Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках - Мирзаева, З.И.; Набиев, Г.А.; Эргашов, К.М. (Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008)
В работе показана возможность и разработана теория фотоэлектретного состояния в однородных полупроводниках. Фотоэлектретное состояние возникает в отсутствие внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освещения. Для многослойной структуры с однородными микрообластями, являющимися фотоактивными, найдено выражение для фотонапряжения с учетом глубоких уровней прилипания для неосновных носителей заряда. Когда время жизни свободных неосновных носителей намного меньше времени жизни носителей на уровне прилипания в структуре, наблюдается фотоэлектретное состояние. В простейшем случае фотонапряжение релаксирует по экспоненциальному закону. Время релаксации исчисляется несколькими часами. Наиболее перспективным материалом для наблюдения фотоэлектретного состояния без внешнего поляризующего поля является кремний. Структуры, в которых наблюдается этот эффект, могут быть применены как элементы памяти и в электрофотографии.