Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами - Алтынов, В.А.; Дидык, А.Ю. (Вопросы атомной науки и техники, 2003)
Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов.