Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃

Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электронными релаксационными процессами. Открытые...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Шамирзаев, C.Х., Гулямов, Г., Дадамирзаев, М.Г., Шарибаев, Н.Ю., Гулямов, А.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76169
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ / C.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, Н.Ю. Шарибаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68–71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-76169
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-761692015-02-09T03:01:57Z Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ Шамирзаев, C.Х. Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Шарибаев, Н.Ю. Гулямов, А.Г. Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электронными релаксационными процессами. Открытые фазовые траектории релаксационными процессами, обусловленные изменением параметров материала. Досліджено вплив змінної деформації на опір тензочутливих плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃. Отримано фазові траєкторії тензорезистивного ефекту на площині опору деформації. Показано, що замкнуті фазові траєкторії зумовлені електронними релаксаційними процесами, а відкриті фазові траєкторії-релаксаційними процесами та зміною параметрів матеріалу. Influence of variable deformation on resistance tens sensitivity films Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ is investigated. Phase trajectories tens sensitivity effect on a plane of resistance deformation are received. It is shown, that the closed phase trajectories are caused electronic relaxation by processes, and open phase trajectories relaxation the processes, caused by change of parameters of a material. 2011 Article Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ / C.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, Н.Ю. Шарибаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68–71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76169 621.362.1 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости сопротивления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электронными релаксационными процессами. Открытые фазовые траектории релаксационными процессами, обусловленные изменением параметров материала.
format	Article
author	Шамирзаев, C.Х. Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Шарибаев, Н.Ю. Гулямов, А.Г.
spellingShingle	Шамирзаев, C.Х. Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Шарибаев, Н.Ю. Гулямов, А.Г. Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ Физическая инженерия поверхности
author_facet	Шамирзаев, C.Х. Гулямов, Г. Дадамирзаев, М.Г. Шарибаев, Н.Ю. Гулямов, А.Г.
author_sort	Шамирзаев, C.Х.
title	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
title_short	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
title_full	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
title_fullStr	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
title_full_unstemmed	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
title_sort	фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках bi₂te₃ и sb₂te₃
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76169
citation_txt	Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ / C.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, Н.Ю. Шарибаев, А.Г. Гулямов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68–71. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT šamirzaevch fazovyeportretydeformacionnyhéffektovnatenzočuvstvitelʹnyhplënkahbi2te3isb2te3 AT gulâmovg fazovyeportretydeformacionnyhéffektovnatenzočuvstvitelʹnyhplënkahbi2te3isb2te3 AT dadamirzaevmg fazovyeportretydeformacionnyhéffektovnatenzočuvstvitelʹnyhplënkahbi2te3isb2te3 AT šaribaevnû fazovyeportretydeformacionnyhéffektovnatenzočuvstvitelʹnyhplënkahbi2te3isb2te3 AT gulâmovag fazovyeportretydeformacionnyhéffektovnatenzočuvstvitelʹnyhplënkahbi2te3isb2te3
first_indexed	2025-07-06T00:37:07Z
last_indexed	2025-07-06T00:37:07Z
_version_	1836855830016688128
