Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью

Впервые проведены сопоставительные исследования выходных характеристик и удельной мощности тонкопленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au сформированных на стеклянных подложках и полиамидных пленках.Экспериментально было доказано, что замена стеклянной подложки полиамидной пленкой позволяе...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Хрипунов, Г.С., Бойко, Б.Т.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98477
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью / Г.С. Хрипунов, Б.Т. Бойко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 69–73. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-98477
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-984772016-04-16T03:01:41Z Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью Хрипунов, Г.С. Бойко, Б.Т. Впервые проведены сопоставительные исследования выходных характеристик и удельной мощности тонкопленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au сформированных на стеклянных подложках и полиамидных пленках.Экспериментально было доказано, что замена стеклянной подложки полиамидной пленкой позволяет приблизительно в пятьдесят раз повысить удельную мощность солнечного элемента ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. Вперше проведені порівняльні дослідження вихідних характеристик і питомої потужності тонкоплівкових сонячних елементів ITO/Cd/CdTe/Cu/Au сформованих на скляних підкладках і поліамідних плівках. Експериментально було доведено, що заміна скляної підкладки поліамідною плівкою дозволяє у близько п’ятдесяти разів підвищити питому потужність сонячного елемента ITO/Cd/CdTe/Cu/Au . The first time the comparative investigations of the photovoltaic characteristics and specific capacity of the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au thin film solar cells on the glass substrates and polyamide film were carried out. Experimentally it was proved, that the replacement of the glass substrate on the polyimide film permits to increase the specific capacity of ITO/CdS/CdTe/Cu/Au solar cells in the around fifty times. 2004 Article Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью / Г.С. Хрипунов, Б.Т. Бойко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 69–73. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98477 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Впервые проведены сопоставительные исследования выходных характеристик и удельной мощности тонкопленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au сформированных на стеклянных подложках и полиамидных пленках.Экспериментально было доказано, что замена стеклянной подложки полиамидной пленкой позволяет приблизительно в пятьдесят раз повысить удельную мощность солнечного элемента ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.
format	Article
author	Хрипунов, Г.С. Бойко, Б.Т.
spellingShingle	Хрипунов, Г.С. Бойко, Б.Т. Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью Физическая инженерия поверхности
author_facet	Хрипунов, Г.С. Бойко, Б.Т.
author_sort	Хрипунов, Г.С.
title	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью
title_short	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью
title_full	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью
title_fullStr	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью
title_full_unstemmed	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью
title_sort	гибкие солнечные элементы ito/cds/cdte/cu/au с высокой удельной мощностью
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2004
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98477
citation_txt	Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью / Г.С. Хрипунов, Б.Т. Бойко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 69–73. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT hripunovgs gibkiesolnečnyeélementyitocdscdtecuausvysokojudelʹnojmoŝnostʹû AT bojkobt gibkiesolnečnyeélementyitocdscdtecuausvysokojudelʹnojmoŝnostʹû
first_indexed	2025-07-07T06:37:42Z
last_indexed	2025-07-07T06:37:42Z
_version_	1836969123792289792
fulltext	ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 69 ВВЕДЕНИЕ В настоящее время в космических и наземных условиях для электроснабжения широко ис- пользуются солнечные элементы (СЭ) на основе монокристаллического кремния. К основным технико-экономическим показателям таких сол- нечных элементов, наряду с коэффициентом полезного действия, себестоимостью вырабаты- ваемой ими электроэнергии и степенью устойчи- вости выходных характеристик к воздействию солнечного излучения, относится удельная мощность. Под удельной мощностью понимают мощность вырабатываемую солнечным элемен- тов на единицу его веса (кВт/кг). Показано [1], что если себестоимость электроэнергии, выраба- тываемой солнечными элементами, будет не вы- ше 1$ за 1 Ватт⋅пик (1Вт при интенсивности cолнечного излучения 1000Вт/м2), то фотоэлект- ричество будет конкурентоспособным по отно- шению к электроэнергии вырабатываемой тепло- выми электростанциями. К 2010 году минима- льно возможная цена 1 Ватт⋅пик кремниевых мо- нокристаллических солнечных элементов соста- вит не менее 2$, а для пленочных солнечных эле- ментов на основе теллурида кадмия – 0,5$ [1]. Исследования показали [2], что наибольшую устойчивость к.п.д. к радиационному воздейст- вию космических условий имеют тонкопленоч- ные солнечные элементы на основе теллурида кадмия. Традиционно высокоэффективные тон- копленочные солнечные элементы на основе CdTe изготавливаются на стеклянных подложках вакуумными методами при температурах не ме- нее 400о С (см., например, в [3]). Такие солнечные элементы, несмотря на экономичность и радиа- ционную стойкость существенно уступают СЭ на основе монокристаллов кремния по удельной мощности. В настоящее время ряд западных фирм начали производить прозрачные полиамид- ные пленки, обладающие термостабильностью до 450о С. Это принципиально позволяет фор- мировать эффективные гибкие солнечные эле- менты на основе теллурида кадмия. Такие гибкие солнечные элементы теоретически способны об- ладать высокой удельной мощностью за счет су- щественного снижения их веса при замене стек- лянной подложки на полиамидную пленку. Таким образом, сопоставительные экспериментальные исследования эффективности, выходных пара- метров и приведенной мощности тонкопле- ночных солнечных элементов на основе теллу- рида кадмия изготовленных на стеклянных под- ложках и полиамидных пленках являются ак- туальными. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ Для получения лабораторных образцов СЭ ITO/ CdS/CdTe/Cu/Au вначале на полиамидные пленки и стеклянные подложки методом нереактивного высокочастотного магнетронного распыления осаждались слои ITO. Осаждение осуществля- лось в промышленной установке MRC 6031. При распылении использовалась мишень пред- ставляющая собой спрессованную механичес- кую смесь порошков In2O3 (90 вес. %) и SnO2 (10 вес.%) полупроводниковой чистоты. Исходное парциальное давление было 10-6 Торр. Форми- рование ITO толщиной (0,4 – 0,5) мкм осущест- влялось в аргоно-кислородной смеси при давле- нии 6⋅10–3 Торр. Концентрация кислорода в составе газовой смеси поддерживалась на уровне 3 об.%. Удельная мощность магнетрона сос- тавляла 1500 Вт/см2. Температура подложки – 400о С. Эти режимы магнетронного распыления были идентифицированы нами для осаждения слоев ITO с оптимальными оптоэлектрическими свойствами на стеклянных подложках и поли- амидных пленках. УДК 621.315.592 ГИБКИЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au С ВЫСОКОЙ УДЕЛЬНОЙ МОЩЬНОСТЬЮ Г.С. Хрипунов, Б.Т. Бойко Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» Украина Поступила в редакцию 19.01.2004 Впервые проведены сопоставительные исследования выходных характеристик и удельной мощности тонкопленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au сформированных на стеклянных подложках и полиамидных пленках. Экспериментально было доказано, что замена стеклянной подложки полиамидной пленкой позволяет приблизительно в пятьдесят раз повысить удельную мощность солнечного элемента ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 270 ГИБКИЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au С ВЫСОКОЙ УДЕЛЬНОЙ МОЩЬНОСТЬЮ На слои ITO термическим испарением осаж- дались пленки CdS при давлении 10–6 мм.рт.ст. и температуре подложки 3000 С. Затем без наруше- ния вакуума при температуре подложки 400о С осаждались пленки CdTe. Полученные гетеро- системы ITO/CdS/CdTe подвергались «хлорид- ной» обработке [4]. Для этого на слои CdTe без нагрева подложки, термическим испарением при давлении 10–5 мм.рт.ст. наносились пленки CdCl2. Полученные гетеросистемы ITO/CdS/CdTe/ CdCl2 подвергались отжигу на воздухе в закры- том объеме при температуре 4300 С в течение 25 минут. После травления отожженных гетеро- систем в растворе бром метанола на их поверх- ности термическим испарением наносились двух- слойные электрические контакты Cu-Au и затем проводился отжиг сформированных СЭ ITO/CdS/ CdTe/Cu/Au на воздухе при температуре 200о С в течение 30 минут. Измерения световых вольт-амперных харак- теристик полученных СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au осуществлялось в режиме освещения АМ1.5. По экспериментальным световым вольт-амперным характеристикам в определялись выходные пара- метры солнечных элементов: плотность тока ко- роткого замыкания (Jкз), напряжение холостого хода (Uхх), фактор заполнения (FF) нагрузочной световой вольт-амперной характеристики (ВАХ) и, в конечном итоге, – коэффициент полезного действия (η) [5]: η = (Jкз⋅Uхх⋅FF)/Pи, (1) где Pи = 100 мВт/см2 – мощность падающего солнечного излучения. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЯ На стеклянных подложках и полиамидных плен- ках были получены солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. СЭ на полиамидных плен- ках были в 56 раз легче (см. рисунок 1а, б). Для идентификации наиболее оптимальных конструк- тивно-технологических решений при формиро- вании солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au варьировалась толщина пленок сульфида кадмия и толщина пленок хлорида кадмия. Согласно ли- тературным данным [6], для тонкопленочных СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, в которых осаждение базо- вого слоя осуществляется вакуумным испарени- ем, оптимальная толщина CdTe составляет 4 мкм. Поэтому при формировании СЭ ITO/CdS/CdTe/ Cu/Au толщина пленок теллурида кадмия также была 4 мкм. Были измерены световые вольт-амперные ха- рактеристики СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au (рис. 2, 3), которые формировались на стеклянных под- ложках и полиамидных пленках. Путем обра- ботки экспериментальных световых вольт-ам- перных характеристик определены эффектив- ность и выходные параметры изготовленных СЭ. Результаты исследования эффективности и выходных параметров СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на стеклянных подложках показали, что при тол- щине слоя сульфида кадмия 0,40 мкм и толщине слоя хлорида кадмия 0,35 мкм наблюдается мак- симальная эффективность – 10,3 %. При этом