частиц. Спекание отформованных заготовок про- водили в вакууме при 10–5 Па и температуре 900 ÷ 1350 °C в течение 30 мин. Полученная в процессе опытов зависимость относитель- ной плотности от температуры для двух об- разцов с различной зернистостью приведена на рис. 1. Приведенные на рис. 1 данные показыва- ют, что процесс спекания порошковых заго- товок в зависимости от температуры может быть разделен на два основных этапа с раз- личным механизмом уплотнения. На первом этапе, соответствующем температурному ин- тервалу до 1100 °C (Тсп/Тпл = 0,82) происходит замедленное уплотнение под действием пре- имущественно одного механизма, а именно механизма припекания частиц поверхност- ной диффузией. При температуре спекания, выше 1150 °C (Тсп/Тпл = 0,85) наступает второй, активный этап уплотнения – переход порош- ковой массы из неравновесного пористого со- стояния с развитой свободной поверхностью в равновесное плотноупакованное состояние. Дальнейшее повышение температуры до 1300 °C (Тсп/Тпл = 0,95) приводит к ускоренной переупаковке частиц. На основании совре- менных представлений о процессе спекания веществ можно сказать, что в этой области происходит интенсивное объемное пластиче- ское течение, рекристаллизационный рост зе- рен (превращение малоугловых границ в бо- льшеугловые) и формирование равновесной конфигурации конечной поликристалличес- кой структуры [6, 7]. Столь высокие значения относительной температуры активного спекания порошка кремния по сравнению порошков металлов и других изученных веществ в связи отсутст- вием в литературе прямых корректных дан- ных о механизме этого явления, можно объя- снить по видимому незначительным вкладом объемной энергии дислокацией внутри час- тиц, и практически доминирующим вкладом зернограничной энергии, т.е. спекания крем- ния осуществляется под действием зерногра- ничной диффузии. Это качественное сравнение еще раз дока- зывает, что относительно высокая темпера- тура спекания кремния связана как с низкой диффузионной подвижностью, так и труд- ностью дислокационного течения. Таким об- разом, приведенные в настоящей работе све- дения показывают специфичность кинетики формирования ПК из порошковой массы и ак- туальность поиска новых способов активи- зированного спекания при температурах на- много ниже температуры плавления с усло- вием получения поликристаллов с воспроиз- водимыми свойствами, близкими к свойствам ПК, изготовленного по традиционной техно- логии. ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 Р. АЛИЕВ, Л. ОЛИМОВ, Э. МУХТАРОВ, Ж. АЛИЕВА Рис. 1. Зависимость относительной плотности от дав- ления прессования: 1 – мелкозернистый порошок; 2 – крупнозернистый порошок. ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 158 ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ ПЛАСТИН ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ИЗ ПОРОШКОВОГО СЫРЬЯ И АНАЛИЗ ПРИМЕСНОГО ... Измерение времени жизни носителей за- ряда в полученных пластинах свидетельство- вали о нахождении данного материала в пре- делах пригодности в качестве базы для изго- товления СЭ. Анализ зависимости времени жизни носителей заряда от температуры спе- кания показал достаточно удовлетворитель- ное согласие с данными зондового измерения поверхностного удельного сопротивления. Однако, для достижения высокой эффектив- ности (более 10%) СЭ требуется дополните- льные технологические меры, позволяющие улучшить значения времени жизни носителей заряда. Определяющим времени жизни носи- телей заряда являются рекомбинационные центры, созданные не только на ГЗ, но и при- месями или их комплексами. Поэтому пред- ставляет интерес анализ примесного состава поверхности ПК пластин. Состояние поверхности, шероховатость, неровность, размеры зерен были изучены микроскопическими методами с использова- нием интерференционного прибора МИИ-4. Примесьный состав поверхностной области ПК определены применением методом рент- геноспектроскопического микрозондового анализа. В проведенных экспериментах обращали внимание на чистоту исходного материала (порошка), камеры и печи для ТО. Поставле- ны отдельные эксперименты по дополнитель- ной магнитной очистке порошка и вакуумная очистка отформованной пластины. Результа- ты анализа химического состава материала как в области ГЗ, так и в области зерен приве- дены в виде спектрограммы на рис. 2. Для очистки порошка кремния от посто- ронних примесей использованы различные способы. В первом способе в качестве мелю- щих шариков в мельнице использованы куски кремния. Во втором способе использована двухэтапная процедура, первый этап которой заключался в пропускании исходного порош- ка через магнитное поле. Процедура очистки порошка магнитным полем позволяла управ- лять скоростью транспорта порошка и вели- чиной напряженности магнитного поля. Кон- кретные режимы этой процедуры сохраняет- ся в виде “ноу-хау”, т.