Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів - Воробець, М.О. (Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2008)
Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні тиску внаслідок збільшення площі прямого контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe. Зміни електричних та фотоелектричних параметрів гетероконтактів InSe/GaSe обговорюються з точки зору модифікації проміжного шару. Результати проведених досліджень свідчать про можливість керованої зміни параметрів гетеропереходів та варіювати використання їх у пристоях оптоелектроніки.