Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air
The consequent of mathematical models with elements of theory probability and experimental results, calculations permitted to determinate the energy formation of: anion vacancies (uв∼0.9 eV), border and screw dislocations (u⊥∼ 1.67 eV; us ∼ 2.08 eV), and the energy of movement point defects (ud∼ 1.8...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автор: | Solovyova, A.E. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76998 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air / A.E. Solovyova // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 369–375. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air
за авторством: A. E. Solovyova
Опубліковано: (2011) -
Determination of cerium valent state in solution of CeO₂₋x nanoparticles
за авторством: Gayduk, O.V.
Опубліковано: (2018) -
Phase relations in the system CeO2―Yb2O3 at temperature 1500 °C
за авторством: O. A. Kornienko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Phase relations in the system CeO2―Dy2O3 at temperature 1500 °C
за авторством: O. A. Kornienko
Опубліковано: (2014) -
Optical properties of dielectric layers with CeO₂
за авторством: Semikina, T.V.
Опубліковано: (2004)