Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7882 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |