Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор

Предложен обзор публикаций о результатах разработок и исследований наноэлектромеханических структур с точки зрения специалиста по компьютерным техническим средствам. Описаны результаты исследований экспериментальных образцов и защищенных патентами США элементов вычислительной техники....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Белик, В.К., Климовская, А.И., Журавская, И.О.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Міжнародний науково-навчальний центр інформаційних технологій і систем НАН та МОН України 2013
Назва видання:	Управляющие системы и машины
Теми:	Технические средства информатики
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/83204
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор / В.К. Белик, А.И. Климовская, И.О. Журавская // Управляющие системы и машины. — 2013. — № 5. — С. 65-71. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-83204
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-832042015-06-17T03:01:56Z Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор Белик, В.К. Климовская, А.И. Журавская, И.О. Технические средства информатики Предложен обзор публикаций о результатах разработок и исследований наноэлектромеханических структур с точки зрения специалиста по компьютерным техническим средствам. Описаны результаты исследований экспериментальных образцов и защищенных патентами США элементов вычислительной техники. The review of publications about the results of developments and researches of nanoelektromechanical structures is conducted from point of specialist on computer hardwares. The research results of experimental standards of nanoelektromechanical elements of the computing engineering protected by the USA patents are described. Запропоновано огляд публікацій про результати розробок та досліджень наноелектромеханічних структур з точки зору фахівця з комп'ютерних технічних засобів. Описано результати досліджень експериментальних і захищених патентами США зразків наноелектромеханічних елементів обчислювальної техніки. 2013 Article Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор / В.К. Белик, А.И. Климовская, И.О. Журавская // Управляющие системы и машины. — 2013. — № 5. — С. 65-71. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0130-5395 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/83204 681.32 ru Управляющие системы и машины Міжнародний науково-навчальний центр інформаційних технологій і систем НАН та МОН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Технические средства информатики Технические средства информатики
spellingShingle	Технические средства информатики Технические средства информатики Белик, В.К. Климовская, А.И. Журавская, И.О. Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор Управляющие системы и машины
description	Предложен обзор публикаций о результатах разработок и исследований наноэлектромеханических структур с точки зрения специалиста по компьютерным техническим средствам. Описаны результаты исследований экспериментальных образцов и защищенных патентами США элементов вычислительной техники.
format	Article
author	Белик, В.К. Климовская, А.И. Журавская, И.О.
author_facet	Белик, В.К. Климовская, А.И. Журавская, И.О.
author_sort	Белик, В.К.
title	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор
title_short	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор
title_full	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор
title_fullStr	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор
title_full_unstemmed	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор
title_sort	нанокомпьютер: перспективы создания. обзор
publisher	Міжнародний науково-навчальний центр інформаційних технологій і систем НАН та МОН України
publishDate	2013
topic_facet	Технические средства информатики
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/83204
citation_txt	Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор / В.К. Белик, А.И. Климовская, И.О. Журавская // Управляющие системы и машины. — 2013. — № 5. — С. 65-71. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series	Управляющие системы и машины
work_keys_str_mv	AT belikvk nanokompʹûterperspektivysozdaniâobzor AT klimovskaâai nanokompʹûterperspektivysozdaniâobzor AT žuravskaâio nanokompʹûterperspektivysozdaniâobzor
first_indexed	2025-07-06T09:55:53Z
last_indexed	2025-07-06T09:55:53Z
