Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах - Зубарев, Е.Н. (Успехи физики металлов, 2010)
При малых дозах облучения (ионами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ ион/м² и ионами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ ион/м²) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi₈,₂ и MoSi₃,₉ при облучении ионами He⁺ и Ar⁺ соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He⁺, наблюдаются два участка: 1 – слабой зависимости (Tобл ≤ 260°C), 2 – сильной зависимости (Tобл > 260°C) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют Q₁ ≈ 0,02 эВ и Q₂ ≈ 0,5 эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений.