Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
В работе разработана теория АФН-эффекта (аномально-больших фотонапряжений) в полупроводниковых пленках с однородными микрообластями, связывающая величину и знак АФН с технологическими параметрами пленок и условиями освещения. Из полученного аналитического выражения вытекают, в частности, выражения д...
Saved in:
Date: | 2008 |
---|---|
Main Author: | Набиев, Г.А. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7859 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 51-57. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
by: Гулямов, Г., et al.
Published: (2013) -
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
by: Набиев, Г.А.
Published: (2008) -
Определение параметров уровней прилипания, ответственных за фотоэлектретное состояние в пленках теллурида кадмия
by: Набиев, Г.А.
Published: (2008) -
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
by: Добровольский, Ю.Г.
Published: (1999) -
Классическая теория эффекта Аронова–Бома
by: Буданов, В.Е., et al.
Published: (2016)