Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe - Леонов, С.А.; Кутний, Д.В.; Наконечный, Д.В.; Давыдов, Л.Н.; Захарченко, А.А.; Кутний, В.Е.; Рыбка, А.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2004)
Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.