_version_	1836890984902819840
fulltext	УСиМ, 2013, № 5 65 УДК 681.32 В.К. Белик, А.И. Климовская, И.О. Журавская Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор Предложен обзор публикаций о результатах разработок и исследований наноэлектромеханических структур с точки зрения специалиста по компьютерным техническим средствам. Описаны результаты исследований экспериментальных образцов и защищенных патентами США элементов вычислительной техники. The review of publications about the results of developments and researches of nanoelektromechanical structures is conducted from point of specialist on computer hardwares. The research results of experimental standards of nanoelektromechanical elements of the computing engineering protected by the USA patents are described. Запропоновано огляд публікацій про результати розробок та досліджень наноелектромеханічних структур з точки зору фахів- ця з комп'ютерних технічних засобів. Описано результати досліджень експериментальних і захищених патентами США зраз- ків наноелектромеханічних елементів обчислювальної техніки. Введение. Цель обзора – продемонстрировать научной общественности, что в развитии ком- пьютерной техники наука находится на поро- ге качественного скачка в создании техниче- ских средств – нанокомпьютеров. Разработчи- ки вплотную приближаются к масштабам, где стираются грани между объектами живой и неживой материи. Уже завтра могут быть соз- даны наноэлементы высокоинтеллектуальных систем, расположенные не только вокруг нас, но и внутри человека. Постановка задачи Известно, что интенсивное развитие элек- тронной промышленности (мобильные теле- фоны, электронные книги, планшетные ком- пьютеры и пр.) требует существенной миниа- тюризации интегральных схем. Но миниатю- ризация интегральных схем на основе тради- ционных транзисторов сдерживается проблемой рассеивания тепла, выделяемого при увеличе- нии плотности расположения транзисторов, а также необходимостью учета квантовых явле- ний. Очевидный путь – снижение уровня рабо- чего напряжения наталкивается на проблему, условно названную тепловой стеной. Вместе с тем существует традиционная необходимость в снижении энергопотребления переносных электронных приборов, а также в обнаружении и обработке все более слабых сигналов, что понуждает к поиску и исследованию элемен- Ключевые слова: наноэлектромеханические структуры (системы) НЭМС, нанокомпьютер, нанотехнологии, ос- циллятор, резонатор. тов с низким уровнем рабочего напряжения. Поэтому в настоящее время основные усилия специалистов направлены на поиск техниче- ских решений по сокращению мощности по- требления и рассеивания энергии в интеграль- ных схемах. Несколько неожиданным для специалистов по электронике стало открытие электромеха- нических структур – микроэлектромеханических и наноэлектромеханических. В зарубежной ли- тературе уже установилось их сокращенное название – МЭМС и НЭМС соответственно. Обзор зарубежных источников Оказалось, что можно существенно снизить потребляемую мощность устройств, если в ка- честве базовых элементов микросхем исполь- зовать последние достижения в разработке на- ноэлектромеханических приборов. В 2004 г. опубликован патент [1], в котором предложены наноэлектромеханические тран- зисторы и переключательные системы, в кото- рых используется механическое движение на- нотрубок. Такие НЭМС могут выполнять функ- ции электронных ключей, управляемых диодов, усилителей, инверторов, варисторов, времяим- пульсных модуляторов и транзисторов. На рис. 1 справа показана схема инвертора, представляющая собой многослойную струк- туру с закрепленной наверху консолью из на- нотрубки. Здесь, снизу вверх: проводящий слой (входной контакт) 822, изоляционный слой 852, проводящий слой (контакт, соединенный с «землей») 842, контактный слой (соединен- 66 УСиМ, 2013, № 5 ный с источником питания) 841, резистивный слой 832 и контактный слой 843, который служит выходным полюсом инвертора, куда вмонтирована консоль из нанотрубки 811. inV highV outV lowV 811 842 843 822 841 813 812 832 Рис. 1 На рис. 1 слева приведено условное обозна- чение этого инвертора в более известном виде, что, надеемся, заметно сократит время для из- ложения работы такого инвертора. Достаточно сказать, что в исходном состоянии консоль 811 заряжена противоположно (положительно, на- пример) по отношению к электроду 841. Поэто- му при подаче на вход 822 высокого отрица- тельного уровня напряжения (–3V), нанотрубка 811 притянется к электроду 822 (в позицию 813), не прикасаясь к нему, но прижавшись к электроду 842, что приведет к появлению на выходе 843 низкого отрицательного уровня на- пряжения (0V, т.е. «земли»). И, наоборот, при подаче на вход 822 низкого отрицательного уров- ня напряжения (0V) нанотрубка 811 оттолкнет- ся от электрода 842 (в положение 812), что приведет к появлению на выходе 843 высокого отрицательного уровня напряжения (–3V). То же самое произойдет при приложении внешне- го магнитного поля (см. 871 на рис. 1). Извест- но, что на основании инвертора могут быть построены логические схемы и элементы па- мяти компьютера. В [1] подробно описан про- цесс изготовления наноэлектромеханических элементов такого типа. В [2] предложено устройство с электроме- ханическим переносом электронов, в котором используется наномеханической резонатор (рис. 2). Устройство рекомендуется использо- вать как транзистор, выпрямитель, а также как различные датчики газа, радиации и др. К его достоинствам, отмечено, относятся малые га- бариты и низкий уровень напряжения питания. Рис. 2 Устройство 20 (см. рис. 2) содержит распо- ложенные на общем изоляционном основании 40 два проводящих электрода 25 и 26, питания и «земли» соответственно, между которыми рас- положен вибратор в виде столбика из изоляци- онного материала с расположенной на его вер- ху проводящей частью 33. Как вариант, в со- став устройства может быть введен третий электрод 27, для управления работой устройства. В последнем случае легко улавливается по- добие этого устройства известной схеме тран- зистора, где S – коллектор, D – эмиттер и G – база. Как видно из рис. 2, питание, как и управ- ление, в этом устройстве может осуществлять- ся источником как постоянного, так и пере- менного тока, в отдельности и в сочетании. Передача электронов, протекание тока, может осуществляться в устройстве вследствие элек- тронного туннелирования, полевой эмиссии, ио- низации газа или прямого электрического кон- такта. Частотный диапазон работы устройства – до сотен MHz. В 2007 г. была опубликована статья [3], в которой заявлено о новом направлении в компь- ютерной технике и было приведено описание типичного наноэлектромеханического элемен- та для построения логических элементов нано- электромеханического компьютера. На рис. 3 и 4 приведены соответственно схе- мы инвертора и логического элемента И–НЕ, где наноэлектромеханический элемент изобра- жен не в общеизвестном, а в специфическом виде, что сначала, естественно, затруднило по- УСиМ, 2013, № 5 67 нимание смысла статьи и стало понятно лишь позднее. Рис. 3 Рис. 4 Именно в 2008 г. был опубликован патент [4] на наноэлектромеханический компьютер, в котором подробно описан «зашифрованный» ранее наноэлектромеханический элемент (рис. 5) и показано, как на его основе построить логи- ческий элемент И–НЕ и элемент памяти для нанокомпьютера. Рис. 5 Как видим на рис. 5, наномасштабный элек- тромеханический транзистор 10 представляет собой расположенную на общем основании 16 структуру 10, состоящую из двух частей: управ- ляющей и управляемой. При этом каждая из двух частей 24 состоит из направленных вверх и выполненных из изоляционного материала и покрытых сверху проводящим слоем двух элек- тродов 20 и 22 для управляющей части и двух электродов 26 и 28 для управляемой части. По- средине структуры, между названными элек- тродами, вдоль от одной части к другой распо- ложена гребенка 30 из столбиков (консолей) 12 и 14, выполненных из изоляционного материа- ла, покрытых сверху проводящим слоем 18 и соединенных механически в нижней части гре- бенки 30 между собой и с основанием 16 структуры 10. При подаче напряжения малой мощности на электроды 20 и 22 управляющей части струк- туры и напряжения большей мощности на электроды 26 и 28 управляемой части сначала возникают колебания консоли, расположенной между электродами 20, 22 управляющей части. Затем, благодаря резонансу и механической связи в нижней части гребенки 30, колебания передаются в управляемую ее часть. При этом из-за резонанса и более высокой мощности в управляемой части происходит усиление воз- никших колебаний. А это, в свою очередь, ве- дет к увеличению значения тока в управляемой части структуры 10. Таким образом, можно управлять проводи- мостью структуры 10 от малого ее значения в отсутствие сигнала на управляющих входах 20, 22 до большого – при подаче соответст- вующего сигнала на те же входы. После этого полезно вернуться к анализу правильности выполнения функций логичес- кими элементами на рис. 3 и 4. В 2007 г. была опубликована статья [5], со- держащая значительные результаты по иссле- дованию механизма самовозбуждения наноме- ханических столбиков (консолей). Остановим- ся на наиболее важных из них. Рис. 6 Авторами [5] проведено два эксперимента для установления зависимости напряжения са- мовозбуждения от введения между электрода- ми наностолбика. На рис. 6,а показано изобра- жение с электронного микроскопа двух элек- тродов с наностолбиком между ними, а на рис. 6,b – изображение без наностолбика. На рис. 7 приведены результаты этих двух экспе- риментов, где слева – серая кривая соответст- вует эксперименту 6,а со столбиком, а справа – черная кривая, соответствующая эксперименту 6,b. Очевидно, что введение электромеханиче- ского элемента позволяет снизить напряжение 68 УСиМ, 2013, № 5 питания примерно в пять раз. Налицо преиму- щество наноэлектромеханических элементов над чисто электронными. Рис. 7 Рис. 8 Также было выявлено [5] наличие достаточ- но четкого порога Vth возникновения самовоз- буждения, а также изучена зависимость ампли- туды возбуждения от применения одновре- менного сочетания постоянного смещения и сигнала переменного тока (рис. 8). Особенно актуально обнаружение авторами явления гистерезиса в наноелектромеханических структурах. На рис. 9 приведены результаты исследования самовозбуждения в так называе- мом жестком режиме (когда электроды не пло- ские, а заостренные). На рис. 9,а изображен экс- перимент с заостренными концами электродов. Рис. 9 На вставке внизу слева это показано в более крупном масштабе. Справа вверху на вставке изображены кривые изменения в пространстве между электродами сил (энергий), обусловлен- ных воздействием на наностолбик с зарядом электростатического поля и упругих (эласти- ческих) механических сил. Форма кривой, со- ответствующая совместному действию на на- ностолбик двух названых сил, объясняет причи- ну возникновения гистерезиса в таких структу- рах в таком режиме. На рис. 9,b,c показаны две последователь- ные записи гистерезисных траекторий: в нача- ле измерений и после нескольких циклов соот- ветственно. Здесь ширина гистерезисной кривой определяется разностью энергий между потен- циальными ямами α и β. Рассмотренные результаты подтверждаются и в экспериментах, проведенных другими ав- торами. Приведем некоторые из них. В статье [6] приведены результаты исследо- вания возникновения и поддержания собствен- ных колебаний нанотрубки с закрепленным од- ним концом (консоли). На рис. 10,a,b,c изображен электронный мик- роскоп углеродной нанотрубки: а – при нуле- вом приложенном напряжении; b – при не- большом ненулевом приложенном напряжении; c – при приложении напряжения, достаточного для поддержания собственных колебаний. Рис. 10 На рис. 10,d приведена временная диаграм- ма изменений прилагаемого напряжения и из- меряемого тока в процессе эксперимента. Здесь отчетливо виден порог возникновения колеба- ний (V = 66) углеродной нанотрубки. В экспе- рименте колебания нанотрубки возбуждались как приложением напряжения постоянного то- ка, так и путем совместного приложения по- стоянного напряжения и напряжения перемен- ного тока. Следует отметить еще один существенный результат, полученный при исследовании ре- УСиМ, 2013, № 5 69 жима непрерывающихся колебаний, – опреде- ление условий возникновения в зависимости от прилагаемого напряжения, от радиуса и длины нанотрубки и их соотношения (рис. 11). Рис. 11 Рис. 12 В статье [7] рассмотрены компактные пре- дельно высокоэнергоэкономичные ключи, ис- пользующие двухэлектродные НЭМС’ы (элек- троды A и B на рис. 12) с горизонтальным рас- положением балки (консоли) и латеральным ее управлением. На рис. 12 приведены схемы пе- реключательных устройств при приложении напряжения VGS ниже порога срабатывания Vpull-in (см. рис. 12,а) и выше порога срабатыва- ния (см. рис. 12,b). На рис. 12,c показана вольт- амперная гистерезисная характеристика уст- ройства, где отмечен предельно низкий уро- вень отключенного предпорогового уровня то- ка утечки Ioff в нем. Описан процесс изготовле- ния таких уст- ройств. Приведе- ны также резуль- таты аналитиче- ских исследова- ний работы уст- ройства (уравне- ние Эйлера–Бер- нулли), которые