на- пряжение холостого хода Uхх = 774 мВ, плотность тока короткого замыкания Jкз = 20,1 мА/см2, фак- тор заполнения световой вольт-амперной харак- теристики FF = 0,660 (рис. 2а, кривая 2). Сниже- ние толщины слоя сульфида кадмия от 0,40 мкм приводит к снижению эффективности СЭ, в ос- новном, за счет уменьшения фактора заполнения световой вольт-амперной характеристики. Так, например, уменьшение толщины слоя CdS от 0,40 мкм до 0,20 мкм, при неизменной толщине слоя хлорида кадмия 0,35 мкм, приводит к снижению эффективности СЭ от η = 10,3 % до η = 8,2 %. При этом фактор заполнения световой а) б) Рис.1. Солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au: а) на стек- лянной подложке; б) на полиамидной пленке. ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 71 вольт-амперной характеристики уменьшается от FF = 0,660 до FF = 0,558 (рис. 2а, кривые 1,2). Увеличение толщины слоя сульфида кадмия свы- ше 0,40 мкм приводит к снижению эффективнос- ти за счет уменьшения плотности тока короткого замыкания. Так, например, увеличение толщины слоя CdS от 0,40 мкм до 0,60 мкм, при неизмен- ной толщине хлорида кадмия 0,35 мкм, приводит к снижению эффективности СЭ от η = 10,3 % до η = 8,8%. При этом плотность тока короткого замыкания уменьшается от Jкз = 20,1 мА/см2 до Jкз = 17,0 мА/см2 (рис. 2а, кривые 1, 3). Снижение толщины слоя хлорида кадмия при проведении “хлоридной” обработки СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au (рис. 2б), которые были сформированы на стеклянных подложках, от 0,35 мкм приводит к снижению эффективности за счет уменьшения напряжения холостого хода и фактора заполнения световой вольт-амперной характеристики. Так, например, уменьшение тол- щины слоя CdCl2 от 0,35 мкм до 0,06 мкм, при неизменной толщине слоя сульфида кадмия 0,40 мкм, приводит к снижению эффективности СЭ от η = 10,3 % до η = 7,4 %. При этом напряже- ние холостого хода уменьшается от Uхх = 774 мВ до Uхх = 640 мВ, фактор заполнения – от FF = 0,660 до FF = 0,568, (рис. 2б, кривая 2, 4). Рост толщины слоя хлорида кадмия свыше 0,35 мкм приводит к снижению эффективности, в основном, за счет уменьшения фактора запол- нения. Так, увеличение толщины слоя CdCl2 от 0,35 мкм до 1,2 мкм, при неизменной толщине слоя сульфида кадмия 0,35 мкм, приводит к сни- жению эффективности СЭ от η = 10, 3 % до η = 5,4 %. При этом фактор заполнения световой вольт-амперной характеристики уменьшается от FF = 0,660 до FF = 0,410 (рис. 2б, кривые 2, 5). Варьирование толщины пленок сульфида кад- мия и хлорида кадмия при изготовлении сол- нечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на поли- амидных пленках показало, что при толщине слоя сульфида кадмия 0,55 мкм и толщине слоя хло- рида кадмия 0,11 мкм наблюдается макси- мальная эффективность – 8,5%. При этом на- пряжение холостого хода Uхх = 746 мВ, плотность тока короткого замыкания Jкз = 19,3 мА/см2, фактор заполнения световой вольт-амперной характеристики FF = 0,591 (рис. 3б, кривая 4). Удельная мощность такого гибкого солнечного элемента ITO/CdS/CdTe/Cu/Au составляет 1,9 кВт/кг. Сопоставление максимально достигнутых удельных мощностей СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, сформированных на полиамидной пленке и стеклянной подложке, свидетельствует о том, что приведенная мощность гибкого солнечного элемента выше в 47 раз. Снижение толщины слоя сульфида кадмия от 0,55 мкм, при изготовлении солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на полиамидных пленках, приводит к снижению эффективности за счет уменьшения напряжения холостого хода. Так, уменьшение толщины слоя CdS от 0,55 мкм до 0,30 мкм, при неизменной толщине хлорида кадмия 0,08 мкм, приводит к снижению эф- фективности СЭ от η = 6,3% до η = 4,2%. При этом напряжение холостого хода уменьшается от Uхх= 712 мВ до Uхх = 440мВ (рис. 3а, кривые 1, 2). Увеличение толщины слоя сульфида кадмия в гибких солнечных элементах на основе CdTe свы- ше оптимального значения, как и для СЭ сформи- а) б) Рис. 2. Световые ВАХ СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на стеклянных подложках. а) влияние толщины слоя CdS (dCdCl2= 0,35 мкм): 1 – dCdS= 0,20 мкм: Uхх= 749 мВ, Jкз= 19,7 мА/см2, FF=0,558, η = 8.2%; 2 – dCdS= 0,40 мкм: Uхх= 774 мВ, Jкз= 20,1 мА/см2, FF = 0,660, η = 10,3 %; 3 – dCdS = 0,60 мкм: Uхх= 783 мВ, Jкз= 17,0 мА/см2, FF = 0,660, η = 8,8%. б) влияние толщины слоя CdCl2 (dCdS= 0,40 мкм): 4 – dCdcl2= 0,06 мкм: Uхх = 640 мВ, Jкз= 19,8 мА/см2, FF = 0,583, h = 7,4 %; 2 – dCdCl2= 0,35мкм: Uхх= 774 мВ, Jкз= 20,1 мА/см2, FF = 0,660, η = 10,3 %; 5 – dCdCl2 = 1,20 мкм: Uхх = 713 мВ, Jкз= 18,3 мА/см2, FF = 0,410, η = 5,4 %. Г.С. ХРИПУНОВ, Б.Т. БОЙКО ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 272 ГИБКИЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au С ВЫСОКОЙ УДЕЛЬНОЙ МОЩЬНОСТЬЮ рованных на стеклянных подложках, приводит к снижению эффективности за счет уменьшения плотности тока короткого замыкания. Так, напри- мер, увеличение толщины слоя CdS от 0,55 мкм до 0,70 мкм, при неизменной толщине хлорида кадмия 0,08 мкм, приводит к снижению эффекти- вности гибкого СЭ от η= 6,3 % до η = 5,6 %. При этом плотность тока короткого замыкания умень- шается от Jкз=17,1 мА/см2 до Jкз=14,7 мА/см2 (рис. 3а, кривые 1, 3). Можно предположить, что в обоих конструкциях СЭ наблюдаемое экспери- ментально снижение Jкз обусловлено снижением плотности потока фотонов поступающих в базо- вый слой при увеличении толщины слоя CdS. Снижение толщины слоя хлорида кадмия при проведении “хлоридной” обработки солнечных элементов, сформированных на полиамидных пленках от 0,11 мкм приводит к снижению эффек- тивности за счет уменьшения всех выходных параметров СЭ. Так, уменьшение толщины слоя CdCl2 от 0,11 мкм до 0,08 мкм, при неизменной толщине сульфида кадмия 0.55 мкм, приводит к снижению эффективности СЭ от η = 8,5 % до η = 6,3%. При этом напряжение холостого хода уменьшается от Uхх = 746 мВ до Uхх= 721мВ, фак- тор заполнения – от FF = 0,590 до FF = 0,514, плотность тока короткого замыкания – от Jкз = 19,3 мА/см2 до Jкз = 17,1 мА/см2 (рис. 3б, кривые 2, 4). Рост толщины слоя хлорида кадмия при формировании гибких солнечных элементов свыше оптимального значения, как и для СЭ сформированных на стеклянных подложках, при- водит к снижению эффективности в основном за счет уменьшения фактора заполнения световой вольт-амперной характеристики. Так, увеличение толщины слоя CdCl2 от 0,11 мкм до 0,16 мкм, при неизменной толщине сульфида кадмия 0,55 мкм, приводит к снижению эффективности СЭ от η = 8,5 % до η = 7,2% (рис. 3б, кривые 2, 5). ЗАКЛЮЧЕНИЕ Впервые путем сопоставительных исследований солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, сформированных на стеклянных подложках и по- лиамидных пленках, экспериментально доказано, что замена стеклянной подложки полиамидной пленкой позволяет увеличить удельную мощ- ность таких солнечных элементов в 47 раз. Определены толщины слоя сульфида и хлори- да кадмия, при которых экспериментально на- блюдается максимальное значение эффективно- сти солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au полученных методом термического вакуумного осаждения. Показано, что оптимальная толщина слоя сульфида кадмия в конструкции солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au сформированных на полиамидных подложках выше, чем при ис- пользовании стеклянных подложек, а толщина слоя хлорида кадмия – ниже. Механизм сниже- ния