Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). П...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7860 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями / К. Акбаров, А. Абдулхамидов, Н. Алимов, С.М. Отажонов, М. Шмарова // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 1-2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Создана перспективная пара полупроводников CdTe-ZnSe, в которой, кроме прямой передачи световых сигналов, будет обеспечено накопление зарядов. Фотодетектор данного типа будет работать без внешнего источника, если поликристаллический слой CdTe будет обладать аномально большим фотонапряжением (АФН). При этом повышено эффективность собирания излучения люминофора на 80%. |
|---|