Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении - Набиев, Г.А. (Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008)
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный.