Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре - Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области.