Ріст Aspergillus versicolor (Vuill.) Tiraboschi під впливом різних доз іонізуючого опромінення в умовах модельних систем - Тугай, Т.І. (Інститут ботаніки ім. М.Г. Холодного НАН України, 2008)
Показано, что под влиянием малых доз ионизирующего излучения у штаммов A. versicolor, выделенных из разных по уровню радиоактивного загрязнения помещений объекта «Укрытие», происходила активация роста (радиационный гормезис), степень выраженности которой зависела от радиоактивности места их выделения и фазы роста. У контрольного штамма под действием малых доз ионизирующего излучения выявлено незначительное ингибирование роста в обеих фазах. При действии больших доз ионизирующего излучения (1000 Гр) у штаммов A. versicolor, выделенных их помещений объекта «Укрытие», выявлена новая адаптивная реакция — адаптивный ответ, который проявляется не только в устойчивости к большим дозам радиации, но и в стимуляции ростовых процессов. У контрольного штамма наблюдали значительное (более чем на 60%) ингибирование роста. Установлено, что у штаммов, выделенных их объекта «Укрытие», сформировалась адаптация к действию ионизирующего излучения в диапазоне доз от 1 до 1000 Гр.