Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля - Отажонов, С.М. (Физическая инженерия поверхности, 2004)
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля.