Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |