Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбув...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8515 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |