Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si - Севрюкова, В.А.; Зубарев, Е.Н.; Кондратенко, В.В.; Першин, Ю.П.; Цебенко, В.О. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации.