Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87704 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр
анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано, що
в кристалах кремнiю, легованих через розплав, термовiдпал приводить до помiтного
зниження величини M, тодi як у трансмутацiйно легованих зразках значення цього
параметра збiльшується в ~1,5 раза. Встановлено, що параметр анiзотропiї рухливостi K в кристалах обох типiв залишається практично незмiнним. Запропоновано пояснення одержаних результатiв. |
|---|