fulltext	68 ВВЕДЕНИЕ Исследование динамики деформационных эффектов в полупроводниках имеет допол- нительные преимущества по сравнению со статическими экспериментами. В частности, тензочувствительность полупроводника в ди- намическом режиме сильно отличается от тензочувсвительности при статических де- формациях [1 – 3]. Удобным методом теоре- тического и экспериментального исследова- ния колебательных процессов является ана- лиз фазовых портретов физических явлений [4, 5]. Однако метод фазовых траекторий не применялся до недавнего времени при иссле- довании динамики деформационных эффек- тов. Влияние переменной деформации на со- противление собственного полупроводника рассмотрено в работе [6] где показано, что за счет инерционности генерационно-реком- бинационных процессов возникновения фа- зового сдвига между деформацией и измене- нием концентрации носителей заряда в об- разце на плоскости концентрации-деформа- ции возникает замкнутая или открытая фазо- вая траектория. Однако в этой работе отсутст- вуют сравнение теоретических результатов с экспериментом. Целью настоящего работы является исследование динамики деформаци- онных эффектов в полупроводниках с по- мощью фазовых портретов и сравнение тео- ретических выводов с результатами экспери- ментов. ИЗМЕНЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЕРЕМЕННОЙ ДЕФОРМАЦИИ При воздействии деформации изменение зон- ной структуры приводит к изменению кон- центрации носителей зарядов и перераспре- делению носителей зарядов между энергети- ческими долинами. Эти изменения в свою очередь приводит к изменению сопротивле- УДК 621.362.1 ФАЗОВЫЕ ПОРТРЕТЫ ДЕФОРМАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ НА ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ Bi2Te3 И Sb2 Te3 C.Х. Шамирзаев2, Г. Гулямов1, М.Г. Дадамирзаев1,2, Н.Ю. Шарибаев1, А.Г. Гулямов1 1Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан 2Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан (Ташкент) Узбекистан Поступила в редакцию 28.03.2011 Исследовано влияние переменной деформации на сопротивление тензочувствительных пленок Bi2Te3 и Sb2Te3. Получены фазовые траектории тензорезистивного эффекта на плоскости со- противления деформации. Показано, что замкнутые фазовые траектории обусловлены электрон- ными релаксационными процессами. Открытые фазовые траектории релаксационными про- цессами, обусловленные изменением параметров материала. Ключевые слова: тензочувсвительность, деформация, фазовые траектории, фазовый портрет, релаксация, сопротивление. Досліджено вплив змінної деформації на опір тензочутливих плівок Bі2Te3 і Sb2Te3. Отримано фазові траєкторії тензорезистивного ефекту на площині опору деформації. Показано, що замк- нуті фазові траєкторії зумовлені електронними релаксаційними процесами, а відкриті фазові траєкторії-релаксаційними процесами та зміною параметрів матеріалу. Ключові слова: тензочутливість, деформація, фазові траєкторії, фазовий портрет, релаксація, опори. Influence of variable deformation on resistance tens sensitivity films Bi2Te3 and Sb2Te3 is investigated. Phase trajectories tens sensitivity effect on a plane of resistance deformation are received. It is shown, that the closed phase trajectories are caused electronic relaxation by processes, and open phase trajectories relaxation the processes, caused by change of parameters of a material. Keywords: tens sensitivity, deformation, phase trajectories, a phase portrait, a relaxation, resistance.  Шамирзаев C.Х., Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Шарибаев Н.Ю., Гулямов А.Г., 2011 70 ФАЗОВЫЕ ПОРТРЕТЫ ДЕФОРМАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ НА ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ Bi2Te3 И Sb2 Te3 рис. 2. Из этих рисунков видно, что фазовые портреты для различных плёнок существенно различаются. Для некоторых плёнок фазовые портреты при приложении циклических деформаций с увеличением числа циклов почти не менялись (рис. 1а). На наш взгляд это свидетельствует о том, что параметры плёнки с увеличением числа циклов остаётся постоянной, а измене- ние сопротивления в образце в приделах од- ного цикла обусловлено в основном элект- ронными процессами. Для подтверждения этих соображений проведены теоретические расчёты фазового портрета, когда параметры полупроводника не зависят от времени. Рез- ультаты расчёта приведены на рис. 1б. В этом случае действительно, фазовый портрет по- лучается замкнутым и есть большое сходство эксперимента и теории, что является убеди- тельным свидетельством в пользу электрон- ных процессов в образцах. В зависимости от условия получения, ха- рактеристики большинства плёнок получа- ются нестабильным. При воздействии пе- ременной деформации происходить измене- нии параметров полупроводников. Эта неста- бильность сильно проявляется на фазовых портретах этих плёнок. С увеличением числа деформационных циклов фазовые портреты могут перемещаться на фазовой плоскости (ε, ∆n). На рис. 2 приведены типичные фа- зовые портреты таких плёнок. Такие измене- ния происходит, когда с увеличением числа циклических деформаций меняются парамет- ры полупроводника. Это свидетельствует о существовании необратимых структурных изменениях в материале. Типичные численные расчеты теоретиче- ской кривой фазовых траекторий с приведе- ны в рис. 2а. Как видно из рисунка с увеличе- нием числа циклов фазовые портреты пере- мещаются в фазовой плоскости сопротивле- ние деформация. На наш взгляд, такая неста- бильность