Поведение гелия и особенности развития микроструктуры в модельных сплавах никеля и ванадия - Калин, Б.А.; Чернов, И.И.; Калашников, А.Н.; Бинюкова, С.Ю. (Вопросы атомной науки и техники, 2000)
Методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и термодесорбционной спектрометрии (ТДС) проведено сравнительное исследование поведения ионно-внедренного гелия и формирования газовой пузырьковой микроструктуры в ГЦК-(никель) и ОЦК-(ванадий) металлах в зависимости от концентрации легирующих элементов замещения (алюминий в Ni и титан в V). Показано, что при послерадиационных отжигах облученных при комнатной температуре образцов легирование в обоих типах сплавов существенно снижает размеры и увеличивает плотность формирующихся пузырьков. В сплавах Ni-Al при послерадиационном равномерном нагреве пики ТДС смещаются в область высоких температур с увеличением содержания Al, а в сплавах V-Ti - в область меньших температур c увеличением концентрации Ti, хотя эффективная энергия активации газовыделения в обоих случаях возрастает. Полученные данные обсуждены с точки зрения влияния легирования на механизмы роста и миграции пузырьков.