Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере я...
Gespeichert in:
Datum: | 2006 |
---|---|
1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineZusammenfassung: | В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. |
---|