может быть вызвана структурны- ми изменениями в исследуемых образцах. Для теоретического описания этих измене- ний можно предположить, что параметры плёнки зависят от времени воздействия пере- менной деформации или то же самое от числа циклов деформации. Используя эти предпо- ложение, были произведены расчёты фазо- вых портретов, учитывающие изменение па- раметров с увеличением числа циклов. На рис. 2б. приведены результаты этих расчётов. Как видно из рис. 2 фазовый портрет в этом случае со временем меняется. При изменении параметров материала получается открытые фазовые траектории. Появление открытых фазовых траекторий свидетельствует об из- менениях параметров материала. ЗАКЛЮЧЕНИЕ При исследовании динамики деформацион- ных эффектов можно считать, что быстрые процессы обусловлены электронным процес- Рис. 2. Экспериментальные и теоретические фазовые портреты, где структурные изменения в кристалличес- кой решетке тензочувствительных плёнок Bi2Te3 и Sb2Te3. (теория по оси ординат масштаб в относитель- ных единицах). а) – фазовые портреты концентрация- деформация с увеличением числа циклов сильно ме- няют свою форму. Это свидетельствует о структурных изменениях в материале (эксперимент). б) – фазовые портреты при вычислениях параметры полупровод- ника зависят от времени (теория). ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 а) б) 71ФІП ФИП PSE, 2011, т. 9, № 1, vol. 9, No. 1 сами, а медленные с изменениями в кристал- лической решетке. Структурные изменения кристаллической решетки должны давать срыв в фазовой траектории в плоскости со- противления деформация и при периоди- ческом повторении механического воздейст- вия фазовая траектория превратится в не- замкнутую винтовую линию (рис. 2). На осно- ве проведенных исследований можно сделать следующие выводы: Существование гистерезисной петли в плоскости сопротивление-деформация (R-ε) обусловлено релаксационными процессами в образце. Замкнутая релаксационная петля на R-ε плоскости обусловлена только электронными процессами и изменение в кристаллической решетке не происходят. Открытая незамкнутая винтовая траекто- рия на R-ε плоскости обусловлена необра- тимыми изменениями характеристик крис- таллической решетки. ЛИТЕРАТУРА 1. Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Аб- дураимов А. Динамические тензохарактерис- тики диодов с барьером Шоттки при импульс- ном гидростатическом давлении//ФТП. – 2000. – Т. 34, Вып. 1. – С. 67-70. 2. Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О. Вли- яние внешних воздействий на поведение при- меси золота в кремнии//ФТП. – 2000. – Т. 34, Вып. 6. – С. 641-644. 3. Маматкаримов О.О., Хамидов Р.Х. Тензоре- зистивный эффект в кремнии//Письма в ЖТФ. – 2003. – Вып. 3. – С. 24-28. 4. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Тео- рия колебаний. – М.: Наука, 1981. – 565 с. 5. Боголюбов Н.Н., Митропольский Ю.А. Асим- птотические методы теории нелинейных ко- лебаний. – М.: Наука, 1983. C.Х. ШАМИРЗАЕВ, Г. ГУЛЯМОВ, М.Г. ДАДАМИРЗАЕВ, Н.Ю. ШАРИБАЕВ, А.Г. ГУЛЯМОВ 6. Аhmetoglu М., Shamirzaev S.H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А.G. Change in the resistance of the semiconductor in the variab- le deformation field//Rom. Journ. Phys. – 2007. – Vol. 52, No 3-4. – P. 319-327. 7. Шамирзаев С.Х., Юсупова Д.А., Мухаме- диев Э.Д., Онаркулов К.Э. Определение эф- фективной плотности электронных поверх- ностных состояний в нанокрсталлических пленках Bi2Te3-Sb2Te3//ФИП. – 2006. – Т. 4 , № 1-2. – С. 86-90. LITERATURA 1. Zaynabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Abdu- raimov A. Dinamicheskiye tenzokharakteristiki diodov s baryerom Shottki pri impulsnom gidro- staticheskom davlenii//FTP. – 2000. – T. 34, Vyp. 1. – S. 67-70. 2. Zaynabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O. Vliya- niye vneshnikh vozdeystviy na povedeniye pri- mesi zolota v kremnii//FTP. – 2000. – T. 34, Vyp. 6. – S. 641-644. 3. Mamatkarimov O.O., Khamidov R.Kh. Ten- zorezistivnyy effekt v kremnii//Pisma v ZhTF. – 2003. – Vyp. 3. – S. 24-28. 4. Andronov A.A., Vitt A.A., Khaykin S.E. Teoriya kolebaniy. – M.: Nauka, 1981. – 565 s. 5. Bogolyubov N.N., Mitropolskiy Yu.A. Asimp- toticheskiye metody teorii nelineynykh ko- lebaniy. – M.: Nauka, 1983. 6. Ahmetoglu M., Shamirzaev S.H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov A.G. Change in the resistance of the semiconductor in the variab- le deformation field//Rom. Journ. Phys. – 2007. – Vol. 52, No 3-4. – P. 319-327. 7. Shamirzayev S.Kh., Yusupova D.A., Mukha- mediyev E.D., Onarkulov K.E. Opredeleniye ef- fektivnoy plotnosti elektronnykh poverkhnost- nykh sostoyaniy v nanokrstallicheskikh plen- kakh Bi2Te3-Sb2Te3//FIP. – 2006. – T. 4 , № 1-2. – S. 86-90.

Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃

Репозитарії

Схожі ресурси