Пассивация поверхности германиевых диодных структур наночастицами - Болгов, С.С.; Манойлов, Э.Г.; Каганович, Э.Б. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2008)
Исследуются условия подавления поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда германиевых p—n-диодов путем пассивации наночастицами. На поверхность германия методом импульсного лазерного осаждения при низких температурах наносили пленки оксида германия, содержащие германиевые нанокристаллы. Показано, что пассивация приводит к повышению теплового излучения прямо смещенного диода в спектральной области 3—12 мкм на 40—50% за счет увеличения эффективного времени жизни носителей в базе диода.