к. предусмотрено па- тентование. Для очистки поверхности ПК пластин от легколетучих примесей исполь- зован второй этап – выдержка при темпера- туре ∼ 100 °С в условиях вакуума. Количественные результаты анализа хими- ческого состава поверхности двух видов ПК, полученного порошковой технологией при- ведены в табл. 2. Как следует из табл. 2 и из результатов ра- боты [8], области ГЗ насыщены кислородосо- держащими комплексами. Поверхность зерен во всех случаях изобилует разнообразными сложными структурами. Отметим, что зерни Рис. 2. Спектры распределения примесей на поверх- ности ПК пластин: в области зерен – а) и в области ГЗ – б). а) б) Таблица 2 Элемент Порошковая технология Элемент, % Элемент, % ат., %ат., % [8] SiK 43,14 94,50 65,63 96,10 SK 0,80 1,54 0,80 1,21 ClK 0,28 0,48 0,32 0,46 NaK 0,40 1,08 – – KK 0,05* 0,08* – – CaK 0,52 0,80 0,39 0,71 FeK 1,38 1,52 0,90 1,21 CoK – – 0,09 0,10 TaK – – 0,12 0,21 46,58 100,00 68,25 100,00 59 с размерами ∼ 100 ÷ 300 мкм вызывают шеро- ховатость поверхности с размерами выступов и углублений величиной до нескольких мкм. Из табл. 2 также видно, что концентрация примесей увеличивается от центра зерна до края его поверхности. Известно, что остаточные примеси из ис- ходного сырья создают скопления дефектов в областях ГЗ при получении ПК. Эти скоп- ления создают локализованные зарядовые со- стояния, из-за которых наблюдается измене- ние удельного сопротивления при изменении температуры [8, 9]. Представляет интерес, влияние размеров зерен на удельное сопротивление ПК пластин при различных температурах. В табл. 3 при- ведены изменения удельного сопротивления в зависимости от размеров зерен при различ- ных температурах. Наблюдаемые изменения удельного сопротивления в зависимости от размеров зерен можно объяснить в рамках модифицированной модели Сетто [9], где уде- льное сопротивление обратно пропорциона- льно размеру зерен. Другими словами пред- ставляется возможным, что варьированием размеров зерен и температуры пластин мож- но создать комбинированные приборы с фото и тепловольтаическими эффектами на ПК основе. Таким образом, в данной работе рассмот- рен и выявлен механизм процесса прессовки порошка кремния, осуществляемого для по- лучения пластин для солнечных элементов. Выполнен анализ примесного состава по- верхности полученных вакуумным спека- нием отформованных пластин и предложен способ двухэтапной очистки порошков крем- ния. Измерением времени жизни носителей заряда в пластинах, подвергнутых двухэтап- ной очистке установлена их пригодность в ка- честве базового материала для изготовления эффективных СЭ. ЛИТЕРАТУРА 1. Хейванг В., Биркхольц У., Айнцингер Р. и др. Аморфные и поликристаллические полупро- водники. – М.: Мир, 1987. – 160 с. 2. Ашуров М.Х., Абдурахманов Б.М., Ади- лов М.М., Ашуров Х.Б.//ДАН РУз. – 2010. – № 3. – С. 23-25. 3. Саидов М.С. //Гелиотехника. – 2004. – № 4. – С. 84-86. 4. Алиев Р., Абдурахманов Б.М., Олимов Л., Мухтаров Э.//Гелиотехника. – 2005. – № 3. – С. 79-82. 5. Абдурахманов Б.М., Алиев Р., Саидов М.С., Чирва В.П.//Гелиотехника. – 1996. – № 1. – С. 3-8. 6. Гегузин Я.Е., Кононенко В.Г.//ФТТ. – 1980. – Т. 22, № 2. – С. 2653-2661. 7. Гегузин Я.Е. Физика спекания. – М.: Наука, 1984. – 312 с. 8. Олимов Л.О.//Физическая инженерия поверх- ности. – 2010. – Т. 8, №.1. – С. 72-76. 9. Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки.: Физика и применения/Пер. с англ./ Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с. LITERATURA 1. Kheyvang V., Birkkholts U., Ayntsinger R. i dr. Amorfnyye i polikristallicheskiye poluprovod- niki. – M.: Mir, 1987. – 160 s. 2. Ashurov M.Kh., Abdurakhmanov B.M., Adi- lov M.M., Ashurov Kh.B.//DAN RUz. – 2010. – № 3. – S. 23-25. 3. Saidov M.S.//Geliotekhnika. – 2004. – № 4. – S. 84-86. 4. Aliyev R., Abdurakhmanov B.M., Olimov L., Mukhtarov E.//Geliotekhnika. – 2005. – № 3. – S. 79-82. 5. Abdurakhmanov B.M., Aliyev R., Saidov M.S., Chirva V.P.//Geliotekhnika. – 1996. – № 1. – S. 3-8. 6. Geguzin Ya.E., Kononenko V.G.//FTT. – 1980. – T. 22, № 2. – S. 2653-2661. 7. Geguzin Ya.E. Fizika spekaniya. – M.: Nauka, 1984. – 312 s. 8. Olimov L.O.//Fizicheskaya inzheneriya pover- khnosti. – 2010. – T. 8, №.1. – S. 72-76. 9. Tonkiye polikristallicheskiye i amorfnyye plen- ki.: Fizika i primeneniya/Per. s angl./Pod red. L. Kazmerski. – M.: Mir, 1983. – 304 s. ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 Таблица 3 Размер зерна, мкм ρ, (Ом⋅см) при 300 К 300 1 4,5 11 14 200 1 4,7 13 17 100 1 5,6 14,7 23 ρ, (Ом⋅см) при 400 К ρ, (Ом⋅см) при 500 К ρ, (Ом⋅см) при 600 К Р. АЛИЕВ, Л. ОЛИМОВ, Э. МУХТАРОВ, Ж. АЛИЕВА

Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности

Репозитарії

Схожі ресурси