Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения - Стервоедов, А.Н. (Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2009)
В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионностимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновременно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 °С приводит к формированию градиентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометрическому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увеличением глубины.