эффективности при увеличении толщины слоя сульфида кадмия и хлорида кадмия свыше опти- мальных значений для обоих типов солнечных элементов одинаковый и обусловлен снижением плотности тока короткого замыкания и уменьше- нием фактора заполнения световой вольтампер- ной характеристики соответственно. Достигнутая экспериментально максималь- ная эффективность солнечных элементов Рис. 3. Световые ВАХ СЭ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на полиамидных пленках. а) влияние толщины слоя CdS (dCdCl2= 0,08 мкм): 1 – dCdS= 0,30 мкм: Uхх= 440 мВ, Jкз= 16,9 мА/см2, FF=0,568, η = 4.2%; 2 – dCdS= 0,55 мкм: Uхх= 712 мВ, Jкз= 17,1 мА/см2, FF = 0,514, η = 6,3 %; 3 – dCdS= 0,70 мкм: Uхх= 711 мВ, Jкз= 15,7 мА/см2, FF = 0,490, h = 5,8 %. б) влияние толщины слоя CdCl2 (dCdS= 0,55 мкм): 2 – dCdcl2 = 0,08 мкм: Uхх= 712 мВ, Jкз= 17,1 мА/см2, FF = 0,514, η = 6,3 %; 4 – dCdCl2= 0,11мкм: Uхх= 746 мВ, Jкз= 19,3 мА/см2, FF = 0,591, h = 8,5 %; 5 – dCdCl2 = 0,16 мкм: Uхх = 756 мВ, Jкз= 19,4 мА/см2, FF = 0,490, η = 7,2 %. а) б) ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 73 ITO/CdS/CdTe/Cu/Au на стеклянных подложках составила 10,3 %, а для гибких СЭ – 8,5 %. Более высокая эффективность солнечных элементов сформированных на стеклянных подложках, в первую очередь, обусловлена большим фактором заполнения световой вольт-амперной харак- теристики. ЛИТЕРАТУРА 1. Bonnet D., Meyers P. Cadmium telluride-materials for thin film solar cells // J. Mater. Res.– 1999.– Vol. 13, № 10. – P. 2740 - 2753. 2. Batrner D., Romeo A., Dobeli M., Weinert K., Zogg H., Tiwari A.N. High energy irradiation pro-perties of CdTe/CdS solar cells//Proceedings of 29th EEE Pho- tovoltaic Specialists Conference. New Orleans.– 2002.– P. 982 - 985. 3. Wu X., Keame J.C., Dhere R.G. at all. 16,5% - Efficient CdS/cdTe polycrystalline thin-film solar cells//Pro- ceeding 17th European Photovoltaic Solar Energy Con- ference. Munich. – 2002. – P. 995 - 999. 4. Romeo A. , Tiwari A.N. , Batzner D.L., Zogg H. Re- crystallization in CdTe/CdS// Proceeding of 1999 European Material Conference. Strasbourg. – 2000.– P. 420 - 425. 5. Rauschenbach H.S. Solar Cell Array Design “The principles and Technology of photovoltaic Energy Conversion”. New York: “Litton Educational Pub- lishing”, 1980. – 350 p. 6. Romeo A., Batzner D.L., Zogg H., Tiwari A.N. A com- parison of the vacuum evaporated CdTe substrate and superstrate solar cells// Pros. 16th European Pho- tovoltaic Solar Energy Conference. Glasgow.– 2000.– P. 843 - 846. ГНУЧКІ СОНЯЧНІ ЕЛЕМЕНТИ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au З ВИСОКОЮ ПИТОМОЮ ПОТУЖНІСТЮ Г.С. Хрипунов, Б.Т. Бойко Вперше проведені порівняльні дослідження вихідних характеристик і питомої потужності тонкоплівкових сонячних елементів ITO/Cd/CdTe/Cu/Au сформованих на скляних підкладках і поліамідних плівках. Експери- ментально було доведено, що заміна скляної підкладки поліамідною плівкою дозволяє у близько п’ятдесяти ра- зів підвищити питому потужність сонячного елемента ITO/Cd/CdTe/Cu/Au . FLEXIBLE ITO/CdS/CdTe/Cu/Au SOLAR CELLS WITH HIGH SPECIFIC CAPACITY G.S. Khripunov, B.Т. Boyko The first time the comparative investigations of the photovoltaic characteristics and specific capacity of the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au thin film solar cells on the glass substrates and polyamide film were carried out. Experimentally it was proved, that the replacement of the glass substrate on the polyimide film permits to increase the specific capacity of ITO/CdS/CdTe/Cu/Au solar cells in the around fifty times. Г.С. ХРИПУНОВ, Б.Т. БОЙКО

Гибкие солнечные элементы ITO/CdS/CdTe/Cu/Au с высокой удельной мощностью

Репозитарії

Схожі ресурси