согласуются с ре- зультатами экс- периментальных исследований. В [7] приведены также схемы логических элементов: NAND, NOR и XOR, построенные на основании предложенных авторами ключей. В общем случае, подвижный элемент НЭМС’а может быть реализован по-разному: в виде кон- соли, в виде струны или даже мембраны. В ста- тье [8] описаны результаты исследования колеба- ний осциллятора в виде подвешенной углерод- ной нанотрубки, закрепленной с двух сторон. На рис. 13,a изображен электронный микро- скоп экспериментального образца устройства (в верхней части рисунка), измерительная ли- нейка 300 nm (справа внизу) и его геометриче- ское представление (в нижней части рисунка). На рис. 13,b показана схема экспериментальной установки. Рис. 13 Детальному анализу нелинейных эффектов в электромеханических осцилляторах, обуслов- ленных механическими причинами, посвящена статья [9]. На рис. 14 приведены три основных вида механического подвижного элемента (вибра- тора): a – натянутой путем закрепления с двух сторон нити (струны) (резонатор–мостик); b – балка с одним свободным, а другим закреп- ленным концом (консоль); c – пружины в виде двухмерной мембраны. Рис. 14 70 УСиМ, 2013, № 5 При этом за основу взято известное класси- ческое уравнение осциллятора ( ),m x x k x F t     где m – сосредоточенная масса, γ – коэффици- ент демпфирования, F(t) –внешняя сила и k – коэффициент упругости. При этом принято, что k = k0 (1 + k1 x + k2 x 2 + …), где k0 – линей- ный член, а k1 и k2 – нелинейные члены перво- го и второго порядка. Решение уравнения мож- но получить методом последовательных при- ближений, приняв решение в форме x(t) = x0 + + x1 cos ωt + x2 cos 2ωt + x3 cos 3ωt + … . Зависимость амплитуды колебаний от час- тоты показана на рис. 15: a – при колебаниях с нулевым демпфированием; b – при \| k1\| > 0 и k2 < 0; c – при k2 > 0. Дальнейшее усиление возбуждающего сигнала F(t) ведет к увеличе- нию нелинейности, решение уравнения возвра- щается из ситуации, соответствующей рис. 15,c, в ситуацию, соответствующую рис. 15,b, и в результате появляется скачок выходного сиг- нала из-за частотного гистерезиса, как показа- но на рис. 15,b. Увеличение добротности повы- шает чувствительность резонатора к нелинейно- сти. Были сопоставлены характеристики всех трех типов резонаторов и установлено, что наи- лучшие показатели у мембранного резонатора. a) b) c) Рис. 15 В [10] и [11] описаны и проверены способы грубого подбора размеров резонатора в соот- ветствии с резонансной частотой и последую- щей затем тонкой подстройки на заданную частоту. Существенным достоинством упомя- нутых источников есть то, что здесь, на основе натурного эксперимента, продемонстрированы широкие функциональные возможности нано- электромеханических устройств, построенных на основе нанотрубок. Достаточно взглянуть на рис. 16, где изо- бражена функциональная схема радиоприем- ника, и добавить, что все, обведенное пункти- ром, может быть реализовано практически на основе лишь резонансных нанотрубок, что не под силу даже таким широко применяемым эле- ментам, как транзисторы. Рис. 16 И третье, но не последнее, достоинство на- званных источников – это то, что авторы под- считали и заявили о том, что размеры устройств на основе резонансных нанотрубок позволяют их размещать, например, внутри кровеносных сосудов человека. А это открывает возможно- сти создания высокоинтеллектуальных искус- ственных спутников человека! Значение послед- него обстоятельства сегодня трудно оценить в полной мере. Общеизвестные достоинства НЭМС’ов – вы- сокая, недоступная традиционным элементам чувствительность НЭМС-датчиков и работа НЭМС с низким уровнем сигналов, оборачива- ются в свою противоположность – в недоста- ток в условиях, когда необходимо передать дальше полученный высокочувствительным дат- чиком сигнал. Поэтому актуальна проблема пре- дотвращения искажений полученных сигналов низкого уровня. Очевидный подход – сокраще- ние длины и времени передачи слабого сигна- ла требует решения проблемы – объединения на одном чипе высокочувствительного НЭМС- датчика с усилителем. Один из возможных способов усиления слабых сигналов рассмот- рен авторами предлагаемой статьи в ее начале (см. [4]). Другой возможный способ интеграции НЭМС-элементов с известными транзисторами предложен, проверен на натурных экспери- ментах и исследован авторами [12], где приве- дены результаты исследования двух экспери- ментальных образцов. В первом – реализован электростатический метод отвода сигнала от НЭМС-осциллятора. Во втором – реализован метод, при котором в одном чипе объединен НЭМС-осциллятор и полевой транзистор (field УСиМ, 2013, № 5 71 effect transistor – FET). Показано эксперимен- тально и аналитически, что уровень выходно- го сигнала во втором случае выше в 18 раз. Результаты исследований защищены патен- том [13]. Заключение. В предложенном обзоре зару- бежных источников сознательно сделан акцент на результатах экспериментальных исследова- ний и на изображениях электронных микро- скопов экспериментальных образцов и рисун- ков с результатами экспериментальных иссле- дований, с надеждой, что у читателя сложится образное или качественное (не количественное) представление о НЭМС’ах для их применения при создании нанокомпьютера. За бортом ос- тались многочисленные числовые характери- стики и теория. Вне поля зрения сознательно оказались также источники о сенсорах на ос- нове НЭМС’ов (где они в ближайшем буду- щем будут вне конкуренции). Приведенные ре- зультаты экспериментальных исследований сви- детельствуют о практической готовности со- стояния дел к тому, что наноэлектромеханиче- ские элементы займут свое достойное место при создании нанокомпьютеров. В Украине в этом важном направлении со- временной электроники проводятся в основном научно-исследовательские работы. И значитель- но меньше – экспериментальных исследований [14, 15], главным образом, из-за недостатка средств на материалы и на соответствующее современное оборудование. 1. Nanoelectromechanical transistors and systems (US 2004/0238907, WO2004/108586 A1, US 2005/0104085 A1, US 7256063 B2 / Joseph F. Pinkerton, John C. Har- lan, Jeffrey D. Mullen. – Ambient Systems, Inc. (US). 2. Electromechanical electron transfer devices (US 2005/ 6946693 Bl, WO 2005/109520 A2, US 2007/7214571 B2 / Dominik V. Scheible, Munich (DE); Robert H. Blick (US). – Wisconsin Alumni Research Foundation, (US). 3. A nanomechanical computer–exploring new avenues of computing / Robert H. Blick, Hua Qin, Hyun-Seok Kim, Robert Marsland // New J. of Physics. – 2007. – 241, N 9. – P. 1–9. 4. Nanomechanical computer. Pat. US 2008/7 414 437 B1. Robert Blick and Robert Marsland. 5. Heun S. Kim, Hua Qin and Robert H. Blick. Self exci- tation of nano-mechanical pillar // New J. Physics. – 2010. – N 12. – 033008. 6. Sustained Mechanical Self-Oscillations in Carbon Nano- tubes / Jeffrey A. Weldon, Benjamin Alema´n, Allen Sussman et al. // Nano Lett. – 2010. – N 10. – P. 1728– 1733. 7. Design and Analysis of Compact Ultra Energy-Effici- ent Logic Gates Using Laterally-Actuated Double-Elec- trode NEMS / Hamed F. Dadgour, Muhammad M. Hus- sain, Casey Smith et al. // DAC'10, June 13–18, 2010, Anaheim, СА, USA. 8. A tunable carbon nanotube electromechanical oscilla- tor / Vera Sazonova, Yuval Yaish, Hande Üstünel et al. // Nature. – 16 Sept. 2004. – 431. – P. 284–287. 9. Nonlinear Limits for Single-Crystal Silicon Microre- sonators / Ville Kaajakari, Tomi Mattila, Member // J. of microelectromechanical systems. – Oct. 2004. – 13. – N 5. – P. 715–724. 10. Nanomechanical radio transmitter / J. Weldon, K. Jen- sen, A. Zettl // Phys. stat. sol. (b). – 2008. – 245, N 10. – P. 2323–2325. 11. Nanotube resonator devices. Pat. US 2010/0271003 A1. Kenneth J. Jensen, Alexander K. Zettl, Jeffrey A. Weldon. 12. Nanoelectromechanical system-integrated detector with silicon nanomechanical resonator and silicon nanochan- nel field effect transistor / Josef-Stefan Wenzler, Tyler Dunn, Shyamsunder Erramilli et al. // J. of Applied Physics. – 2009. – N 105. – Р.1–4, 094308. 13. Pat. US 2010/0155883. Integrated MEMS and IC sys- tems and related metods. 14. Quantized field-electron emission at 300 K in self-as- sembled arrays of silicon nanowires / A.I. Klimovskaya, O.E. Raichev, A.A. Dadykin et al. // Physica E: Low- Dimensional Systems and Nanostructures. – 2007. – 37(1-2). – Р. 212-217. 15. Growth of silicon nanowires suitable for NEM device applications / A.I. Klimovskaya, A.V. Sarikov, Yu.N. Ped- chenko et al. // «EMRS 2012 Spring Meeting», Symp. L, L8P, 43; 14–18 May 2012. Поступила 12.04.2013 Тел. для справок: +38 044 526-2131, 574-5881 (Киев) E-mail: bilykvk@gmail.com, izh@ua.fm © В.К. Белик, А.И. Климовская, И.О. Журавская, 2013 

Нанокомпьютер: перспективы создания. Обзор

Репозитарії

Схожі ресурси