Исследование свойств арсенидгаллиевых ПТШ подвергнутых облучению γ-квантами ⁶⁰Со - Ильин, И.Ю.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Ренгевич, А.Е.; Соловьев, Е.А.; Приходенко, В.И. (Вопросы атомной науки и техники, 2001)
До и после облучения γ-квантами ⁶⁰Со в диапазоне доз 1.10⁴- 2.10⁹ Р исследованы статические вольтамперные характеристики и шумовая температура на частоте 12 ГГц арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) и НЕМТ (high electron mobility transistor). Установлена корреляция между параметрами ПТШ и радиационными изменениями свойств границы раздела фаз как в интервале доз, в котором реализуется радиационно-стимулированное геттерирование дефектов, так и радиационная деградация приконтактных областей GaAs. Предложен интервал доз облучения ПТШ γ-квантами ⁶⁰Со, в котором параметры ПТШ улучшаются. Этот интервал соответствует дозам 1.10⁴…7.10⁷ Р.